Standaard- en gelijkrichterdiodes

Voorwaartse stroom (AV): 15.9A. IFSM: 300A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP-3. VRRM: 600V. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Trr-diode (min.): 4us. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snelle herstelgelijkrichters . Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +125°C. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -40...+125°C. Drempelspanning Vf (max): 1.6V

Voorwaartse stroom (AV): 20A. IFSM: 255A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220L. VRRM: 800V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 4us. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Ultra Fast Recovery Rectifiers. MRI (max.): 500uA. MRI (min): 20uA. Aantal aansluitingen: 3. Spec info: trr 4us (IF=0.9A, IR=1.5A). Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -40...+125°C. Drempelspanning Vf (max): 1.6V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.6V

Voorwaartse stroom (AV): 25A. IFSM: 350A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB ( SOT78 ). VRRM: 800V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 4us. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: trr 4us (IF=0.9A, IR=1.5A). Let op: kathode (1), anode (2), niet aangesloten (3). Let op: geïsoleerd TO220-pakket. MRI (max.): 500uA. MRI (min): 10uA. Aantal aansluitingen: 3. RoHS: ja. Spec info: 350Ap. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -40...+125°C. Drempelspanning Vf (max): 1.6V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.6V

Voorwaartse stroom (AV): 0.2A. Behuizing: SOT-323. Behuizing (volgens datablad): SOT-323. VRRM: 20V. Dubbele: Dubbele. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: Ultra High Speed Switching. Let op: zeefdruk/CMS-code UMD3. Markering op de kast: UMD3. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD)

Voorwaartse stroom (AV): 20mA. IFSM: 500mA. Behuizing (volgens datablad): 3x12mm. VRRM: 12000V. Cj: 1.8pF. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 150 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: hoogspanningsgelijkrichterdiode. MRI (min): 5uA. Afmetingen: 3x12mm. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Ontvlambaarheidsklasse: UL94V-0. Bedrijfstemperatuur: -50...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 40V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1

Voorwaartse stroom (AV): 20mA. IFSM: 500mA. Behuizing (volgens datablad): 3x12mm. VRRM: 16000V. Cj: 1.8pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 150 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: hoogspanningsgelijkrichterdiode. MRI (min): 5uA. Aantal aansluitingen: 2. Afmetingen: 3x12mm. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Ontvlambaarheidsklasse: UL94V-0. Bedrijfstemperatuur: -50...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 40V

Voorwaartse stroom (AV): 5A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. VRRM: 1500V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: Ultrahigh-Definition Display Applications. Let op: 50App/10ms, Silicon Diffused Junction Type. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage

Voorwaartse stroom (AV): 20A. IFSM: 180A. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): TO-263. VRRM: 300V. Cj: 90pF. Aantal per doos: 2. Diëlektrische structuur: gemeenschappelijke kathode. Trr-diode (min.): 30 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: hoog rendement ultrasnelle diode. Markering op de kast: 20LC30. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. RoHS: ja. Spec info: IFSM--180Ap (1cycle). Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Drempelspanning Vf (max): 1.3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1V

Voorwaartse stroom (AV): 3A. IFSM: 100A. Behuizing: DO-201. Behuizing (volgens datablad): DO-201AD. VRRM: 1500V. Cj: 40pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 20us. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: DIODE-RECTIFIER. MRI (max.): 100uA. MRI (min): 5uA. Markering op de kast: DGP30L. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 100Ap. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.2V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.2V

Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): T0-220FPAB. VRRM: 1500V. Dubbele: Dubbele. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: dubbele siliciumdiode. Let op: DAMPER +MODULATION. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage

Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): T0-220AB. VRRM: 1500V. Dubbele: Dubbele. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: dubbele siliciumdiode. Let op: DAMPER +MODULATION. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage

Voorwaartse stroom (AV): 11A. IFSM: 75A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AC. VRRM: 1200V. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 50 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snel herstel . Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 78W. RoHS: ja. Spec info: 75Ap t=10ms, TVJ=150°C. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale diode . Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 2.6V. Voorwaartse spanning Vf (min): 2.2A

Voorwaartse stroom (AV): 100A. IFSM: 600A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AD. VRRM: 1200V. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 40 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snel herstel . MRI (max.): 20mA. MRI (min): 1.5mA. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 357W. RoHS: ja. Spec info: 540Ap t=10ms, TVJ=150°C. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale diode (FRED) . Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.8V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.55V

Voorwaartse stroom (AV): 2x96A. IFSM: 1200A. Behuizing: ISOTOP ( SOT227B ). Behuizing (volgens datablad): ISOTOP ( SOT227B ). VRRM: 600V. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 10. Aantal per doos: 2. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 35 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: dubbele snelle hersteldiode. MRI (max.): 20mA. MRI (min): 1mA. Aantal aansluitingen: 4. Pd (vermogensdissipatie, max.): 250W. RoHS: ja. Spec info: 1200Ap t=10ms, TVJ=45°C, 1080Ap t=10ms, TVJ=150°C. Montage/installatie: schroef. Technologie: Epitaxiale diode . Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.25V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.17V

Voorwaartse stroom (AV): 2x91A. IFSM: 900A. Behuizing: ISOTOP ( SOT227B ). Behuizing (volgens datablad): ISOTOP ( SOT227B ). VRRM: 1200V. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 10. Aantal per doos: 2. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 40 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: dubbele snelle hersteldiode. Let op: epitaxiale diode, hoge stroom. Let op: 900App/10ms, 45°C. MRI (max.): 15mA. MRI (min): 1.5mA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 250W. Spec info: 810Ap t=10ms, TVJ=150°C. Levertijd: KB. Montage/installatie: schroef. Technologie: Epitaxiale diode . Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.87V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.61V

Voorwaartse stroom (AV): 2x123A. IFSM: 1200A. Behuizing: ISOTOP ( SOT227B ). Behuizing (volgens datablad): ISOTOP ( SOT227B ). VRRM: 200V. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 10. Aantal per doos: 2. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 35 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: dubbele snelle hersteldiode. MRI (max.): 20mA. MRI (min): 1mA. Aantal aansluitingen: 4. Pd (vermogensdissipatie, max.): 357W. RoHS: ja. Spec info: 1080Ap t=10ms, TVJ=150°C. Montage/installatie: schroef. Technologie: Epitaxiale diode . Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.89V

Voorwaartse stroom (AV): 37A. IFSM: 375A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AD. VRRM: 600V. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 35 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snel herstel . Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. RoHS: ja. Spec info: 375Ap t=10ms, TVJ=150°C. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale diode . Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.6V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.4V

Voorwaartse stroom (AV): 37A. IFSM: 375A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AD. VRRM: 1000V. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 35 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snel herstel . Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 138W. RoHS: ja. Spec info: 375Ap t=10ms, TVJ=150°C. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale diode . Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 2.4V. Voorwaartse spanning Vf (min): 2V

Voorwaartse stroom (AV): 28A. IFSM: 200A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AD. VRRM: 1200V. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 40 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snel herstel . Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 138W. RoHS: ja. Spec info: 375Ap t=10ms, TVJ=150°C. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale diode . Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 2.55V. Voorwaartse spanning Vf (min): 2.2V

Voorwaartse stroom (AV): 60A. IFSM: 500A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AD. VRRM: 1000V. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 35 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snel herstel . Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 189W. RoHS: ja. Spec info: 450Ap t=10ms, TVJ=150°C. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale diode . Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 2.3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.8V

Voorwaartse stroom (AV): 52A. IFSM: 500A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AD. VRRM: 1200V. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 40 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snel herstel . Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 189W. RoHS: ja. Spec info: 450Ap t=10ms, TVJ=150°C. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale diode . Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 2.55V. Voorwaartse spanning Vf (min): 2V

Voorwaartse stroom (AV): 30A. IFSM: 300A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AD. VRRM: 600V. Cj: ja. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 25. Aantal per doos: 2. Diëlektrische structuur: gemeenschappelijke kathode. Trr-diode (min.): 35 ns. Dubbele: ja. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snel herstel . MRI (max.): 100uA. MRI (min): 50uA. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. RoHS: ja. Spec info: Ifsm--375Ap Tp--10uS. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale diode (FRED) . Drempelspanning Vf (max): 1.6V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.4V

Voorwaartse stroom (AV): 15A. IFSM: 90A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AC. VRRM: 1200V. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 40 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Diode zacht herstel . MRI (max.): 0.5mA. MRI (min): 100uA. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 95W. RoHS: ja. Spec info: 90Ap t=10ms, TVJ=45°C. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 2.75V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.79V

Voorwaartse stroom (AV): 70A. IFSM: 500A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AD. VRRM: 1200V. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 40 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Diode zacht herstel . MRI (max.): 2.5mA. MRI (min): 650uA. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 190W. RoHS: ja. Spec info: 500Ap t=10ms, TVJ=45°C. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 2.66V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.74V

Voorwaartse stroom (AV): 60A. IFSM: 500A. Behuizing: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Behuizing (volgens datablad): ISOPLUS247. VRRM: 1200V. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 10. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 40 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Diode zacht herstel . MRI (max.): 2.5mA. MRI (min): 650uA. Configuratie: geïsoleerde behuizing, zonder boren. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 190W. RoHS: ja. Spec info: 540Ap t=10ms, TVJ=45°C. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 2.66V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.74V