Standaard- en gelijkrichterdiodes

Diëlektrische structuur: behuizing verbonden met de anode. Functie: vermogensdiode. Voorwaartse stroom (AV): 40A. IFSM: 600A. Busschroefdraad: M6. Montage/installatie: schroef. Behuizing: DO-5. Behuizing (volgens datablad): DO-5P. Bedrijfstemperatuur: -25...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.4V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1V. VRRM: 800V. Gebruikt voor: kan ook gebruikt worden voor zonnepaneelsystemen. Spec info: 600App/10ms

Behuizing: DO-205. Behuizing (volgens datablad): DO-205AC. Let op: Omgekeerde DO-8P, M12-schroefdraad. Let op: Schroefdraadbehuizing Anode, (hoge stroom). Gebruikt voor: kan ook gebruikt worden voor zonnepaneelsystemen

Conditionering: plastic buis. Trr-diode (min.): 4us. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snelle herstelgelijkrichters . Voorwaartse stroom (AV): 15.9A. IFSM: 300A. Temperatuur: +125°C. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP-3. Bedrijfstemperatuur: -40...+125°C. Drempelspanning Vf (max): 1.6V. VRRM: 600V. Aantal aansluitingen: 3. Conditioneringseenheid: 50

Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 4us. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Ultra Fast Recovery Rectifiers. Voorwaartse stroom (AV): 20A. IFSM: 255A. MRI (max.): 500uA. MRI (min): 20uA. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220L. Bedrijfstemperatuur: -40...+125°C. Drempelspanning Vf (max): 1.6V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.6V. VRRM: 800V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: trr 4us (IF=0.9A, IR=1.5A)

Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 4us. Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 25A. IFSM: 350A. MRI (max.): 500uA. MRI (min): 10uA. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB ( SOT78 ). Bedrijfstemperatuur: -40...+125°C. Drempelspanning Vf (max): 1.6V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.6V. VRRM: 800V. Aantal aansluitingen: 3. Let op: kathode (1), anode (2), niet aangesloten (3). Let op: geïsoleerd TO220-pakket. Aantal per doos: 1. Functie: trr 4us (IF=0.9A, IR=1.5A). Spec info: 350Ap

Dubbele: Dubbele. Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 0.2A. Markering op de kast: UMD3. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOT-323. Behuizing (volgens datablad): SOT-323. VRRM: 20V. Let op: Ultra High Speed Switching. Let op: zeefdruk/CMS-code UMD3

Cj: 1.8pF. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 150 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: hoogspanningsgelijkrichterdiode. Voorwaartse stroom (AV): 20mA. IFSM: 500mA. MRI (min): 5uA. Afmetingen: 3x12mm. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): 3x12mm. Ontvlambaarheidsklasse: UL94V-0. Bedrijfstemperatuur: -50...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 40V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. VRRM: 12000V

Cj: 1.8pF. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 150 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: hoogspanningsgelijkrichterdiode. Voorwaartse stroom (AV): 20mA. IFSM: 500mA. MRI (min): 5uA. Afmetingen: 3x12mm. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): 3x12mm. Ontvlambaarheidsklasse: UL94V-0. Bedrijfstemperatuur: -50...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 40V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. VRRM: 16000V

Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 5A. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. VRRM: 1500V. Let op: Ultrahigh-Definition Display Applications. Let op: 50App/10ms, Silicon Diffused Junction Type

Cj: 90pF. Diëlektrische structuur: gemeenschappelijke kathode. Trr-diode (min.): 30 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: hoog rendement ultrasnelle diode. Voorwaartse stroom (AV): 20A. IFSM: 180A. Markering op de kast: 20LC30. Temperatuur: +150°C. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): TO-263. Drempelspanning Vf (max): 1.3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1V. VRRM: 300V. Aantal per doos: 2. Aantal aansluitingen: 3. Spec info: IFSM--180Ap (1cycle)

Cj: 40pF. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 20us. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: DIODE-RECTIFIER. Voorwaartse stroom (AV): 3A. IFSM: 100A. MRI (max.): 100uA. MRI (min): 5uA. Markering op de kast: DGP30L. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DO-201. Behuizing (volgens datablad): DO-201AD. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.2V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.2V. VRRM: 1500V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Spec info: Ifsm 100Ap

Dubbele: Dubbele. Halfgeleidermateriaal: silicium. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): T0-220FPAB. VRRM: 1500V. Let op: DAMPER +MODULATION. Let op: dubbele siliciumdiode

Dubbele: Dubbele. Halfgeleidermateriaal: silicium. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): T0-220AB. VRRM: 1500V. Let op: DAMPER +MODULATION. Let op: dubbele siliciumdiode

Conditionering: plastic buis. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 50 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snel herstel . Voorwaartse stroom (AV): 11A. IFSM: 75A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 78W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale diode . Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AC. Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 2.6V. Voorwaartse spanning Vf (min): 2.2A. VRRM: 1200V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. Spec info: 75Ap t=10ms, TVJ=150°C

