IGBT-transistor STGW40NC60KD

IGBT-transistor STGW40NC60KD. IGBT-transistor. C(inch): 2870pF. Kosten): 295pF. CE-diode: ja. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Trr-diode (min.): 45 ns. Functie: IGBT-transistor met ingebouwde snelle vrijloopdiode . Germaniumdiode: NINCS. Collectorstroom: 70A. Ic(puls): 220A. Ic(T=100°C): 38A. Markering op de kast: GW20NC60KD. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 250W. RoHS: ja. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 164 ns. Td(aan): 46 ns. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.1V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.7V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 4.5V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6.5V. Origineel product van fabrikant Stmicroelectronics. Aantal op voorraad bijgewerkt op 26/07/2025, 17:25.