IGBT-transistor STGW60V60DF

IGBT-transistor STGW60V60DF. IGBT-transistor. C(inch): 8000pF. Kosten): 280pF. CE-diode: ja. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Trr-diode (min.): 74 ns. Germaniumdiode: NINCS. Collectorstroom: 80A. Ic(puls): 240A. Ic(T=100°C): 60A. Markering op de kast: GW60V60DF. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 375W. RoHS: ja. Spec info: Trench gate field-stop IGBT, V series. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 216 ns. Td(aan): 57 ns. Behuizing: TO-247. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.85V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.3V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 5V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 7V. Origineel product van fabrikant Stmicroelectronics. Aantal op voorraad bijgewerkt op 26/07/2025, 13:25.