Standaard- en gelijkrichterdiodes

Voorwaartse stroom (AV): 0.8A. VRRM: 400V. Halfgeleidermateriaal: silicium

Voorwaartse stroom (AV): 10A. IFSM: 400A. Behuizing: R-6. Behuizing (volgens datablad): R-6 ( 8.9x8.8mm ). VRRM: 1000V. Cj: 120pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 1500 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. MRI (max.): 100uA. MRI (min): 10uA. Markering op de kast: 28.7k Ohms. Equivalenten: P1000M, 10A07-TP. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1V. Spec info: IFSM--400Ap t=8.3ms

Voorwaartse stroom (AV): 12A. IFSM: 330A. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). VRRM: 100V. Cj: 183pF. Aantal per doos: 2. Diëlektrische structuur: gemeenschappelijke kathode. Halfgeleidermateriaal: Sb. Functie: Schottky gelijkrichterdiode. Equivalenten: VS-12CWQ06FN-M3, VS-12CWQ06FNTR-M3. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 0.95V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.85V. Aantal aansluitingen: 2. Spec info: Ifsm--2x165A (t=5us), Vf max--0.65V

Voorwaartse stroom (AV): 150A. IFSM: 1600A. Behuizing (volgens datablad): POWERTAB. VRRM: 200V. Cj: 180pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 45 ns. Gebruikt voor: kan ook gebruikt worden voor zonnepaneelsystemen. Halfgeleidermateriaal: silicium. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.13V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.99V. Spec info: IFSM--1600Ap (Tc--25). Functie: Ultrasnelle zachte hersteldiode

Voorwaartse stroom (AV): 150A. IFSM: 1500A. Behuizing (volgens datablad): POWERTAB. VRRM: 400V. Cj: 100pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 60 ns. Gebruikt voor: kan ook gebruikt worden voor zonnepaneelsystemen. Halfgeleidermateriaal: silicium. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.07V. Spec info: Ifsm 1500Ap (25°C). Functie: Ultrasnelle zachte hersteldiode

Voorwaartse stroom (AV): 19A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. VRRM: 15V. Halfgeleidermateriaal: Sb. Schottky-diode?: schottky. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Let op: 700App/5us, 330App/10ms. Let op: Vfm 0.36V/19A

VRRM: 100V. Behuizing: DO41. Gemiddelde gelijkgerichte stroom per diode: 1A. Sluitspanning (herhaald) Vrrm [V]: 100V. Lekstroom bij sluiten Ir [A]: 5uA..50uA. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -50°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C. Schakelsnelheid (regeneratietijd) tr [sec.]: DO-41 ( DO-204AL ). Voorwaartse spanning Vf (min): 1.1V. Soort diode: gelijkrichterdiode. Diodeconfiguratie: onafhankelijk. Voorwaartse spanning (max.): <1.1V / 1A. Montagetype: THT. Omgekeerde lekstroom: <50uA / 100V. Omgekeerde hersteltijd (max.): 1500ns. Productserie: 1N40

Voorwaartse stroom (AV): 1A. IFSM: 30A. Behuizing: DO-41. Behuizing (volgens datablad): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 200V. Cj: 15pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.1V. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS

Behuizing: DO-41. Voorwaartse stroom (AV): 1A. IFSM: 30A. Behuizing (volgens datablad): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 400V. RoHS: ja. Cj: 15pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): DO-41. Halfgeleidermateriaal: silicium. Aantal aansluitingen: 2. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.1V. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS

Voorwaartse stroom (AV): 1A. IFSM: 30A. Behuizing: DO-41. Behuizing (volgens datablad): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). VRRM: 600V. Cj: 15pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.1V. Spec info: Ifms 300Ap t=8.3ms

VRRM: 1000V. Voorwaartse stroom (AV): 1A. IFSM: 30A. Behuizing: DO-41. Behuizing (volgens datablad): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). Cj: 15pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.1V. Spec info: 30Ap/8.3ms

Voorwaartse stroom (AV): 200mA. IFSM: 500mA. Behuizing: DO-35 ( SOD27 ). Behuizing (volgens datablad): DO-35. VRRM: 75V. Cj: 4pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 4 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Hogesnelheidsdiodes. Andere naam: IN4148. MRI (max.): 50uA. MRI (min): 25nA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+200°C. Drempelspanning Vf (max): 1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1V. Spec info: Ifsm--1us 4A, 1ms 1A, 1s 0.5A

