Hoeveelheid | excl. BTW | incl. BTW |
---|---|---|
1 - 9 | 0.32€ | 0.39€ |
10 - 24 | 0.31€ | 0.38€ |
25 - 49 | 0.29€ | 0.35€ |
50 - 99 | 0.28€ | 0.34€ |
100 - 249 | 0.27€ | 0.33€ |
250 - 256 | 0.24€ | 0.29€ |
Hoeveelheid | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.32€ | 0.39€ |
10 - 24 | 0.31€ | 0.38€ |
25 - 49 | 0.29€ | 0.35€ |
50 - 99 | 0.28€ | 0.34€ |
100 - 249 | 0.27€ | 0.33€ |
250 - 256 | 0.24€ | 0.29€ |
2N5210. Kosten): 4pF. Conditioneringseenheid: 2000. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 30 MHz. Maximale hFE-versterking: 600. Minimale hFE-versterking: 200. Collectorstroom: 100mA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.7V. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Vebo: 4.5V. Functie: HI-FI geluidsarme voorversterker. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 12/01/2025, 11:25.
Informatie en technische hulp
Betaling en levering
Levering binnen 2-3 dagen, met posttracking!
Alle rechten voorbehouden, RPtronics, 2024.