Standaard- en gelijkrichterdiodes

Voorwaartse stroom (AV): 3.5A. IFSM: 90A. Behuizing: SOD-64 ( Glass ). Behuizing (volgens datablad): SOD-64 Glass. VRRM: 200V. Cj: 190pF. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 30 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Lawine Sinterglas Diode Snel . Productiedatum: 201412. MRI (max.): 100uA. MRI (min): 1uA. Markering op de kast: BYV28-200. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.89V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 2500. Spec info: Ifsm--90A, t=10mS

Voorwaartse stroom (AV): 3.1A. IFSM: 90A. Behuizing: SOD-64 ( Glass ). Behuizing (volgens datablad): SOD-64 Glass. VRRM: 600V. Cj: 125pF. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 50 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Ultra fast low-loss controlled avalanche rect.. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.25V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.93V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Spec info: Ifsm--90A, t=10mS

Voorwaartse stroom (AV): 9A. IFSM: 100A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AC ( SOD59 ). VRRM: 500V. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 50 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snel schakelen. MRI (max.): 50uA. MRI (min): 2uA. Temperatuur: +150°C. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Drempelspanning Vf (max): 1.4V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.9V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Spec info: Ifsm 110Ap t=8.3ms

Voorwaartse stroom (AV): 10A. IFSM: 125A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): SOT78 (TO-220AB). VRRM: 200V. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Diëlektrische structuur: gemeenschappelijke kathode. Trr-diode (min.): 20 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: ULTRA FAST. Markering op de kast: BYV32E-200. Equivalenten: BYV32-200G, BYV32E-200.127, BYV32-200-E3/45. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 0.85V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.72V. Aantal per doos: 2. Aantal aansluitingen: 3. Let op: gemeenschappelijke kathode. Spec info: Ifsm 125A t=10ms

Voorwaartse stroom (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB, SOT78. VRRM: 500V. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Diëlektrische structuur: gemeenschappelijke kathode. Trr-diode (min.): 50 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snel schakelen. Markering op de kast: BYV34-500. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.05V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.87V. Aantal per doos: 2. Aantal aansluitingen: 3. Spec info: Ifsm 120A t=10ms, 132A t=8.3ms

Voorwaartse stroom (AV): 2A. IFSM: 50A. Behuizing: SOD-57 ( Glass ). Behuizing (volgens datablad): SOD-57 Glass passivated. VRRM: 1000V. Cj: 15pF. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 300 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snelle silicium-mesa-gelijkrichters. Productiedatum: 2013/40. MRI (max.): 150uA. MRI (min): 5uA. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Spec info: IFMS 50Ap (t=10ms)

Voorwaartse stroom (AV): 15A. IFSM: 75A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB ( SOT78 ). VRRM: 150V. Diëlektrische structuur: gemeenschappelijke kathode. Trr-diode (min.): 20 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. MRI (max.): 1mA. MRI (min): 0.5mA. Temperatuur: +150°C. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Drempelspanning Vf (max): 1.05V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.78V. Aantal per doos: 2. Aantal aansluitingen: 3. Let op: gemeenschappelijke kathode. Functie: Gelijkrichterdiodes, ultrasnel, robuust. Spec info: Ifsm--75Ap t=10ms / diode

Voorwaartse stroom (AV): 15A. IFSM: 75A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB ( SOT78 ). VRRM: 200V. Diëlektrische structuur: gemeenschappelijke kathode. Trr-diode (min.): 20 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. MRI (max.): 1mA. MRI (min): 0.5mA. Temperatuur: +150°C. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.05V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.78V. Aantal per doos: 2. Aantal aansluitingen: 3. Functie: Gelijkrichterdiodes, ultrasnel, robuust. Spec info: Ifsm--75Ap t=10ms / diode

Voorwaartse stroom (AV): 12.7A. IFSM: 150A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220-2. VRRM: 200V. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 20 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: ultrasnelle gelijkrichterdiode. MRI (max.): 50uA. MRI (min): 5uA. Temperatuur: +150°C. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Drempelspanning Vf (max): 1.05V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.83V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Spec info: Ifsm 150Ap t=10ms

Voorwaartse stroom (AV): 3A. Behuizing: SOD-64 ( Glass ). Behuizing (volgens datablad): SOD-64 Glass. VRRM: 200V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 2. Let op: GI S. Let op: 100App/10ms

