IGBT-transistors

IGBT-transistor. RoHS: ja. Componentfamilie: IGBT-transistor met ingebouwde snelle vrijloopdiode . Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-3PN. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: SGH80N60UF. Collector-emitterspanning Uce [V]: 600V. Collectorstroom Ic [A]: 80A. Maximale collectorstroom (A): 220A. Inschakeltijd ton [nsec.]: 23 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 130 ns. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 6.5V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 195W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

IGBT-transistor. RoHS: ja. Componentfamilie: IGBT-transistor. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: G30N60HS. Collector-emitterspanning Uce [V]: 600V. Collectorstroom Ic [A]: 41A. Maximale collectorstroom (A): 112A. Inschakeltijd ton [nsec.]: 16 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 122 ns. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 5V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 250W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

IGBT-transistor. RoHS: ja. Componentfamilie: IGBT-transistor. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247AC. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: SGW25N120. Collector-emitterspanning Uce [V]: 1.2 kV. Collectorstroom Ic [A]: 46A. Maximale collectorstroom (A): 84A. Inschakeltijd ton [nsec.]: 60 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 990 ns. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 5V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 313W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

IGBT-transistor. RoHS: ja. Componentfamilie: IGBT-transistor. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247AC. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: G30N60. Collector-emitterspanning Uce [V]: 600V. Collectorstroom Ic [A]: 41A. Maximale collectorstroom (A): 112A. Inschakeltijd ton [nsec.]: 53 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 389 ns. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 5V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 250W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

IGBT-transistor. RoHS: ja. Componentfamilie: IGBT-transistor. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247AC. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: G30N60HS. Collector-emitterspanning Uce [V]: 600V. Collectorstroom Ic [A]: 41A. Maximale collectorstroom (A): 112A. Inschakeltijd ton [nsec.]: 16 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 122 ns. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 5V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 250W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

IGBT-transistor. RoHS: ja. Componentfamilie: IGBT-transistor met ingebouwde snelle vrijloopdiode . Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: K30N60HS. Collector-emitterspanning Uce [V]: 600V. Collectorstroom Ic [A]: 41A. Maximale collectorstroom (A): 112A. Inschakeltijd ton [nsec.]: 20 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 250 ns. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 5V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 250W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

IGBT-transistor. C(inch): 2870pF. Kosten): 295pF. CE-diode: ja. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Trr-diode (min.): 45 ns. Functie: IGBT-transistor met ingebouwde snelle vrijloopdiode . Germaniumdiode: NINCS. Collectorstroom: 70A. Ic(puls): 220A. Ic(T=100°C): 38A. Markering op de kast: GW20NC60KD. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 250W. RoHS: ja. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 164 ns. Td(aan): 46 ns. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.1V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.7V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 4.5V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6.5V

IGBT-transistor. C(inch): 8000pF. Kosten): 280pF. CE-diode: ja. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Trr-diode (min.): 74 ns. Germaniumdiode: NINCS. Collectorstroom: 80A. Ic(puls): 240A. Ic(T=100°C): 60A. Markering op de kast: GW60V60DF. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 375W. RoHS: ja. Spec info: Trench gate field-stop IGBT, V series. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 216 ns. Td(aan): 57 ns. Behuizing: TO-247. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.85V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.3V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 5V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 7V