Standaard- en gelijkrichterdiodes

Conditionering: plastic buis. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 40 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Diode zacht herstel . Voorwaartse stroom (AV): 70A. IFSM: 500A. MRI (max.): 2.5mA. MRI (min): 650uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 190W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AD. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 2.66V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.74V. VRRM: 1200V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 30. Spec info: 500Ap t=10ms, TVJ=45°C

Conditionering: plastic buis. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 40 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Diode zacht herstel . Voorwaartse stroom (AV): 60A. IFSM: 500A. MRI (max.): 2.5mA. MRI (min): 650uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 190W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Behuizing: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Behuizing (volgens datablad): ISOPLUS247. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 2.66V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.74V. VRRM: 1200V. Conditioneringseenheid: 10. Aantal aansluitingen: 2. Configuratie: geïsoleerde behuizing, zonder boren. Aantal per doos: 1. Spec info: 540Ap t=10ms, TVJ=45°C

Diëlektrische structuur: Gemeenschappelijke anode-kathode (middelpunt). Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Standard Rectifier. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AD. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.5V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.16V. VRRM: 1600V. Aantal per doos: 2. Aantal aansluitingen: 3. Spec info: centrale poot (kathode D1, anode D2, in serie)

Trr-diode (min.): 75 ns. Diversen: Hoogspanningsdemperdiode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: CRT Horizontal Deflection. Voorwaartse stroom (AV): 6A. Voorwaartse stroom (RMS): 15A. IFSM: 80A (tp=10ms). MRI (max.): 1mA. MRI (min): 100uA. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AC. Drempelspanning Vf (max): 2.3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.5V. VRRM: 1500V. Aantal aansluitingen: 2

Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 15A. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FPAC. VRRM: 1500V. Let op: IF(AV) 4A, Vf typ 1.5V. Let op: Hoogspanningsdemperdiode

Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 130 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 5A. IFSM: 75A. Temperatuur: +150°C. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Drempelspanning Vf (max): 1.5V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.1V. VRRM: 1500V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Spec info: IFSM--75Ap T=10mS

Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 0.8A. VRRM: 200V. Let op: SPEC.SONY DIODA. Let op: SONY 871904678

Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 1A. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DO-41. Behuizing (volgens datablad): DO-41 ( 2.6x4.9mm ). VRRM: 100V. Aantal aansluitingen: 2. Let op: 30Ap/8.3ms. Let op: Gelijkrichters met hoog rendement

Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 2A. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DO-15. Behuizing (volgens datablad): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 100V. Aantal aansluitingen: 2. Let op: Gl, S. Let op: 75Ap/8.3ms

Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 2A. Let op: Gl, S. Let op: 75Ap/8.3ms. Aantal aansluitingen: 2. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DO-15. Behuizing (volgens datablad): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 200V

Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 2A. Let op: Gl, S. Let op: 75Ap/8.3ms. Aantal aansluitingen: 2. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DO-15. Behuizing (volgens datablad): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 300V

Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 2A. Let op: Gl, S. Let op: 75Ap/8.3ms. Aantal aansluitingen: 2. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DO-15. Behuizing (volgens datablad): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 400V

Cj: 100pF. Trr-diode (min.): 50 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Ultra Fast Diode. Voorwaartse stroom (AV): 5A. IFSM: 150A. Let op: Gl, S. MRI (max.): 50uA. MRI (min): 5uA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DO-201. Behuizing (volgens datablad): DO-201AD. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.25V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1V. VRRM: 400V. Spec info: 150Ap / 8.3ms

Cj: 15pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 1A. IFSM: 30A. MRI (max.): 500uA. MRI (min): 5uA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DO-41. Behuizing (volgens datablad): DO-41 ( 5.2x2.7 ). Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.1V. VRRM: 1600V. Spec info: 30Ap

Cj: 15pF. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 2A. IFSM: 50A. MRI (max.): 300uA. MRI (min): 5uA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: DO-214. Behuizing (volgens datablad): SMB / DO214AA. Tr: 75 ns. Bedrijfstemperatuur: -50...+150°C. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.7V. VRRM: 600V

Cj: 20pF. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 3A. IFSM: 100A. MRI (max.): 300uA. MRI (min): 5uA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: DO-214. Behuizing (volgens datablad): SMC / DO214AB. Tr: 75 ns. Bedrijfstemperatuur: -50...+150°C. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.7V. VRRM: 600V

Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 0.5A. VRRM: 800V

Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: SAMSUNG. Let op: B29-04.79. VRRM: 400V

Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 5A. Let op: GI, S. VRRM: 200V

Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 3A. Let op: 9x7mm. Let op: MONITOR DAMP. Let op: D09.15. VRRM: 1500V

Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 1A. Let op: 30App/8,3 ms, ES1G SMD-markering. Aantal aansluitingen: 2. Behuizing: DO-214. Behuizing (volgens datablad): DO-214AC (SMA), 4.6x2.7mm. VRRM: 400V. Let op: Supersnelle gelijkrichterdiode voor opbouwmontage

Dubbele: Dubbele. Halfgeleidermateriaal: Sb. Voorwaartse stroom (AV): 30A. Let op: Schottky-diode. Let op: Ifsm--250A. Schottky-diode?: schottky. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. VRRM: 40V. Let op: dubbele siliciumdiode

Aantal per doos: 2. Diëlektrische structuur: Gemeenschappelijke anode-kathode (middelpunt). Trr-diode (min.): 0.15us. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Supersnelle gelijkrichter met laag verlies. Voorwaartse stroom (AV): 5A. IFSM: 80A. Let op: DAMPER +MODULATION. Markering op de kast: CO23M-15 (C023M-15). Aantal aansluitingen: 3. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): TO-3FP. Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.8V. VRRM: 1500V. Spec info: IFSM--50/80Ap, t=10mS. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Dubbele: Dubbele. Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 3A. Let op: ULTRA FAST ->l<-. Let op: Ifsm--50A/10mS. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. VRRM: 200V

Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 0.8A. Let op: GI, S. VRRM: 600V