IGBT-transistor STGW60V60DF. Aantal aansluitingen: 3. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Behuizing: TO-247. C(inch): 8000pF. CE-diode: ja. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Collectorstroom: 80A. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Germaniumdiode: nee. Ic(T=100°C): 60A. Ic(puls): 240A. Kanaaltype: N. Kosten): 280pF. Markering op de kast: GW60V60DF. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.3V. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 375W. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 5V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 7V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. RoHS: ja. Spec info: Trench gate field-stop IGBT, V series. Td(aan): 57 ns. Td(uit): 216 ns. Trr-diode (min.): 74 ns. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.85V. Origineel product van fabrikant: Stmicroelectronics. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 06:54