Conditionering: plastic buis. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 40 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snel herstel . Voorwaartse stroom (AV): 100A. IFSM: 600A. MRI (max.): 20mA. MRI (min): 1.5mA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 357W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale diode (FRED) . Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AD. Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.8V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.55V. VRRM: 1200V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 30. Spec info: 540Ap t=10ms, TVJ=150°C

Conditionering: plastic buis. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 35 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 2x96A. IFSM: 1200A. MRI (max.): 20mA. MRI (min): 1mA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 250W. RoHS: ja. Montage/installatie: schroef. Technologie: Epitaxiale diode . Behuizing: ISOTOP ( SOT227B ). Behuizing (volgens datablad): ISOTOP ( SOT227B ). Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.25V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.17V. VRRM: 600V. Conditioneringseenheid: 10. Aantal per doos: 2. Aantal aansluitingen: 4. Functie: dubbele snelle hersteldiode. Spec info: 1200Ap t=10ms, TVJ=45°C, 1080Ap t=10ms, TVJ=150°C

Conditionering: plastic buis. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 40 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 2x91A. IFSM: 900A. MRI (max.): 15mA. MRI (min): 1.5mA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 250W. Levertijd: KB. Montage/installatie: schroef. Technologie: Epitaxiale diode . Behuizing: ISOTOP ( SOT227B ). Behuizing (volgens datablad): ISOTOP ( SOT227B ). Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.87V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.61V. VRRM: 1200V. Conditioneringseenheid: 10. Aantal per doos: 2. Let op: epitaxiale diode, hoge stroom. Let op: 900App/10ms, 45°C. Functie: dubbele snelle hersteldiode. Spec info: 810Ap t=10ms, TVJ=150°C

Conditionering: plastic buis. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 35 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 2x123A. IFSM: 1200A. MRI (max.): 20mA. MRI (min): 1mA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 357W. RoHS: ja. Montage/installatie: schroef. Technologie: Epitaxiale diode . Behuizing: ISOTOP ( SOT227B ). Behuizing (volgens datablad): ISOTOP ( SOT227B ). Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.89V. VRRM: 200V. Conditioneringseenheid: 10. Aantal per doos: 2. Aantal aansluitingen: 4. Functie: dubbele snelle hersteldiode. Spec info: 1080Ap t=10ms, TVJ=150°C

Conditionering: plastic buis. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 35 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snel herstel . Voorwaartse stroom (AV): 37A. IFSM: 375A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale diode . Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AD. Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.6V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.4V. VRRM: 600V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 30. Spec info: 375Ap t=10ms, TVJ=150°C

Conditionering: plastic buis. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 35 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snel herstel . Voorwaartse stroom (AV): 37A. IFSM: 375A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 138W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale diode . Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AD. Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 2.4V. Voorwaartse spanning Vf (min): 2V. VRRM: 1000V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 30. Spec info: 375Ap t=10ms, TVJ=150°C

Conditionering: plastic buis. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 40 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snel herstel . Voorwaartse stroom (AV): 28A. IFSM: 200A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 138W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale diode . Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AD. Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 2.55V. Voorwaartse spanning Vf (min): 2.2V. VRRM: 1200V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 30. Spec info: 375Ap t=10ms, TVJ=150°C

Conditionering: plastic buis. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 35 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snel herstel . Voorwaartse stroom (AV): 60A. IFSM: 500A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 189W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale diode . Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AD. Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 2.3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.8V. VRRM: 1000V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 30. Spec info: 450Ap t=10ms, TVJ=150°C

Conditionering: plastic buis. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 40 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snel herstel . Voorwaartse stroom (AV): 52A. IFSM: 500A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 189W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale diode . Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AD. Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 2.55V. Voorwaartse spanning Vf (min): 2V. VRRM: 1200V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 30. Spec info: 450Ap t=10ms, TVJ=150°C

Cj: ja. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 25. Diëlektrische structuur: gemeenschappelijke kathode. Trr-diode (min.): 35 ns. Dubbele: ja. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snel herstel . Voorwaartse stroom (AV): 30A. IFSM: 300A. MRI (max.): 100uA. MRI (min): 50uA. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale diode (FRED) . Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AD. Drempelspanning Vf (max): 1.6V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.4V. VRRM: 600V. Aantal per doos: 2. Aantal aansluitingen: 3. Spec info: Ifsm--375Ap Tp--10uS

Conditionering: plastic buis. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 40 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Diode zacht herstel . Voorwaartse stroom (AV): 15A. IFSM: 90A. MRI (max.): 0.5mA. MRI (min): 100uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 95W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AC. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 2.75V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.79V. VRRM: 1200V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. Spec info: 90Ap t=10ms, TVJ=45°C