Standaard- en gelijkrichterdiodes

Voorwaartse stroom (AV): 15A. IFSM: 150A. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. VRRM: 40V. Aantal per doos: 2. Diëlektrische structuur: gemeenschappelijke kathode. Trr-diode (min.): 100 ns. Halfgeleidermateriaal: Sb. Functie: Schottky-diode. Aantal aansluitingen: 3. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 0.55V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.55V. Spec info: Ifsm 150A (50Hz), Vf max 0.55V

Voorwaartse stroom (AV): 30A. IFSM: 300A. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. VRRM: 40V. Aantal per doos: 2. Diëlektrische structuur: gemeenschappelijke kathode. Trr-diode (min.): 100 ns. Halfgeleidermateriaal: Sb. Functie: Schottky-diode. Aantal aansluitingen: 3. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 0.55V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.55V. Spec info: Ifsm--300A (50Hz), Vf max--0.55V

Let op: Uf 0.98V. Let op: Ifsm--65App. Let op: Ultrasnelle hersteldiode

Voorwaartse stroom (AV): 5A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. VRRM: 200V. Diëlektrische structuur: gemeenschappelijke kathode. Dubbele: Dubbele. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: ULTRA FAST DUAL DIODE. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Aantal per doos: 2. Aantal aansluitingen: 3. Let op: ULTRA FAST. Let op: Ifsm--50A10mS. Spec info: IFSM--50A t=10mS

Voorwaartse stroom (AV): 20A. IFSM: 275A. Behuizing: DO-4. Behuizing (volgens datablad): DO-4P. VRRM: 600V. Diëlektrische structuur: behuizing verbonden met de kathode. Functie: vermogensdiode. Busschroefdraad: M5. Gewicht: 6g. Montage/installatie: schroef. Bedrijfstemperatuur: -25...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.5V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.1V. Gebruikt voor: kan ook gebruikt worden voor zonnepaneelsystemen. Spec info: 275App/10ms

Voorwaartse stroom (AV): 20A. IFSM: 275A. Behuizing: DO-4. Behuizing (volgens datablad): DO-4P. VRRM: 600V. Diëlektrische structuur: behuizing verbonden met de anode. Functie: vermogensdiode. Busschroefdraad: M5. Gewicht: 6g. Montage/installatie: schroef. Bedrijfstemperatuur: -25...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.5V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.1V. Spec info: 275App/10ms

Voorwaartse stroom (AV): 40A. IFSM: 600A. Behuizing: DO-5. Behuizing (volgens datablad): DO-5P. VRRM: 800V. Diëlektrische structuur: behuizing verbonden met de kathode. Functie: vermogensdiode. Busschroefdraad: M6. Montage/installatie: schroef. Bedrijfstemperatuur: -25...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.4V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1V. Gebruikt voor: kan ook gebruikt worden voor zonnepaneelsystemen. Spec info: 600App/10ms

Voorwaartse stroom (AV): 40A. IFSM: 600A. Behuizing: DO-5. Behuizing (volgens datablad): DO-5P. VRRM: 800V. Diëlektrische structuur: behuizing verbonden met de anode. Functie: vermogensdiode. Busschroefdraad: M6. Montage/installatie: schroef. Bedrijfstemperatuur: -25...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.4V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1V. Gebruikt voor: kan ook gebruikt worden voor zonnepaneelsystemen. Spec info: 600App/10ms

Behuizing: DO-205. Behuizing (volgens datablad): DO-205AC. Let op: Omgekeerde DO-8P, M12-schroefdraad. Let op: Schroefdraadbehuizing Anode, (hoge stroom). Gebruikt voor: kan ook gebruikt worden voor zonnepaneelsystemen

Voorwaartse stroom (AV): 15.9A. IFSM: 300A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP-3. VRRM: 600V. Conditionering: plastic buis. Trr-diode (min.): 4us. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snelle herstelgelijkrichters . Temperatuur: +125°C. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -40...+125°C. Drempelspanning Vf (max): 1.6V. Aantal aansluitingen: 3. Conditioneringseenheid: 50

Voorwaartse stroom (AV): 20A. IFSM: 255A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220L. VRRM: 800V. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 4us. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Ultra Fast Recovery Rectifiers. MRI (max.): 500uA. MRI (min): 20uA. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -40...+125°C. Drempelspanning Vf (max): 1.6V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.6V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: trr 4us (IF=0.9A, IR=1.5A)

Voorwaartse stroom (AV): 25A. IFSM: 350A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB ( SOT78 ). VRRM: 800V. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 4us. Halfgeleidermateriaal: silicium. MRI (max.): 500uA. MRI (min): 10uA. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -40...+125°C. Drempelspanning Vf (max): 1.6V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.6V. Aantal aansluitingen: 3. Let op: kathode (1), anode (2), niet aangesloten (3). Let op: geïsoleerd TO220-pakket. Aantal per doos: 1. Functie: trr 4us (IF=0.9A, IR=1.5A). Spec info: 350Ap

Voorwaartse stroom (AV): 0.2A. Behuizing: SOT-323. Behuizing (volgens datablad): SOT-323. VRRM: 20V. Dubbele: Dubbele. Halfgeleidermateriaal: silicium. Markering op de kast: UMD3. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Let op: Ultra High Speed Switching. Let op: zeefdruk/CMS-code UMD3

