IGBT-transistor SGH80N60UFDTU
Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1+
14.73€
| Hoeveelheid in voorraad: 89 |
IGBT-transistor SGH80N60UFDTU. Aantal aansluitingen: 3. Behuizing (JEDEC-standaard): -. Behuizing: TO-3PN. Collector piekstroom IP [a]: 220A. Collector-emitterspanning Uce [V]: 600V. Collectorstroom Ic [A]: 80A. Componentfamilie: IGBT-transistor met ingebouwde snelle vrijloopdiode. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Inschakeltijd ton [nsec.]: 23 ns. Markering van de fabrikant: SGH80N60UF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 195W. Maximale temperatuur: +150°C.. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 6.5V. RoHS: ja. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 130 ns. Origineel product van fabrikant: Onsemi (fairchild). Aantal op voorraad bijgewerkt op 02/11/2025, 20:53
SGH80N60UFDTU
15 parameters
Aantal aansluitingen
3
Behuizing
TO-3PN
Collector piekstroom IP [a]
220A
Collector-emitterspanning Uce [V]
600V
Collectorstroom Ic [A]
80A
Componentfamilie
IGBT-transistor met ingebouwde snelle vrijloopdiode
Configuratie
PCB-doorvoermontage
Inschakeltijd ton [nsec.]
23 ns
Markering van de fabrikant
SGH80N60UF
Maximale dissipatie Ptot [W]
195W
Maximale temperatuur
+150°C.
Poortdoorslagspanning Ugs [V]
6.5V
RoHS
ja
Uitschakelvertraging tf[nsec.]
130 ns
Origineel product van fabrikant
Onsemi (fairchild)