IGBT-transistor STGW40NC60KD. Aantal aansluitingen: 3. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Behuizing: TO-247. C(inch): 2870pF. CE-diode: ja. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Collectorstroom: 70A. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Functie: IGBT-transistor met ingebouwde snelle vrijloopdiode. Germaniumdiode: nee. Ic(T=100°C): 38A. Ic(puls): 220A. Kanaaltype: N. Kosten): 295pF. Markering op de kast: GW20NC60KD. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.7V. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 250W. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 4.5V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6.5V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. RoHS: ja. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. Td(aan): 46 ns. Td(uit): 164 ns. Trr-diode (min.): 45 ns. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.1V. Origineel product van fabrikant: Stmicroelectronics. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 06:54