Voorwaartse stroom (AV): 20mA. IFSM: 500mA. Behuizing (volgens datablad): 3x12mm. VRRM: 12000V. Cj: 1.8pF. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 150 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: hoogspanningsgelijkrichterdiode. MRI (min): 5uA. Afmetingen: 3x12mm. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Ontvlambaarheidsklasse: UL94V-0. Bedrijfstemperatuur: -50...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 40V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1

Voorwaartse stroom (AV): 20mA. IFSM: 500mA. Behuizing (volgens datablad): 3x12mm. VRRM: 16000V. Cj: 1.8pF. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 150 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: hoogspanningsgelijkrichterdiode. MRI (min): 5uA. Afmetingen: 3x12mm. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Ontvlambaarheidsklasse: UL94V-0. Bedrijfstemperatuur: -50...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 40V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1

Voorwaartse stroom (AV): 5A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. VRRM: 1500V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Let op: Ultrahigh-Definition Display Applications. Let op: 50App/10ms, Silicon Diffused Junction Type

Voorwaartse stroom (AV): 20A. IFSM: 180A. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): TO-263. VRRM: 300V. Cj: 90pF. Diëlektrische structuur: gemeenschappelijke kathode. Trr-diode (min.): 30 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: hoog rendement ultrasnelle diode. Markering op de kast: 20LC30. Temperatuur: +150°C. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Drempelspanning Vf (max): 1.3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1V. Aantal per doos: 2. Aantal aansluitingen: 3. Spec info: IFSM--180Ap (1cycle)

Voorwaartse stroom (AV): 3A. IFSM: 100A. Behuizing: DO-201. Behuizing (volgens datablad): DO-201AD. VRRM: 1500V. Cj: 40pF. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 20us. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: DIODE-RECTIFIER. MRI (max.): 100uA. MRI (min): 5uA. Markering op de kast: DGP30L. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.2V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.2V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Spec info: Ifsm 100Ap

Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): T0-220FPAB. VRRM: 1500V. Dubbele: Dubbele. Halfgeleidermateriaal: silicium. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Let op: DAMPER +MODULATION. Let op: dubbele siliciumdiode

Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): T0-220AB. VRRM: 1500V. Dubbele: Dubbele. Halfgeleidermateriaal: silicium. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Let op: DAMPER +MODULATION. Let op: dubbele siliciumdiode

Voorwaartse stroom (AV): 11A. IFSM: 75A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AC. VRRM: 1200V. Conditionering: plastic buis. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 50 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snel herstel . Pd (vermogensdissipatie, max.): 78W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale diode . Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 2.6V. Voorwaartse spanning Vf (min): 2.2A. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. Spec info: 75Ap t=10ms, TVJ=150°C

Voorwaartse stroom (AV): 100A. IFSM: 600A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AD. VRRM: 1200V. Conditionering: plastic buis. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 40 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snel herstel . MRI (max.): 20mA. MRI (min): 1.5mA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 357W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale diode (FRED) . Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.8V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.55V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 30. Spec info: 540Ap t=10ms, TVJ=150°C

Voorwaartse stroom (AV): 2x96A. IFSM: 1200A. Behuizing: ISOTOP ( SOT227B ). Behuizing (volgens datablad): ISOTOP ( SOT227B ). VRRM: 600V. Conditionering: plastic buis. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 35 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. MRI (max.): 20mA. MRI (min): 1mA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 250W. RoHS: ja. Montage/installatie: schroef. Technologie: Epitaxiale diode . Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.25V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.17V. Conditioneringseenheid: 10. Aantal per doos: 2. Aantal aansluitingen: 4. Functie: dubbele snelle hersteldiode. Spec info: 1200Ap t=10ms, TVJ=45°C, 1080Ap t=10ms, TVJ=150°C

Voorwaartse stroom (AV): 2x91A. IFSM: 900A. Behuizing: ISOTOP ( SOT227B ). Behuizing (volgens datablad): ISOTOP ( SOT227B ). VRRM: 1200V. Conditionering: plastic buis. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 40 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. MRI (max.): 15mA. MRI (min): 1.5mA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 250W. Levertijd: KB. Montage/installatie: schroef. Technologie: Epitaxiale diode . Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.87V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.61V. Conditioneringseenheid: 10. Aantal per doos: 2. Let op: epitaxiale diode, hoge stroom. Let op: 900App/10ms, 45°C. Functie: dubbele snelle hersteldiode. Spec info: 810Ap t=10ms, TVJ=150°C

Voorwaartse stroom (AV): 2x123A. IFSM: 1200A. Behuizing: ISOTOP ( SOT227B ). Behuizing (volgens datablad): ISOTOP ( SOT227B ). VRRM: 200V. Conditionering: plastic buis. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 35 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. MRI (max.): 20mA. MRI (min): 1mA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 357W. RoHS: ja. Montage/installatie: schroef. Technologie: Epitaxiale diode . Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.89V. Conditioneringseenheid: 10. Aantal per doos: 2. Aantal aansluitingen: 4. Functie: dubbele snelle hersteldiode. Spec info: 1080Ap t=10ms, TVJ=150°C