Voorwaartse stroom (AV): 3A. Behuizing: SOD-64 ( Glass ). Behuizing (volgens datablad): SOD-64 Glass. VRRM: 800V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 2. Let op: GI S. Let op: 80App/10ms

Voorwaartse stroom (AV): 8A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AC. VRRM: 200V. Cj: 45pF. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 25 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: SWITCHMODE Power Rectifiers. MRI (max.): 600uA. MRI (min): 5uA. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.85V. Aantal aansluitingen: 2. Spec info: Ifsm 100A (t=8.3ms)

Voorwaartse stroom (AV): 8A. IFSM: 88A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. VRRM: 200V. Conditionering: plastic buis. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 20 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Temperatuur: +150°C. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Drempelspanning Vf (max): 1.3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.8V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Functie: ultrasnelle gelijkrichterdiodes (max 25ns). Let op: Viso 2500V, Cisol 10pF. Conditioneringseenheid: 50. Spec info: Ifsm--88A t=8.3mS

Voorwaartse stroom (AV): 2A. IFSM: 50A. Behuizing: SOD-57 ( Glass ). Behuizing (volgens datablad): SOD-57 Glass. VRRM: 600V. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 200 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Fast Avalanche Sinterglass Diode. MRI (max.): 46.4k Ohms. MRI (min): 1uA. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.95V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Let op: Snelle gelijkrichting en schakeldiode. Spec info: IFSM--50Ap (tp=10ms)

Voorwaartse stroom (AV): 2A. IFSM: 50A. Behuizing: SOD-57 ( Glass ). Behuizing (volgens datablad): SOD-57 Glass. VRRM: 1000V. Cj: 50pF. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 4us. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Mesa Rectifiers. MRI (max.): 5uA. MRI (min): 0.1uA. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.9V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Spec info: IFSM--50Ap (t=10ms)

Voorwaartse stroom (AV): 3A. Behuizing: SOD-64 ( Glass ). Behuizing (volgens datablad): SOD-64 Glass. VRRM: 200V. Halfgeleidermateriaal: silicium. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 2. Let op: GI S. Let op: 100App/10ms

Voorwaartse stroom (AV): 8A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220B. VRRM: 200V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Let op: SWITCHMODE Power Rectifiers. Let op: Ifsm 100A/10ms

Voorwaartse stroom (AV): 3A. IFSM: 70A. Behuizing: SOD-64 ( Glass ). Behuizing (volgens datablad): SOD-64 Glass. VRRM: 600V. Cj: 85pF. Trr-diode (min.): 250 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snelle soft-recovery gecontroleerde lawinegelijkrichters . MRI (max.): 150uA. MRI (min): 1uA. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Drempelspanning Vf (max): 1.5V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.25V. Aantal aansluitingen: 2. Spec info: IFSM--70App / 10mS

Voorwaartse stroom (AV): 3A. IFSM: 70A. Behuizing: SOD-64 ( Glass ). Behuizing (volgens datablad): SOD-64 Glass. VRRM: 800V. Cj: 75pF. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 300 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. MRI (max.): 150uA. MRI (min): 1uA. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.5V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.25V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Functie: Snelle, zachtherstelgestuurde lawinegelijkrichter. Spec info: IFSM--70Ap

Voorwaartse stroom (AV): 0.36A. VRRM: 1600V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: GI. Let op: BYX10GP

Voorwaartse stroom (AV): 1.2A. VRRM: 350V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: GI-S

Voorwaartse stroom (AV): 10A. VRRM: 1200V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: 11 mm, 6-zijdig. Let op: GI-L

Voorwaartse stroom (AV): 1A. VRRM: 300V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: GI

Voorwaartse stroom (AV): 20mA. Behuizing: DO-214. Behuizing (volgens datablad): SMB ( 4.6x3.7x2.1mm ). VRRM: 45V. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: LED-drivercircuit 20mA/45V. RoHS: ja. Bedrijfstemperatuur: -50...+150°C. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 2. Let op: constante stroom LED-driver. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Aantal per doos: 1. Spec info: voor een dissipatie van 1W zonder koeling, max 25V

Voorwaartse stroom (AV): 40mA. Behuizing: DO-214. Behuizing (volgens datablad): SMB ( 4.6x3.7x2.1mm ). VRRM: 45V. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: LED-drivercircuit 40mA/45V. RoHS: ja. Bedrijfstemperatuur: -50...+150°C. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 2. Let op: constante stroom LED-driver. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Aantal per doos: 1. Spec info: voor een dissipatie van 1W zonder koeling, max 25V