P-kanaaltransistor 2SJ512, 5A, 5A, TO-220FP, TO-220FP, 250V. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 5A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 250V. Aan-weerstand Rds Aan: 1 Ohm. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: diode. C(inch): 800pF. Functie: Enhancement Mode Low Drain-Bron On Resistance. G-S-bescherming: ja. Id(imp): 20A. Kanaaltype: P. Kosten): 250pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Td(aan): 35 ns. Td(uit): 70 ns. Technologie: Silicon P Chanel Mos Fet. Trr-diode (min.): 205 ns. Type transistor: MOSFET. Origineel product van fabrikant: Toshiba. Aantal op voorraad bijgewerkt op 18/12/2025, 00:43