P-kanaaltransistor AO4407A, SO, 9.2A, 50uA, SO-8, 30 v

P-kanaaltransistor AO4407A, SO, 9.2A, 50uA, SO-8, 30 v

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
0.59€
5-24
0.49€
25-49
0.42€
50-99
0.38€
100+
0.32€
+15 extra stuks beschikbaar op externe voorraad (levering binnen 4 uur). Neem contact met ons op voor prijzen en beschikbaarheid!
Hoeveelheid in voorraad: 190

P-kanaaltransistor AO4407A, SO, 9.2A, 50uA, SO-8, 30 v. Behuizing: SO. ID (T=25°C): 9.2A. Idss (max): 50uA. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 30 v. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0085 Ohms. Aantal aansluitingen: 8:1. Aantal per doos: 1. Aantal uitgangen: 1. Aanval: 30nC. Aftapstroom: -12A, -10A. Afvoerbronspanning: -30V. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: ja. Binnendiameter (T=100°C): 7.4A. C(inch): 2060pF. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 10uA. Id(imp): 60A. Kanaaltype: P. Kosten): 370pF. Let op: zeefdruk/SMD-code 4407A. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.7W. Polariteit: unipolair. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. RoHS: ja. Spanning: ±25V. Td(aan): 11 ns. Td(uit): 24 ns. Technologie: Verbeteringsmodus veldeffecttransistor. Trr-diode (min.): 30 ns. Type transistor: MOSFET. Vermogen: 2W. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1.7V. Origineel product van fabrikant: Alpha & Omega Semiconductors. Aantal op voorraad bijgewerkt op 16/12/2025, 20:35

Technische documentatie (PDF)
AO4407A
37 parameters
Behuizing
SO
ID (T=25°C)
9.2A
Idss (max)
50uA
Behuizing (volgens datablad)
SO-8
Spanning Vds(max)
30 v
Aan-weerstand Rds Aan
0.0085 Ohms
Aantal aansluitingen
8:1
Aantal per doos
1
Aantal uitgangen
1
Aanval
30nC
Aftapstroom
-12A, -10A
Afvoerbronspanning
-30V
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
Bescherming afvoerbron
ja
Binnendiameter (T=100°C)
7.4A
C(inch)
2060pF
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
10uA
Id(imp)
60A
Kanaaltype
P
Kosten)
370pF
Let op
zeefdruk/SMD-code 4407A
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Pd (vermogensdissipatie, max.)
1.7W
Polariteit
unipolair
Poort-/bronspanning Vgs
25V
RoHS
ja
Spanning
±25V
Td(aan)
11 ns
Td(uit)
24 ns
Technologie
Verbeteringsmodus veldeffecttransistor
Trr-diode (min.)
30 ns
Type transistor
MOSFET
Vermogen
2W
Vgs(th) max.
3V
Vgs(th) min.
1.7V
Origineel product van fabrikant
Alpha & Omega Semiconductors