P-kanaaltransistor 2SJ598, 12A, 12A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V

P-kanaaltransistor 2SJ598, 12A, 12A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
5.76€
5-24
5.19€
25-49
4.69€
50+
4.24€
Verouderd product, wordt binnenkort uit de catalogus verwijderd
Geen voorraad meer

P-kanaaltransistor 2SJ598, 12A, 12A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 12A. Behuizing: TO-251 ( I-Pak ). Behuizing (volgens datablad): TO-251 ( I-Pak ). Spanning Vds(max): 60V. Aan-weerstand Rds Aan: 0.13 Ohms. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: diode. C(inch): 720pF. Functie: geïntegreerde beschermingsdiode. G-S-bescherming: ja. Id(imp): 30A. Kanaaltype: P. Kosten): 150pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 23W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Td(aan): 7 ns. Td(uit): 35 ns. Technologie: P-kanaal MOS-veldeffecttransistor. Trr-diode (min.): 50 ns. Type transistor: MOSFET. Origineel product van fabrikant: Nec. Aantal op voorraad bijgewerkt op 18/12/2025, 00:43

Technische documentatie (PDF)
2SJ598
25 parameters
ID (T=25°C)
12A
Idss (max)
12A
Behuizing
TO-251 ( I-Pak )
Behuizing (volgens datablad)
TO-251 ( I-Pak )
Spanning Vds(max)
60V
Aan-weerstand Rds Aan
0.13 Ohms
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
Bescherming afvoerbron
diode
C(inch)
720pF
Functie
geïntegreerde beschermingsdiode
G-S-bescherming
ja
Id(imp)
30A
Kanaaltype
P
Kosten)
150pF
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
23W
Poort-/bronspanning Vgs
20V
Td(aan)
7 ns
Td(uit)
35 ns
Technologie
P-kanaal MOS-veldeffecttransistor
Trr-diode (min.)
50 ns
Type transistor
MOSFET
Origineel product van fabrikant
Nec