IGBT-transistor SGW30N60HS. Aantal aansluitingen: 3. Aantal aansluitingen: 3. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Behuizing (JEDEC-standaard): -. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Behuizing: TO-247. C(inch): 1500pF. CE-diode: nee. Collector piekstroom IP [a]: 112A. Collector-emitterspanning Uce [V]: 600V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Collectorstroom Ic [A]: 41A. Collectorstroom: 41A. Componentfamilie: IGBT-transistor. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 25. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Functie: Hoge snelheidsschakelen. Germaniumdiode: nee. Ic(T=100°C): 30A. Ic(puls): 112A. Inschakeltijd ton [nsec.]: 16 ns. Kanaaltype: N. Kosten): 200pF. Markering van de fabrikant: G30N60HS. Maximale dissipatie Ptot [W]: 250W. Maximale temperatuur: +150°C.. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 250W. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 5V. RoHS: ja. Spec info: bipolaire transistor met geïsoleerde poort (IGBT). Td(aan): 16 ns. Td(uit): 106 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 122 ns. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.9V. Origineel product van fabrikant: Infineon Technologies. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 08:14