Standaard- en gelijkrichterdiodes

Voorwaartse stroom (AV): 5A. IFSM: 300A. Behuizing: DO-201. Behuizing (volgens datablad): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 1000V. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Silicon Rectifiers. MRI (max.): 20uA. MRI (min): 20uA. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -50...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Spec info: IFSM--300Ap t=8.3mS

Voorwaartse stroom (AV): 5A. IFSM: 300A. Behuizing: DO-201. Behuizing (volgens datablad): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 400V. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. MRI (max.): 5uA. MRI (min): 5uA. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -50...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Spec info: IFSM--300Ap (t=8.3ms)

Voorwaartse stroom (AV): 5A. IFSM: 300A. Behuizing: DO-201. Behuizing (volgens datablad): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 600V. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. MRI (max.): 20uA. MRI (min): 5uA. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -50...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Spec info: IFSM--300Ap/8.3mS

Voorwaartse stroom (AV): 1.3A. IFSM: 20A. Behuizing: SOD-81. Behuizing (volgens datablad): SOD-81. VRRM: 200V. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 250 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snelle Soft-Rocovery gelijkrichterdiode . MRI (max.): 100uA. MRI (min): 1uA. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.7V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Spec info: IFSM--20Ap (t=10ms)

Voorwaartse stroom (AV): 1.3A. IFSM: 20A. Behuizing: SOD-81. Behuizing (volgens datablad): SOD-81. VRRM: 600V. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 250 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snelle Soft-Rocovery gelijkrichterdiode . RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.1V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Spec info: 20Ap f=10ms

Voorwaartse stroom (AV): 1.3A. IFSM: 20A. Behuizing: SOD-81. Behuizing (volgens datablad): SOD-81. VRRM: 1000V. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 300 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. MRI (max.): 100uA. MRI (min): 1uA. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Drempelspanning Vf (max): 1.3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.1V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Spec info: IFSM--20Ap t=10ms

Voorwaartse stroom (AV): 2.3A. Behuizing: SOD-64 ( Glass ). Behuizing (volgens datablad): SOD-64 Glass. VRRM: 400V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 2. Let op: S,contr,av. Let op: 45App/10ms

Voorwaartse stroom (AV): 35A. IFSM: 400A. VRRM: 600V. Diameter: 12.75mm. Cj: 250pF. Diëlektrische structuur: behuizing verbonden met de kathode. Trr-diode (min.): 1500 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. RoHS: ja. Gewicht: 10g. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -50...+215°C. Drempelspanning Vf (max): 1.1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.1V. Aantal per doos: 1. Aantal aansluitingen: 1. Spec info: IFSM--360A 50Hz 10ms, 400A 60Hz 8.3ms

Voorwaartse stroom (AV): 35A. IFSM: 400A. VRRM: 600V. Diameter: 12.75mm. Cj: 250pF. Diëlektrische structuur: behuizing verbonden met de anode. Trr-diode (min.): 1500 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. RoHS: ja. Gewicht: 10g. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -50...+215°C. Drempelspanning Vf (max): 1.1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.1V. Aantal per doos: 1. Aantal aansluitingen: 1. Spec info: IFSM--360A 50Hz 10ms, 400A 60Hz 8.3ms

Voorwaartse stroom (AV): 60A. IFSM: 500A. VRRM: 600V. Diameter: 12.75mm. Cj: 430pF. Diëlektrische structuur: behuizing verbonden met de kathode. Trr-diode (min.): 1500 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. RoHS: ja. Gewicht: 10g. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -50...+200°C. Drempelspanning Vf (max): 1.1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.1V. Aantal per doos: 1. Aantal aansluitingen: 1. Spec info: IFSM--450A 50Hz 10ms, 500A 60Hz 8.3ms

Voorwaartse stroom (AV): 60A. IFSM: 500A. VRRM: 600V. Diameter: 12.75mm. Cj: 430pF. Diëlektrische structuur: behuizing verbonden met de anode. Trr-diode (min.): 1500 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. RoHS: ja. Gewicht: 10g. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -50...+200°C. Drempelspanning Vf (max): 1.1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.1V. Aantal per doos: 1. Aantal aansluitingen: 1. Spec info: IFSM--450A 50Hz 10ms, 500A 60Hz 8.3ms

Voorwaartse stroom (AV): 1.5A. IFSM: 30A. Behuizing: DO-214. Behuizing (volgens datablad): SMA DO214AC. VRRM: 90V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: Sb. Functie: Schottky gelijkrichterdiode. MRI (max.): 1mA. MRI (min): 100uA. Markering op de kast: BYS109. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Gewicht: 0.064g. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 0.75V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.75V. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms

Voorwaartse stroom (AV): 3A. IFSM: 60A. Behuizing: DO-201. Behuizing (volgens datablad): DO-201AD ( 9.5x5.3mm ). VRRM: 400V. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 16 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.5V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Spec info: Ifrm 60Ap tp=10ms

Voorwaartse stroom (AV): 8A. IFSM: 100A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AC. VRRM: 1000V. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 65 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.9V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.4V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Spec info: Ifrm 100Ap tp>10uS (Ifrm 50Ap tp=10ms)

Voorwaartse stroom (AV): 5A. VRRM: 500V. Dubbele: Dubbele. Halfgeleidermateriaal: silicium. Tr: 50 ns. Drempelspanning Vf (max): 1.05V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.95V. Let op: Vf<1.05V. Let op: S-L ->I<-. Let op: 50A/10ms

Voorwaartse stroom (AV): 30A. IFSM: 200A. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). VRRM: 1000V. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 70 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. MRI (max.): 5mA. MRI (min): 100uA. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.9V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.8V. Aantal aansluitingen: 2. Let op: metalen onderdeel verbonden met de kathode. Aantal per doos: 1. Spec info: IFSM 200Ap t=10ms

Voorwaartse stroom (AV): 1.4A. IFSM: 50A. Behuizing: SOD-57 ( Glass ). Behuizing (volgens datablad): SOD-57 Glass. VRRM: 1000V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snelle gelijkrichting en schakeldiode. MRI (max.): 150uA. MRI (min): 5uA. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tr: 200 ns. Drempelspanning Vf (max): 1.3V. Aantal aansluitingen: 2

Voorwaartse stroom (AV): 1.25A. Behuizing: SOD-57 ( Glass ). Behuizing (volgens datablad): SOD-57 Glass. VRRM: 1000V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 2. Let op: Snelle silicium-mesa-gelijkrichters. Let op: 30App/10ms

Voorwaartse stroom (AV): 3A. IFSM: 80A. Behuizing: SOD-64 ( Glass ). Behuizing (volgens datablad): SOD-64 Glass. VRRM: 400V. Trr-diode (min.): 100 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Zeer snelle gelijkricht- en schakeldiode. MRI (max.): 150uA. MRI (min): 5uA. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.4V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 2500. Spec info: IFSM--80Ap (t=10ms)

Voorwaartse stroom (AV): 3A. IFSM: 80A. Behuizing: SOD-64 ( Glass ). Behuizing (volgens datablad): SOD-64 Glass. VRRM: 1000V. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 100 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Zeer snelle gelijkricht- en schakeldiode. MRI (max.): 150uA. MRI (min): 5uA. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.4V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.4V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 2500. Spec info: IFSM--80Ap (t=10ms)

Voorwaartse stroom (AV): 1A. IFSM: 20A. Behuizing: DO-41. Behuizing (volgens datablad): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 40V. Cj: 220pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: Sb. Functie: Schottky-diode schakelen. MRI (max.): 10mA. MRI (min): 0.5mA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+125°C. Drempelspanning Vf (max): 0.85V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.55V. Spec info: IFSM--20A t=10ms

Voorwaartse stroom (AV): 1A. IFSM: 30A. Behuizing: SOD-57 ( Glass ). Behuizing (volgens datablad): SOD-57 Glass. VRRM: 600V. Cj: 40pF. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 30 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snel zacht herstel . RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 2.5V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.3V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms

Voorwaartse stroom (AV): 1A. IFSM: 30A. Behuizing: SOD-57 ( Glass ). Behuizing (volgens datablad): SOD-57 Glass. VRRM: 800V. Cj: 40pF. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 75 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snel zacht herstel . Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 2.5V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.3V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms

Voorwaartse stroom (AV): 1A. IFSM: 30A. Behuizing: SOD-57 ( Glass ). Behuizing (volgens datablad): SOD-57 Glass. VRRM: 1000V. Cj: 40pF. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 75 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snel zacht herstel . RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 2.5V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.3V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms

Voorwaartse stroom (AV): 2A. IFSM: 50A. Behuizing: SOD-57 ( Glass ). Behuizing (volgens datablad): SOD-57 Glass ( 4.5x3.6mm ). VRRM: 600V. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 40 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Ultra Fast Avalanche Sinterglass Diode. MRI (max.): 150uA. MRI (min): 5uA. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.07V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.88V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Spec info: IFSM--50App, t=10mS