Standaard- en gelijkrichterdiodes

Diëlektrische structuur: gemeenschappelijke kathode. Trr-diode (min.): 20 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 15A. IFSM: 75A. MRI (max.): 1mA. MRI (min): 0.5mA. Temperatuur: +150°C. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB ( SOT78 ). Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.05V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.78V. VRRM: 200V. Aantal per doos: 2. Aantal aansluitingen: 3. Functie: Gelijkrichterdiodes, ultrasnel, robuust. Spec info: Ifsm--75Ap t=10ms / diode

Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 20 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: ultrasnelle gelijkrichterdiode. Voorwaartse stroom (AV): 12.7A. IFSM: 150A. MRI (max.): 50uA. MRI (min): 5uA. Temperatuur: +150°C. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220-2. Drempelspanning Vf (max): 1.05V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.83V. VRRM: 200V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Spec info: Ifsm 150Ap t=10ms

Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 3A. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: SOD-64 ( Glass ). Behuizing (volgens datablad): SOD-64 Glass. VRRM: 200V. Aantal aansluitingen: 2. Let op: GI S. Let op: 100App/10ms

Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 3A. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: SOD-64 ( Glass ). Behuizing (volgens datablad): SOD-64 Glass. VRRM: 800V. Aantal aansluitingen: 2. Let op: GI S. Let op: 80App/10ms

Cj: 45pF. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 25 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: SWITCHMODE Power Rectifiers. Voorwaartse stroom (AV): 8A. MRI (max.): 600uA. MRI (min): 5uA. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AC. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.85V. VRRM: 200V. Aantal aansluitingen: 2. Spec info: Ifsm 100A (t=8.3ms)

Conditionering: plastic buis. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 20 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 8A. IFSM: 88A. Temperatuur: +150°C. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Drempelspanning Vf (max): 1.3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.8V. VRRM: 200V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Functie: ultrasnelle gelijkrichterdiodes (max 25ns). Let op: Viso 2500V, Cisol 10pF. Conditioneringseenheid: 50. Spec info: Ifsm--88A t=8.3mS

Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 200 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Fast Avalanche Sinterglass Diode. Voorwaartse stroom (AV): 2A. IFSM: 50A. MRI (max.): 46.4k Ohms. MRI (min): 1uA. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: SOD-57 ( Glass ). Behuizing (volgens datablad): SOD-57 Glass. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.95V. VRRM: 600V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Let op: Snelle gelijkrichting en schakeldiode. Spec info: IFSM--50Ap (tp=10ms)

Cj: 50pF. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 4us. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Mesa Rectifiers. Voorwaartse stroom (AV): 2A. IFSM: 50A. MRI (max.): 5uA. MRI (min): 0.1uA. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: SOD-57 ( Glass ). Behuizing (volgens datablad): SOD-57 Glass. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.9V. VRRM: 1000V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Spec info: IFSM--50Ap (t=10ms)

Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 3A. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: SOD-64 ( Glass ). Behuizing (volgens datablad): SOD-64 Glass. VRRM: 200V. Aantal aansluitingen: 2. Let op: GI S. Let op: 100App/10ms

Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 8A. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220B. VRRM: 200V. Let op: SWITCHMODE Power Rectifiers. Let op: Ifsm 100A/10ms

Cj: 85pF. Trr-diode (min.): 250 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snelle soft-recovery gecontroleerde lawinegelijkrichters . Voorwaartse stroom (AV): 3A. IFSM: 70A. MRI (max.): 150uA. MRI (min): 1uA. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: SOD-64 ( Glass ). Behuizing (volgens datablad): SOD-64 Glass. Drempelspanning Vf (max): 1.5V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.25V. VRRM: 600V. Aantal aansluitingen: 2. Spec info: IFSM--70App / 10mS

Cj: 75pF. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 300 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 3A. IFSM: 70A. MRI (max.): 150uA. MRI (min): 1uA. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: SOD-64 ( Glass ). Behuizing (volgens datablad): SOD-64 Glass. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.5V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.25V. VRRM: 800V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Functie: Snelle, zachtherstelgestuurde lawinegelijkrichter. Spec info: IFSM--70Ap

Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 0.36A. VRRM: 1600V. Let op: GI. Let op: BYX10GP

Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 1.2A. VRRM: 350V. Let op: GI-S

Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 10A. VRRM: 1200V. Let op: 11 mm, 6-zijdig. Let op: GI-L

Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 1A. VRRM: 300V. Let op: GI

Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: LED-drivercircuit 20mA/45V. Voorwaartse stroom (AV): 20mA. RoHS: ja. Behuizing: DO-214. Behuizing (volgens datablad): SMB ( 4.6x3.7x2.1mm ). Bedrijfstemperatuur: -50...+150°C. VRRM: 45V. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 2. Let op: constante stroom LED-driver. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Aantal per doos: 1. Spec info: voor een dissipatie van 1W zonder koeling, max 25V

Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: LED-drivercircuit 40mA/45V. Voorwaartse stroom (AV): 40mA. RoHS: ja. Behuizing: DO-214. Behuizing (volgens datablad): SMB ( 4.6x3.7x2.1mm ). Bedrijfstemperatuur: -50...+150°C. VRRM: 45V. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 2. Let op: constante stroom LED-driver. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Aantal per doos: 1. Spec info: voor een dissipatie van 1W zonder koeling, max 25V

Aantal per doos: 2. Diëlektrische structuur: gemeenschappelijke kathode. Trr-diode (min.): 100 ns. Halfgeleidermateriaal: Sb. Functie: Schottky-diode. Voorwaartse stroom (AV): 15A. IFSM: 150A. Aantal aansluitingen: 3. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 0.55V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.55V. VRRM: 40V. Spec info: Ifsm 150A (50Hz), Vf max 0.55V

Aantal per doos: 2. Diëlektrische structuur: gemeenschappelijke kathode. Trr-diode (min.): 100 ns. Halfgeleidermateriaal: Sb. Functie: Schottky-diode. Voorwaartse stroom (AV): 30A. IFSM: 300A. Aantal aansluitingen: 3. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 0.55V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.55V. VRRM: 40V. Spec info: Ifsm--300A (50Hz), Vf max--0.55V

Let op: Uf 0.98V. Let op: Ifsm--65App. Let op: Ultrasnelle hersteldiode

Diëlektrische structuur: gemeenschappelijke kathode. Dubbele: Dubbele. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: ULTRA FAST DUAL DIODE. Voorwaartse stroom (AV): 5A. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. VRRM: 200V. Aantal per doos: 2. Aantal aansluitingen: 3. Let op: ULTRA FAST. Let op: Ifsm--50A10mS. Spec info: IFSM--50A t=10mS

Diëlektrische structuur: behuizing verbonden met de kathode. Functie: vermogensdiode. Voorwaartse stroom (AV): 20A. IFSM: 275A. Busschroefdraad: M5. Gewicht: 6g. Montage/installatie: schroef. Behuizing: DO-4. Behuizing (volgens datablad): DO-4P. Bedrijfstemperatuur: -25...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.5V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Gebruikt voor: kan ook gebruikt worden voor zonnepaneelsystemen. Spec info: 275App/10ms

Diëlektrische structuur: behuizing verbonden met de anode. Functie: vermogensdiode. Voorwaartse stroom (AV): 20A. IFSM: 275A. Busschroefdraad: M5. Gewicht: 6g. Montage/installatie: schroef. Behuizing: DO-4. Behuizing (volgens datablad): DO-4P. Bedrijfstemperatuur: -25...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.5V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Spec info: 275App/10ms

Diëlektrische structuur: behuizing verbonden met de kathode. Functie: vermogensdiode. Voorwaartse stroom (AV): 40A. IFSM: 600A. Busschroefdraad: M6. Montage/installatie: schroef. Behuizing: DO-5. Behuizing (volgens datablad): DO-5P. Bedrijfstemperatuur: -25...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.4V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1V. VRRM: 800V. Gebruikt voor: kan ook gebruikt worden voor zonnepaneelsystemen. Spec info: 600App/10ms