IGBT-transistor SGW30N60
Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1+
11.78€
| Hoeveelheid in voorraad: 82 |
IGBT-transistor SGW30N60. Aantal aansluitingen: 3. Behuizing (JEDEC-standaard): -. Behuizing: TO-247AC. Collector piekstroom IP [a]: 112A. Collector-emitterspanning Uce [V]: 600V. Collectorstroom Ic [A]: 41A. Componentfamilie: IGBT-transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Inschakeltijd ton [nsec.]: 53 ns. Markering van de fabrikant: G30N60. Maximale dissipatie Ptot [W]: 250W. Maximale temperatuur: +150°C.. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 5V. RoHS: ja. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 389 ns. Origineel product van fabrikant: Infineon. Aantal op voorraad bijgewerkt op 02/11/2025, 20:53
SGW30N60
15 parameters
Aantal aansluitingen
3
Behuizing
TO-247AC
Collector piekstroom IP [a]
112A
Collector-emitterspanning Uce [V]
600V
Collectorstroom Ic [A]
41A
Componentfamilie
IGBT-transistor
Configuratie
PCB-doorvoermontage
Inschakeltijd ton [nsec.]
53 ns
Markering van de fabrikant
G30N60
Maximale dissipatie Ptot [W]
250W
Maximale temperatuur
+150°C.
Poortdoorslagspanning Ugs [V]
5V
RoHS
ja
Uitschakelvertraging tf[nsec.]
389 ns
Origineel product van fabrikant
Infineon