P-kanaaltransistor 2SJ584, 4.5A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 250V

P-kanaaltransistor 2SJ584, 4.5A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 250V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
1.82€
5-24
1.50€
25-49
1.27€
50+
1.15€
Hoeveelheid in voorraad: 101

P-kanaaltransistor 2SJ584, 4.5A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 250V. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (max): 100uA. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 250V. Aan-weerstand Rds Aan: 0.95 Ohms. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: diode. C(inch): 450pF. Functie: Ultrahigh-Speed Switching, IDP 18App/10us. G-S-bescherming: ja. Id(imp): 18A. Kanaaltype: P. Kosten): 120pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Td(aan): 30 ns. Td(uit): 52 ns. Technologie: silicium MOSFET-transistor. Type transistor: MOSFET. Origineel product van fabrikant: Sanyo. Aantal op voorraad bijgewerkt op 18/12/2025, 00:43

Technische documentatie (PDF)
2SJ584
24 parameters
ID (T=25°C)
4.5A
Idss (max)
100uA
Behuizing
TO-220FP
Behuizing (volgens datablad)
TO-220FP
Spanning Vds(max)
250V
Aan-weerstand Rds Aan
0.95 Ohms
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
Bescherming afvoerbron
diode
C(inch)
450pF
Functie
Ultrahigh-Speed Switching, IDP 18App/10us
G-S-bescherming
ja
Id(imp)
18A
Kanaaltype
P
Kosten)
120pF
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
25W
Poort-/bronspanning Vgs
30 v
Td(aan)
30 ns
Td(uit)
52 ns
Technologie
silicium MOSFET-transistor
Type transistor
MOSFET
Origineel product van fabrikant
Sanyo