Standaard- en gelijkrichterdiodes

Voorwaartse stroom (AV): 5A. VRRM: 200V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: GI, S

Voorwaartse stroom (AV): 3A. VRRM: 1500V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: 9x7mm. Let op: MONITOR DAMP. Let op: D09.15

Voorwaartse stroom (AV): 1A. Behuizing: DO-214. Behuizing (volgens datablad): DO-214AC (SMA), 4.6x2.7mm. VRRM: 200V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: 30App/8,3 ms, ES1D SMD-markering. Aantal aansluitingen: 2. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Let op: Supersnelle gelijkrichterdiode voor opbouwmontage

Voorwaartse stroom (AV): 1A. Behuizing: DO-214. Behuizing (volgens datablad): DO-214AC (SMA), 4.6x2.7mm. VRRM: 400V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: 30App/8,3 ms, ES1G SMD-markering. Aantal aansluitingen: 2. Let op: Supersnelle gelijkrichterdiode voor opbouwmontage

Voorwaartse stroom (AV): 1A. Behuizing: DO-214. Behuizing (volgens datablad): DO-214AC (SMA), 4.6x2.7mm. VRRM: 600V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: 30App/8,3 ms, ES1J SMD-markering. Aantal aansluitingen: 2. Let op: Supersnelle gelijkrichterdiode voor opbouwmontage

Voorwaartse stroom (AV): 30A. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. VRRM: 40V. Dubbele: Dubbele. Halfgeleidermateriaal: Sb. Let op: Schottky-diode. Let op: Ifsm--250A. Schottky-diode?: schottky. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Let op: dubbele siliciumdiode

Voorwaartse stroom (AV): 5A. IFSM: 80A. Behuizing (volgens datablad): TO-3FP. VRRM: 1500V. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Aantal per doos: 2. Diëlektrische structuur: Gemeenschappelijke anode-kathode (middelpunt). Trr-diode (min.): 0.15us. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Supersnelle gelijkrichter met laag verlies. Let op: DAMPER +MODULATION. Markering op de kast: CO23M-15 (C023M-15). Aantal aansluitingen: 3. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.8V. Spec info: IFSM--50/80Ap, t=10mS

Voorwaartse stroom (AV): 3A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. VRRM: 200V. Dubbele: Dubbele. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: ULTRA FAST ->l<-. Let op: Ifsm--50A/10mS. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage

Voorwaartse stroom (AV): 0.8A. VRRM: 600V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: GI, S

Voorwaartse stroom (AV): 6A. IFSM: 100A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB ( SOT78 ). VRRM: 200V. Cj: 55pF. Aantal per doos: 2. Diëlektrische structuur: gemeenschappelijke kathode. Trr-diode (min.): 150 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Dubbele snelle hersteldiode. Let op: gemeenschappelijke kathode. MRI (max.): 100uA. MRI (min): 5uA. Aantal aansluitingen: 3. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.3V. Spec info: Ifsm 100A (t=10ms)

Voorwaartse stroom (AV): 1A. Behuizing (volgens datablad): TS-1 ( 2.5x3.3mm ). VRRM: 400V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: 30Ap/8.3ms

Voorwaartse stroom (AV): 1A. VRRM: 200V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: GL

Voorwaartse stroom (AV): 3A. VRRM: 100V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: GL. Let op: 125A/8.3ms

Voorwaartse stroom (AV): 3A. VRRM: 150V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: GL. Let op: 125A/8.3ms

Voorwaartse stroom (AV): 8A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AC. VRRM: 600V. Dubbele: Dubbele. Halfgeleidermateriaal: silicium. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Let op: gemeenschappelijke kathode. Let op: Dual Ultrafast Plastic Rectifier. Let op: Ifsm 125Aps/8.3ms

Voorwaartse stroom (AV): 15A. IFSM: 300A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AD. VRRM: 200V. Cj: 175pF. Diëlektrische structuur: gemeenschappelijke kathode. Trr-diode (min.): 35 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Dubbele ultrasnelle gelijkrichterdiode, gemeenschappelijke kathode. MRI (max.): 500uA. MRI (min): 10uA. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 0.95V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.95V. Aantal per doos: 2. Aantal aansluitingen: 3. Let op: gemeenschappelijke kathode. Spec info: Ifsm--300Ap, t=8.3ms

Voorwaartse stroom (AV): 15A. IFSM: 300A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AD. VRRM: 600V. Cj: 145pF. Diëlektrische structuur: gemeenschappelijke kathode. Trr-diode (min.): 50 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Dubbele ultrasnelle gelijkrichterdiode, gemeenschappelijke kathode. MRI (max.): 500uA. MRI (min): 10uA. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.5V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.5V. Aantal per doos: 2. Aantal aansluitingen: 3. Let op: gemeenschappelijke kathode. Spec info: Ifsm--300Ap, t=8.3ms

Voorwaartse stroom (AV): 5A. VRRM: 1200V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: Ifsm--30App. Let op: hoge spanning en hoge betrouwbaarheid

Voorwaartse stroom (AV): 6A. IFSM: 60A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F-2L. VRRM: 200V. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 35ms. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Ultrafast with soft recovery. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.2V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Spec info: Lage voorwaartse spanning

Voorwaartse stroom (AV): 10A. IFSM: 100A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F-2L. VRRM: 200V. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 32 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. MRI (max.): 500uA. MRI (min): 100uA. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.15V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.1V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Spec info: Ultrafast with soft recovery (IF=1A), <35ns

Voorwaartse stroom (AV): 10A. IFSM: 50A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F-2L. VRRM: 600V. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 34 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 2.2V. Voorwaartse spanning Vf (min): 2V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Spec info: Ultrafast with soft recovery (IF=1A), <40ns

Voorwaartse stroom (AV): 6A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F-3. Diëlektrische structuur: Gemeenschappelijke anode-kathode (middelpunt). Trr-diode (min.): 90 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Demper + Modulatiediode . RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Aantal per doos: 2. Aantal aansluitingen: 3. Let op: Dd--Vf--1.4...1.6V, Dm--Vf--2.0...2.2V. Let op: Dd--Trr--120ns, Dm--Trr--90ns. Spec info: Dd--1500V/6A/60Ap, Dm--600V/20A/120Ap

Voorwaartse stroom (AV): 50A. IFSM: 280A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247-2LD, CASE 340CL. VRRM: 1200V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. MRI (max.): 400uA. MRI (min): 200uA. Schottky-diode?: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Silicon Carbide (SiC) Schottky. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.75V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.45V. Aantal aansluitingen: 2. Gebruikt voor: kan ook gebruikt worden voor zonnepaneelsystemen. Functie: SMPS, zonne-omvormer, UPS, stroomschakelcircuits. Spec info: Ifsm--280App

Voorwaartse stroom (AV): 10A. IFSM: 60A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. VRRM: 40V. Conditionering: plastic buis. Trr-diode (min.): 100 ns. Dubbele: Dubbele. Halfgeleidermateriaal: Sb. Schottky-diode?: schottky. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 0.55V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.55V. Aantal per doos: 2. Aantal aansluitingen: 3. Let op: Schottky-diode. Let op: Ifsm--60A/50Hz. Conditioneringseenheid: 50. Let op: dubbele siliciumdiode

Voorwaartse stroom (AV): 4A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220/2. VRRM: 600V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 2