P-kanaaltransistor, 4.7A, 10nA, SO, SO-8, 60V - SI9407BDY

P-kanaaltransistor, 4.7A, 10nA, SO, SO-8, 60V - SI9407BDY. P-kanaaltransistor, 4.7A, 10nA, SO, SO-8, 60V. ID (T=25°C): 4.7A. Idss (max): 10nA. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 600pF. Kosten): 70pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 30 ns. Type transistor: MOSFET. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 30A. Binnendiameter (T=100°C): 3.8A. ID s (min): 1nA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 3.2W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.10 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 35 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Origineel product van fabrikant Vishay. Aantal op voorraad bijgewerkt op 25/07/2025, 16:25.