2SD1207

2SD1207. Kosten): 12pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Maximale hFE-versterking: 400. Minimale hFE-versterking: 200. Collectorstroom: 2A. Ic(puls): 4A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale vlakke silicium Darlington-transistor . Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Type transistor: NPN. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.15V. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Vebo: 6V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SB892. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 12/01/2025, 23:25.