Transistoren

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 300 MHz. Functie: algemeen gebruik. Maximale hFE-versterking: 800. Minimale hFE-versterking: 420. Collectorstroom: 0.1A. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23. Type transistor: NPN. Vcbo: 50V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.25V. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Vebo: 6V. Spec info: SMD 2G

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 125. Collectorstroom: 100mA. Ic(puls): 200mA. Markering op de kast: 3A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 80V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.075V. Collector-emitterspanning Vceo: 65V. Vebo: 5V. Spec info: zeefdruk/SMD-code 3A

Kosten): 4.5pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Maximale hFE-versterking: 475. Minimale hFE-versterking: 220. Collectorstroom: 100mA. Ic(puls): 200mA. Markering op de kast: 3B. Equivalenten: ON Semiconductor BC856BLT1G. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300mW. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 80V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.065V. Collector-emitterspanning Vceo: 65V. Vebo: 5V. Spec info: zeefdruk/SMD-code 3B. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 3B. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 65V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 3B. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 65V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.225W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SC-70. Behuizing (JEDEC-standaard): SOT-323. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 3B. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 65V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.2W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

Darlington-transistor?: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: algemeen gebruik. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 125. Collectorstroom: 100mA. Ic(puls): 200mA. Markering op de kast: 3E. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: °C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.075V. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: SMD 3E

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 3F. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.33W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Type transistor: PNP. Vcbo: 50V. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: SMD KO0 3F

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 3F. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: TSSOP6. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 6. Markering van de fabrikant: 3Ft. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 50V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.2W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: dubbele PNP-transistor

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-323. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 3F. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.2W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: algemeen gebruik. Maximale hFE-versterking: 800. Minimale hFE-versterking: 420. Collectorstroom: 100mA. Ic(puls): 200mA. Markering op de kast: 3 G. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.075V. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: zeefdruk/CMS-code 3G. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 3G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 3G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30 v. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 3L. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30 v. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.225W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: algemeen gebruik. Maximale hFE-versterking: 475. Minimale hFE-versterking: 220. Collectorstroom: 100mA. Ic(puls): 200mA. Markering op de kast: 3F. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Vebo: 5V. Spec info: SMD 3F

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: algemeen gebruik. Maximale hFE-versterking: 800. Minimale hFE-versterking: 420. Collectorstroom: 100mA. Ic(puls): 200mA. Markering op de kast: 3 G. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Vebo: 5V. Spec info: zeefdruk/SMD-code 3G/4C

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 4C. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30 v. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.225W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

C(inch): 10pF. Kosten): 4.5pF. Darlington-transistor?: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: algemeen gebruik. Maximale hFE-versterking: 800. Minimale hFE-versterking: 420. Collectorstroom: 0.1A. Let op: complementaire transistor (paar) BC850C. Markering op de kast: 4g. Aantal aansluitingen: 3. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Vermogen: 0.25W. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -68...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.075V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.65V. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: zeefdruk/SMD-code 4G. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 22pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 170 MHz. Maximale hFE-versterking: 375. Minimale hFE-versterking: 85. Collectorstroom: 2A. Ic(puls): 3A. Markering op de kast: CAC. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.35W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOT-89. Behuizing (volgens datablad): SOT89. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 32V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 20V. Vebo: 5V. Spec info: zeefdruk/SMD-code CAC. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 22pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 170 MHz. Maximale hFE-versterking: 375. Minimale hFE-versterking: 160. Collectorstroom: 2A. Ic(puls): 3A. Markering op de kast: CDC. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.35W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOT-89. Behuizing (volgens datablad): SOT89. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 32V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 20V. Vebo: 5V. Spec info: zeefdruk/SMD-code CDC. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-89. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: CEC. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 20V. Collectorstroom Ic [A], max.: 2A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 140 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.35W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Functie: NF/S. Maximale hFE-versterking: 2000. Minimale hFE-versterking: 1000. Collectorstroom: 1A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.8W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: PNP. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.3V. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Vebo: 5V

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: TSSOP6. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 6. Markering van de fabrikant: M1. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 250 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.3W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: paar NPN- en PNP-transistors

Kosten): 15pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 145 MHz. Functie: Audio-, telefonie- en automobieltoepassingen. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 100. Collectorstroom: 1A. Ic(puls): 2A. Markering op de kast: BCP51/16. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.35W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOT-223 ( TO-226 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-223. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 45V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BCP54-16. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS