Standaard- en gelijkrichterdiodes

Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AD. VRRM: 1600V. Aantal per doos: 2. Diëlektrische structuur: Gemeenschappelijke anode-kathode (middelpunt). Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Standard Rectifier. Aantal aansluitingen: 3. RoHS: ja. Spec info: centrale poot (kathode D1, anode D2, in serie). Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.5V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.16V

Voorwaartse stroom (AV): 6A. Voorwaartse stroom (RMS): 15A. IFSM: 80A (tp=10ms). Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AC. VRRM: 1500V. Trr-diode (min.): 75 ns. Diversen: Hoogspanningsdemperdiode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: CRT Horizontal Deflection. MRI (max.): 1mA. MRI (min): 100uA. Aantal aansluitingen: 2. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Drempelspanning Vf (max): 2.3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.5V

Voorwaartse stroom (AV): 15A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FPAC. VRRM: 1500V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: IF(AV) 4A, Vf typ 1.5V. Let op: Hoogspanningsdemperdiode. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage

Voorwaartse stroom (AV): 5A. IFSM: 75A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. VRRM: 1500V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 130 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Aantal aansluitingen: 2. Temperatuur: +150°C. Spec info: IFSM--75Ap T=10mS. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Drempelspanning Vf (max): 1.5V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.1V

Voorwaartse stroom (AV): 0.8A. VRRM: 200V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: SPEC.SONY DIODA. Let op: SONY 871904678

Voorwaartse stroom (AV): 1A. Behuizing: DO-41. Behuizing (volgens datablad): DO-41 ( 2.6x4.9mm ). VRRM: 100V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: Gelijkrichters met hoog rendement. Let op: 30Ap/8.3ms. Aantal aansluitingen: 2. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage

Voorwaartse stroom (AV): 2A. Behuizing: DO-15. Behuizing (volgens datablad): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 100V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: Gl, S. Let op: 75Ap/8.3ms. Aantal aansluitingen: 2. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage

Voorwaartse stroom (AV): 2A. Behuizing: DO-15. Behuizing (volgens datablad): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 200V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: Gl, S. Let op: 75Ap/8.3ms. Aantal aansluitingen: 2. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage

Voorwaartse stroom (AV): 2A. Behuizing: DO-15. Behuizing (volgens datablad): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 300V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: Gl, S. Let op: 75Ap/8.3ms. Aantal aansluitingen: 2. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage

Voorwaartse stroom (AV): 2A. Behuizing: DO-15. Behuizing (volgens datablad): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 400V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: Gl, S. Let op: 75Ap/8.3ms. Aantal aansluitingen: 2. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage

Voorwaartse stroom (AV): 5A. IFSM: 150A. Behuizing: DO-201. Behuizing (volgens datablad): DO-201AD. VRRM: 400V. Cj: 100pF. Trr-diode (min.): 50 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Ultra Fast Diode. Let op: Gl, S. MRI (max.): 50uA. MRI (min): 5uA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: 150Ap / 8.3ms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.25V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1V

Voorwaartse stroom (AV): 1A. IFSM: 30A. Behuizing: DO-41. Behuizing (volgens datablad): DO-41 ( 5.2x2.7 ). VRRM: 1600V. Cj: 15pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. MRI (max.): 500uA. MRI (min): 5uA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: 30Ap. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.1V

Voorwaartse stroom (AV): 2A. IFSM: 50A. Behuizing: DO-214. Behuizing (volgens datablad): SMB / DO214AA. VRRM: 600V. Cj: 15pF. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. MRI (max.): 300uA. MRI (min): 5uA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Tr: 75 ns. Bedrijfstemperatuur: -50...+150°C. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.7V

Voorwaartse stroom (AV): 3A. IFSM: 100A. Behuizing: DO-214. Behuizing (volgens datablad): SMC / DO214AB. VRRM: 600V. Cj: 20pF. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. MRI (max.): 300uA. MRI (min): 5uA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Tr: 75 ns. Bedrijfstemperatuur: -50...+150°C. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.7V

Voorwaartse stroom (AV): 0.5A. VRRM: 800V. Halfgeleidermateriaal: silicium

VRRM: 400V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: SAMSUNG. Let op: B29-04.79

Voorwaartse stroom (AV): 5A. VRRM: 200V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: GI, S

Voorwaartse stroom (AV): 3A. VRRM: 1500V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: 9x7mm. Let op: MONITOR DAMP. Let op: D09.15

Voorwaartse stroom (AV): 1A. Behuizing: DO-214. Behuizing (volgens datablad): DO-214AC (SMA), 4.6x2.7mm. VRRM: 400V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: Supersnelle gelijkrichterdiode voor opbouwmontage. Let op: 30App/8,3 ms, ES1G SMD-markering. Aantal aansluitingen: 2

Voorwaartse stroom (AV): 30A. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. VRRM: 40V. Dubbele: Dubbele. Halfgeleidermateriaal: Sb. Let op: dubbele siliciumdiode. Let op: Schottky-diode. Let op: Ifsm--250A. Schottky-diode?: schottky. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage

Voorwaartse stroom (AV): 5A. IFSM: 80A. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Behuizing (volgens datablad): TO-3FP. VRRM: 1500V. Aantal per doos: 2. Diëlektrische structuur: Gemeenschappelijke anode-kathode (middelpunt). Trr-diode (min.): 0.15us. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Supersnelle gelijkrichter met laag verlies. Let op: DAMPER +MODULATION. Markering op de kast: CO23M-15 (C023M-15). Aantal aansluitingen: 3. Spec info: IFSM--50/80Ap, t=10mS. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.8V

Voorwaartse stroom (AV): 3A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. VRRM: 200V. Dubbele: Dubbele. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: ULTRA FAST ->l<-. Let op: Ifsm--50A/10mS. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage

Voorwaartse stroom (AV): 0.8A. VRRM: 600V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: GI, S

Voorwaartse stroom (AV): 6A. IFSM: 100A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB ( SOT78 ). VRRM: 200V. Cj: 55pF. Aantal per doos: 2. Diëlektrische structuur: gemeenschappelijke kathode. Trr-diode (min.): 150 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Dubbele snelle hersteldiode. Let op: gemeenschappelijke kathode. MRI (max.): 100uA. MRI (min): 5uA. Aantal aansluitingen: 3. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 100A (t=10ms). Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.3V

Voorwaartse stroom (AV): 1A. Behuizing (volgens datablad): TS-1 ( 2.5x3.3mm ). VRRM: 400V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: 30Ap/8.3ms