Hoeveelheid (Set van 10) | excl. BTW | incl. BTW |
---|---|---|
1 - 4 | 0.61€ | 0.74€ |
5 - 8 | 0.58€ | 0.70€ |
Hoeveelheid (Set van 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.61€ | 0.74€ |
5 - 8 | 0.58€ | 0.70€ |
BC859B. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: algemeen gebruik. Maximale hFE-versterking: 475. Minimale hFE-versterking: 220. Collectorstroom: 100mA. Ic(puls): 200mA. Markering op de kast: 3F. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Vebo: 5V. Spec info: SMD 3F. Aantal op voorraad bijgewerkt op 19/01/2025, 23:25.
Informatie en technische hulp
Betaling en levering
Levering binnen 2-3 dagen, met posttracking!
Alle rechten voorbehouden, RPtronics, 2024.