Transistoren

Kosten): 15pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 145 MHz. Functie: Audio-, telefonie- en automobieltoepassingen. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 100. Collectorstroom: 1A. Ic(puls): 2A. Markering op de kast: BCP52/16. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.35W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOT-223 ( TO-226 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-223. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BCP55-16. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-264. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BCP53-10. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 1A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 120 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +155°C. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-261. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: AH-10. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 1.5A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 50 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor

Kosten): 25pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150MHz. Functie: Audio-, telefonie- en automobieltoepassingen. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 100. Collectorstroom: 1A. Ic(puls): 2A. Markering op de kast: BCP 5316. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOT-223 ( TO-226 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-223. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BCP56-16. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-261. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: AH. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 1A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 50 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-261. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Collectorstroom Ic [A], max.: 1.5A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 130 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-vermogenstransistor

Kosten): 6pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 180 MHz. Functie: Audio-, telefonie- en automobieltoepassingen. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 100. Collectorstroom: 1A. Ic(puls): 2A. Markering op de kast: BCP54/16. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.35W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOT-223 ( TO-226 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-223. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 45V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BCP51-16. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 25pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Functie: Audio-, telefonie- en automobieltoepassingen. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 100. Collectorstroom: 1A. Ic(puls): 2A. Markering op de kast: BCP 5516. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOT-223 ( TO-226 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-223. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 60V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BCP52-16. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-264. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BCP56-10. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 1A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 120 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +155°C. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-261. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BH-10. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 1A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 130 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-vermogenstransistor

Kosten): 6pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 180 MHz. Functie: Audio-, telefonie- en automobieltoepassingen. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 100. Collectorstroom: 1A. Ic(puls): 2A. Markering op de kast: BCP56/16. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.35W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOT-223 ( TO-226 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-223. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BCP53-16. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-261. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BH-10. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 1A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 130 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-vermogenstransistor

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-261. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BH. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 1A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 130 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-vermogenstransistor

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-261. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 20V. Collectorstroom Ic [A], max.: 1A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 60 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-261. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BCP69/25. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 20V. Collectorstroom Ic [A], max.: 2A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 140 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.35W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-261. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BCP69. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 20V. Collectorstroom Ic [A], max.: 2A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 140 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.35W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: XGs. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 50V. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.33W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor

Weerstand B: 10k Ohms. BE-weerstand: 10k Ohms. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: Transistor met ingebouwde voorspanningsweerstand. Minimale hFE-versterking: 70. Collectorstroom: 500mA. Markering op de kast: XCs. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.33W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Vebo: 1V. Spec info: zeefdruk/CMS-code XC s. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Weerstand B: 4.7k Ohms. BE-weerstand: 4.7k Ohms. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Functie: PNP silicium digitale transistor. Minimale hFE-versterking: 50. Collectorstroom: 500mA. Markering op de kast: XUs. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.33W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: XHs. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 50V. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 150 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.33W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

RoHS: NINCS. Componentfamilie: Darlington NPN-transistor. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-89. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-243. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: EF. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30 v. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 150 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Aantal per doos: 1. FT: 250 MHz. Maximale hFE-versterking: 800. Minimale hFE-versterking: 420. Collectorstroom: 100mA. Markering op de kast: 3Ls. Aantal aansluitingen: 4. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOT-143. Behuizing (volgens datablad): SOT-143. Type transistor: PNP & PNP. Vcbo: 30 v. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Functie: PNP silicium dubbele transistor. Spec info: zeefdruk/SMD-code 3Ls. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Maximale hFE-versterking: 500. Minimale hFE-versterking: 250. Collectorstroom: 0.1A. Let op: zeefdruk/SMD-code C2. Markering op de kast: C2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300mW. Type transistor: PNP. Vcbo: 32V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Collector-emitterspanning Vceo: 32V. Vebo: 5V

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 300 MHz. Collectorstroom: 0.1A. Let op: >420. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BCW60RC. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.2W