Behuizing: SOD-323. Voorwaartse stroom (AV): 150mA. IFSM: 300mA. Behuizing (volgens datablad): SOD-323F. VRRM: 100V. RoHS: ja. Cj: 2pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 4 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Hogesnelheidsdiodes. Andere naam: IN4148. MRI (max.): 1uA. MRI (min): 25nA. Aantal aansluitingen: 2. Afmetingen: 1,7x1,25x1 mm. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.25V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.715V. Spec info: Ifsm--1us 1A, 1s 0.35A

Voorwaartse stroom (AV): 500mA. IFSM: 1A. Behuizing: DO-35 ( SOD27 ). Behuizing (volgens datablad): DO-35. VRRM: 100V. Trr-diode (min.): 4 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. MRI (max.): 50uA. MRI (min): 25nA. Aantal aansluitingen: 2. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -50...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1V

Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: DO-35. Doorlaatstroom [A]: 0.5A. RoHS: ja. Componentfamilie: Siliciumdiode met klein signaal. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 2. Ifsm [A]: 4A. Sluitspanning (herhaald) Vrrm [V]: 100V. Lekstroom bij sluiten Ir [A]: 25nA..50uA. Schakelsnelheid (regeneratietijd) tr [sec.]: 4 ns. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C. Doorlaatspanning Vfmax (V): 1V @ 10mA

Voorwaartse stroom (AV): 0.3A. IFSM: 4A. Behuizing: DO-35 ( SOD27 ). Behuizing (volgens datablad): DO-35. VRRM: 50V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Fast Switching Diodes, Ifsm--1us, 4A. Aantal aansluitingen: 2. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -50...+200°C

Voorwaartse stroom (AV): 0.2A. IFSM: 2A. Behuizing: DO-35 ( SOD27 ). Behuizing (volgens datablad): DO-35. VRRM: 75V. Trr-diode (min.): 2 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: ultrasnelle schakeldiode, Ifsm 1us 2A. MRI (max.): 50nA. Aantal aansluitingen: 2. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -50...+200°C. Voorwaartse spanning Vf (min): 1V

Voorwaartse stroom (AV): 1A. IFSM: 30A. Behuizing: DO-41. Behuizing (volgens datablad): DO41. VRRM: 200V. Cj: 15pF. Trr-diode (min.): 150 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snel schakelen voor hoog rendement. MRI (max.): 100uA. MRI (min): 5uA. RoHS: ja. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.3V. Spec info: 30App/8.3ms

Behuizing: DO-41. Voorwaartse stroom (AV): 1A. IFSM: 30A. Behuizing (volgens datablad): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 600V. RoHS: ja. Cj: 15pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 200 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snel schakelen voor hoog rendement. MRI (max.): 100uA. MRI (min): 5uA. Aantal aansluitingen: 2. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.2V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.2V. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS

Voorwaartse stroom (AV): 2A. IFSM: 50A. Behuizing: DO-15. Behuizing (volgens datablad): DO-15 ( DO-204AC ) 6.35x3.0mm. VRRM: 800V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Silicon Rectifier. MRI (max.): uA. MRI (min): 5uA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -50...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.1V

Voorwaartse stroom (AV): 3.3mA. Behuizing: DO-35 ( SOD27 ). Behuizing (volgens datablad): DO-35. VRRM: 100V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: diode. Let op: tunneldiode. Aantal aansluitingen: 2. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage

Voorwaartse stroom (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Behuizing: DO-15. Behuizing (volgens datablad): DO-15 ( 3.3x6.4mm ). VRRM: 300V. Cj: 20pF. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.1V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Functie: hoge stroomcapaciteit, lage voorwaartse spanningsval. Spec info: IFSM--50Ap

Voorwaartse stroom (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Behuizing: DO-15. Behuizing (volgens datablad): DO-15 ( 3.3x6.4mm ). VRRM: 500V. Cj: 20pF. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. MRI (max.): 50uA. MRI (min): 5uA. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.1V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Functie: hoge stroomcapaciteit, lage voorwaartse spanningsval. Spec info: IFSM--50Ap, t=8.3mS

Voorwaartse stroom (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Behuizing: DO-15. Behuizing (volgens datablad): DO-15 ( 3.3x6.4mm ). VRRM: 1000V. Cj: 20pF. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. MRI (max.): 50uA. MRI (min): 5uA. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.1V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Functie: hoge stroomcapaciteit, lage voorwaartse spanningsval. Spec info: IFSM--50Ap, t=8.3mS

Voorwaartse stroom (AV): 3A. IFSM: 200A. Behuizing: DO-27. Behuizing (volgens datablad): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). VRRM: 200V. Cj: 40pF. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 5us. Halfgeleidermateriaal: silicium. MRI (max.): 500uA. MRI (min): 5uA. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.1V. Aantal aansluitingen: 2. Let op: GI. Aantal per doos: 1. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms