Standaard- en gelijkrichterdiodes

Voorwaartse stroom (AV): 3A. IFSM: 50A. Behuizing: SOD-64 ( Glass ). Behuizing (volgens datablad): SOD-64 Glass ( 4.2x4.3mm ). VRRM: 1500V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 2us. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: 4.2x4.3mm. MRI (max.): 140uA. MRI (min): 2uA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--50Ap (tp=10ms). Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.5V

VRRM: 1300V. Voorwaartse stroom (AV): 3A. IFSM: 100A. Behuizing: DO-27. Behuizing (volgens datablad): DO-27 ( 9x5.2mm ). RoHS: ja. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.1V. Cj: 40pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. MRI (max.): 500uA. MRI (min): 5uA. Aantal aansluitingen: 2. Spec info: IFSM--200Ap (t=8.3ms). Montage/installatie: PCB-doorvoermontage

Voorwaartse stroom (AV): 2A. IFSM: 70A. Behuizing: DO-15. Behuizing (volgens datablad): DO-15 ( 7.6x3.6mm ). VRRM: 200V. Cj: 40pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 150 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: FAST RECOVERY RECTIFIER. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifms 70Ap. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.3V

Voorwaartse stroom (AV): 2A. IFSM: 70A. Behuizing: DO-15. Behuizing (volgens datablad): DO-15 ( 7.6x3.6mm ). VRRM: 800V. RoHS: ja. Cj: 40pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 500 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: FAST RECOVERY RECTIFIER. Aantal aansluitingen: 2. Spec info: Ifms 70Ap. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.3V

Voorwaartse stroom (AV): 3A. IFSM: 200A. Behuizing: DO-27. Behuizing (volgens datablad): DO-27 ( 9.5x5.6mm ). VRRM: 800V. Cj: 65pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 500 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snel schakelen. MRI (max.): 150uA. MRI (min): 10uA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: 200Ap. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.3V

Voorwaartse stroom (AV): 2A. IFSM: 30A. Behuizing: SOD-57 ( Glass ). Behuizing (volgens datablad): SOD-57 Glass. VRRM: 1500V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 2us. Halfgeleidermateriaal: silicium. MRI (max.): 140uA. MRI (min): 3uA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.6V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.6V

Voorwaartse stroom (AV): 4A. Behuizing (volgens datablad): SOD-57. VRRM: 1200V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: 1000 ns. Let op: 30App/10ms. Aantal aansluitingen: 2. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage

Voorwaartse stroom (AV): 12A. VRRM: 1500V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: 48...82kHz. Let op: Monitor CRT-GI. Let op: TO-220, SOD113 (kunststof behuizing)

Voorwaartse stroom (AV): 5A. IFSM: 200A. Behuizing: DO-201. Behuizing (volgens datablad): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 1000V. Cj: 15pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 200 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: silicium snelle gelijkrichterdiode. MRI (max.): 10uA. MRI (min): 5uA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm--200App t=10mS. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -50...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.3V

Voorwaartse stroom (AV): 5A. IFSM: 200A. Behuizing: DO-201. Behuizing (volgens datablad): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 400V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 200 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: silicium snelle gelijkrichterdiode. MRI (max.): 10uA. MRI (min): uA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm--200Ap, t=10ms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -50°C...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.3V

Voorwaartse stroom (AV): 5A. IFSM: 200A. Behuizing: DO-201. Behuizing (volgens datablad): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 800V. RoHS: ja. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 200 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: silicium snelle gelijkrichterdiode. MRI (max.): 10uA. Aantal aansluitingen: 2. Spec info: Ifsm--200App t=10mS. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -50...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.3V

Voorwaartse stroom (AV): 5A. IFSM: 300A. Behuizing: DO-201. Behuizing (volgens datablad): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 1000V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Silicon Rectifiers. MRI (max.): 20uA. MRI (min): 20uA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--300Ap t=8.3mS. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -50...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1V

Voorwaartse stroom (AV): 5A. IFSM: 300A. Behuizing: DO-201. