Standaard- en gelijkrichterdiodes

Voorwaartse stroom (AV): 1A. IFSM: 30A. Behuizing: DO-214. Behuizing (volgens datablad): SMA DO214AC. VRRM: 600V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 250 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: silicium snelle gelijkrichterdiode. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--30Ap t=10mS. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Bedrijfstemperatuur: -50...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.3V

Behuizing: DO-214. Behuizing (volgens datablad): DO-214AC ( SMA ). VRRM: 1000V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: silicium snelle gelijkrichterdiode. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: 30App/10ms

Voorwaartse stroom (AV): 2A. IFSM: 60A. Behuizing: DO-15. Behuizing (volgens datablad): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 1000V. Cj: 30pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 500 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: FAST RECOVERY RECTIFIER. MRI (max.): 100uA. MRI (min): 5uA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--60Ap (t=8.3ms). Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.2V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.2V

Voorwaartse stroom (AV): 2A. IFSM: 50A. Behuizing: DO-214. Behuizing (volgens datablad): SMB DO214AA ( 4.7x3.7x2.6 ). VRRM: 600V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 250 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: silicium snelle gelijkrichterdiode. MRI (max.): 200uA. MRI (min): 5uA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--50Ap t=10mS. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Bedrijfstemperatuur: -50...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.3V

Voorwaartse stroom (AV): 2A. IFSM: 50A. Behuizing: DO-214. Behuizing (volgens datablad): SMB DO214AA ( 4.7x3.7x2.6 ). VRRM: 1000V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 500 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: silicium snelle gelijkrichterdiode. MRI (max.): 200uA. MRI (min): 5uA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--50Ap t=10mS. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Bedrijfstemperatuur: -50...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.3V

Voorwaartse stroom (AV): 3A. Behuizing: DO-27. Behuizing (volgens datablad): DO-27 ( 9x5.3mm ). VRRM: 600V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: FAST RECOVERY RECTIFIER. Let op: IFSM--200Ap/8.3mS. Aantal aansluitingen: 2. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage

Voorwaartse stroom (AV): 3A. IFSM: 100A. Behuizing: DO-214. Behuizing (volgens datablad): DO-214AB ( SMC ). VRRM: 200V. Trr-diode (min.): 150 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: silicium snelle gelijkrichterdiode. Let op: 100App/10ms. Aantal aansluitingen: 2. Bedrijfstemperatuur: -50...+150°C

Voorwaartse stroom (AV): 3A. IFSM: 100A. Behuizing: DO-214. Behuizing (volgens datablad): DO-214AB ( SMC ). VRRM: 600V. Cj: 60pF. Trr-diode (min.): 500 sn. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: FAST RECOVERY RECTIFIER. Aantal aansluitingen: 2. Spec info: Ifsm 100App / 8.3ms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.3V

Voorwaartse stroom (AV): 3A. IFSM: 100A. Behuizing: DO-214. Behuizing (volgens datablad): SMC DO214AB. VRRM: 1000V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 500 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: silicium snelle gelijkrichterdiode. MRI (max.): 200uA. MRI (min): 5uA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 100Ap (t=10ms). Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Bedrijfstemperatuur: -50...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.3V

Voorwaartse stroom (AV): 6A. IFSM: 200A. Behuizing: DO-201. Behuizing (volgens datablad): DO-201AD ( 9.1x7.2mm ) ( R-6 ). VRRM: 1000V. Cj: 100pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 500 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. MRI (max.): 200uA. MRI (min): 10uA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--200Ap/8.3mS. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.2V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.2V

Voorwaartse stroom (AV): 3A. IFSM: 150A. Behuizing: DO-201. Behuizing (volgens datablad): DO-201AD ( 9.1x5.2mm ). VRRM: 600V. Cj: 40pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 75 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Ultrafast Recovery Rectifier. Aantal aansluitingen: 2. Spec info: Ifms 150Ap t=8.3ms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.7V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.7V

Voorwaartse stroom (AV): 5A. VRRM: 400V. Halfgeleidermateriaal: silicium

Voorwaartse stroom (AV): 0.25A. IFSM: 15A. Behuizing: DO-41. Behuizing (volgens datablad): DO-41 ( DO-204AL ) ( 2.7x5.2mm ). VRRM: 4000V. Cj: 3pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 2us. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Hoogspanningsglas-gepassiveerde junctiegelijkrichter . Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--15App/8.3mS. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 3V

Voorwaartse stroom (AV): 1A. IFSM: 30A. Behuizing: DO-41. Behuizing (volgens datablad): DO-41. VRRM: 200V. Cj: 25pF. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 50 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: hoog rendement gelijkrichterdiode. MRI (max.): 100uA. MRI (min): 5uA. Equivalenten: HER103G. Aantal aansluitingen: 2. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1V

Voorwaartse stroom (AV): 1A. IFSM: 30A. Behuizing: DO-41. Behuizing (volgens datablad): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 400V. Cj: 25pF. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 50 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: hoog rendement gelijkrichterdiode. Equivalenten: HER105G. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.3V

Voorwaartse stroom (AV): 1A. IFSM: 30A. Behuizing: DO-41. Behuizing (volgens datablad): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 1000V. Cj: 20pF. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 75 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: hoog rendement gelijkrichterdiode. Equivalenten: HER108G. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.7V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.7V

Voorwaartse stroom (AV): 3A. IFSM: 150A piek. Behuizing: DO-27. Behuizing (volgens datablad): DO-27 (5.6 x 9.5mm). VRRM: 200V. Cj: 70pF. Trr-diode (min.): 50 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Hoge snelheidsschakelen. Let op: hoog rendement gelijkrichterdiode. MRI (max.): 150uA. MRI (min): 10uA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 150Ap T=8.3ms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -60...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1V

Voorwaartse stroom (AV): 3A. IFSM: 125A. Behuizing: DO-201. Behuizing (volgens datablad): DO-201AD ( 9.0x5.3mm ). VRRM: 300V. Cj: 80pF. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 50 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Hoge snelheidsschakelen. Let op: hoog rendement gelijkrichterdiode. MRI (max.): 200uA. MRI (min): 10uA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 125Ap T=8.3ms. Gewicht: 1.1g. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1V

Voorwaartse stroom (AV): 3A. IFSM: 150A. Behuizing: DO-27. Behuizing (volgens datablad): DO-27 (9.5x5.6mm). VRRM: 400V. Cj: 70pF. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 75 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Hoge snelheidsschakelen. Let op: hoog rendement gelijkrichterdiode. MRI (max.): 150uA. MRI (min): 10uA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 150Ap T=8.3ms. Gewicht: 0.4g. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.3V

Voorwaartse stroom (AV): 3A. IFSM: 125A. Behuizing: DO-201. Behuizing (volgens datablad): DO-201AD ( 9.0x5.3mm ). VRRM: 1000V. Cj: 80pF. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 75 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Hoge snelheidsschakelen. Let op: hoog rendement gelijkrichterdiode. MRI (max.): 200uA. MRI (min): 10uA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 125Ap T=8.3ms. Gewicht: 1.1g. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1V

Voorwaartse stroom (AV): 6A. IFSM: 150A. Behuizing: R-6. Behuizing (volgens datablad): R-6 (8.8x7mm). VRRM: 1000V. Cj: 65pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Hoge snelheidsschakelen. MRI (max.): 200uA. MRI (min): 10uA. RoHS: ja. Spec info: 150Ap/8.3ms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tr: 75 ns. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.7V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.3V

Voorwaartse stroom (AV): 8A. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). VRRM: 600V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: Ultrafast. Let op: Ifsm--60Aps. Pd (vermogensdissipatie, max.): 14W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD)

Voorwaartse stroom (AV): 8A. IFSM: 60A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AC-2. VRRM: 600V. Cj: 10pF. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 18 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Ultrafast Soft Recovery Diode. Markering op de kast: HFA08TB60. Equivalenten: 39.2k Ohms. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 36W. RoHS: ja. Spec info: IFRM 24A. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.7V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.4V

Voorwaartse stroom (AV): 8A. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): TO-263 ( D2PAK ). VRRM: 600V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: Ultrafast. Let op: Ifsm 60Aps. Pd (vermogensdissipatie, max.): 36W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD)

Voorwaartse stroom (AV): 15A. IFSM: 50A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AC-2. VRRM: 600V. Cj: 25pF. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 42 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Ultrafast Soft Recovery Diode. MRI (max.): 400uA. MRI (min): 1uA. Markering op de kast: HFA15TB60. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: Trr 19ns, (IF=1A). Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 2V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.3V