P-kanaaltransistor, 130mA, 46.4k Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V - BSS84

P-kanaaltransistor, 130mA, 46.4k Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V - BSS84. P-kanaaltransistor, 130mA, 46.4k Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. ID (T=25°C): 130mA. Idss (max): 46.4k Ohms. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spanning Vds(max): 50V. C(inch): 25pF. Kosten): 15pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Direct interface to C-MOS, TTL, etc. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 520mA. Binnendiameter (T=100°C): 75mA. ID s (min): 10uA. Markering op de kast: 11W. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. Aan-weerstand Rds Aan: 6 Ohms. RoHS: ja. Spec info: zeefdruk/SMD-code 11W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 7 ns. Td(aan): 3 ns. Technologie: Verbeterende modus verticale D-MOS-transistor . Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 0.8V. Origineel product van fabrikant Yangjie Electronic Technology. Aantal op voorraad bijgewerkt op 25/07/2025, 17:25.