Standaard- en gelijkrichterdiodes

Voorwaartse stroom (AV): 37A. IFSM: 375A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AD. VRRM: 600V. Conditionering: plastic buis. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 35 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snel herstel . Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale diode . Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.6V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.4V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 30. Spec info: 375Ap t=10ms, TVJ=150°C

Voorwaartse stroom (AV): 37A. IFSM: 375A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AD. VRRM: 1000V. Conditionering: plastic buis. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 35 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snel herstel . Pd (vermogensdissipatie, max.): 138W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale diode . Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 2.4V. Voorwaartse spanning Vf (min): 2V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 30. Spec info: 375Ap t=10ms, TVJ=150°C

Voorwaartse stroom (AV): 28A. IFSM: 200A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AD. VRRM: 1200V. Conditionering: plastic buis. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 40 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snel herstel . Pd (vermogensdissipatie, max.): 138W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale diode . Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 2.55V. Voorwaartse spanning Vf (min): 2.2V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 30. Spec info: 375Ap t=10ms, TVJ=150°C

Voorwaartse stroom (AV): 60A. IFSM: 500A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AD. VRRM: 1000V. Conditionering: plastic buis. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 35 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snel herstel . Pd (vermogensdissipatie, max.): 189W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale diode . Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 2.3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.8V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 30. Spec info: 450Ap t=10ms, TVJ=150°C

Voorwaartse stroom (AV): 52A. IFSM: 500A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AD. VRRM: 1200V. Conditionering: plastic buis. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 40 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snel herstel . Pd (vermogensdissipatie, max.): 189W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale diode . Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 2.55V. Voorwaartse spanning Vf (min): 2V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 30. Spec info: 450Ap t=10ms, TVJ=150°C

Voorwaartse stroom (AV): 30A. IFSM: 300A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AD. VRRM: 600V. Cj: ja. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 25. Diëlektrische structuur: gemeenschappelijke kathode. Trr-diode (min.): 35 ns. Dubbele: ja. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snel herstel . MRI (max.): 100uA. MRI (min): 50uA. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale diode (FRED) . Drempelspanning Vf (max): 1.6V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.4V. Aantal per doos: 2. Aantal aansluitingen: 3. Spec info: Ifsm--375Ap Tp--10uS

Voorwaartse stroom (AV): 15A. IFSM: 90A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AC. VRRM: 1200V. Conditionering: plastic buis. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 40 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Diode zacht herstel . MRI (max.): 0.5mA. MRI (min): 100uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 95W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 2.75V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.79V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. Spec info: 90Ap t=10ms, TVJ=45°C

Voorwaartse stroom (AV): 70A. IFSM: 500A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AD. VRRM: 1200V. Conditionering: plastic buis. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 40 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Diode zacht herstel . MRI (max.): 2.5mA. MRI (min): 650uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 190W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 2.66V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.74V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 30. Spec info: 500Ap t=10ms, TVJ=45°C

Voorwaartse stroom (AV): 60A. IFSM: 500A. Behuizing: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Behuizing (volgens datablad): ISOPLUS247. VRRM: 1200V. Conditionering: plastic buis. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 40 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Diode zacht herstel . MRI (max.): 2.5mA. MRI (min): 650uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 190W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 2.66V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.74V. Conditioneringseenheid: 10. Aantal aansluitingen: 2. Configuratie: geïsoleerde behuizing, zonder boren. Aantal per doos: 1. Spec info: 540Ap t=10ms, TVJ=45°C

Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AD. VRRM: 1600V. Diëlektrische structuur: Gemeenschappelijke anode-kathode (middelpunt). Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Standard Rectifier. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.5V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.16V. Aantal per doos: 2. Aantal aansluitingen: 3. Spec info: centrale poot (kathode D1, anode D2, in serie)

Voorwaartse stroom (AV): 6A. Voorwaartse stroom (RMS): 15A. IFSM: 80A (tp=10ms). Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AC. VRRM: 1500V. Trr-diode (min.): 75 ns. Diversen: Hoogspanningsdemperdiode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: CRT Horizontal Deflection. MRI (max.): 1mA. MRI (min): 100uA. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Drempelspanning Vf (max): 2.3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.5V. Aantal aansluitingen: 2

Voorwaartse stroom (AV): 15A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FPAC. VRRM: 1500V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Let op: IF(AV) 4A, Vf typ 1.5V. Let op: Hoogspanningsdemperdiode

Voorwaartse stroom (AV): 5A. IFSM: 75A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. VRRM: 1500V. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 130 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Temperatuur: +150°C. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Drempelspanning Vf (max): 1.5V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.1V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Spec info: IFSM--75Ap T=10mS

Voorwaartse stroom (AV): 0.8A. VRRM: 200V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: SPEC.SONY DIODA. Let op: SONY 871904678

Voorwaartse stroom (AV): 1A. Behuizing: DO-41. Behuizing (volgens datablad): DO-41 ( 2.6x4.9mm ). VRRM: 100V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 2. Let op: 30Ap/8.3ms. Let op: Gelijkrichters met hoog rendement

Voorwaartse stroom (AV): 2A. Behuizing: DO-15. Behuizing (volgens datablad): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 100V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 2. Let op: Gl, S. Let op: 75Ap/8.3ms

Voorwaartse stroom (AV): 2A. Behuizing: DO-15. Behuizing (volgens datablad): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 200V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: Gl, S. Let op: 75Ap/8.3ms. Aantal aansluitingen: 2. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage

Voorwaartse stroom (AV): 2A. Behuizing: DO-15. Behuizing (volgens datablad): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 300V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: Gl, S. Let op: 75Ap/8.3ms. Aantal aansluitingen: 2. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage

Voorwaartse stroom (AV): 2A. Behuizing: DO-15. Behuizing (volgens datablad): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 400V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: Gl, S. Let op: 75Ap/8.3ms. Aantal aansluitingen: 2. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage

Voorwaartse stroom (AV): 5A. IFSM: 150A. Behuizing: DO-201. Behuizing (volgens datablad): DO-201AD. VRRM: 400V. Cj: 100pF. Trr-diode (min.): 50 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Ultra Fast Diode. Let op: Gl, S. MRI (max.): 50uA. MRI (min): 5uA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.25V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1V. Spec info: 150Ap / 8.3ms

Voorwaartse stroom (AV): 1A. IFSM: 30A. Behuizing: DO-41. Behuizing (volgens datablad): DO-41 ( 5.2x2.7 ). VRRM: 1600V. Cj: 15pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. MRI (max.): 500uA. MRI (min): 5uA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.1V. Spec info: 30Ap

Voorwaartse stroom (AV): 2A. IFSM: 50A. Behuizing: DO-214. Behuizing (volgens datablad): SMB / DO214AA. VRRM: 600V. Cj: 15pF. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. MRI (max.): 300uA. MRI (min): 5uA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Tr: 75 ns. Bedrijfstemperatuur: -50...+150°C. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.7V

Voorwaartse stroom (AV): 3A. IFSM: 100A. Behuizing: DO-214. Behuizing (volgens datablad): SMC / DO214AB. VRRM: 600V. Cj: 20pF. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. MRI (max.): 300uA. MRI (min): 5uA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Tr: 75 ns. Bedrijfstemperatuur: -50...+150°C. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.7V

Voorwaartse stroom (AV): 0.5A. VRRM: 800V. Halfgeleidermateriaal: silicium

VRRM: 400V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: SAMSUNG. Let op: B29-04.79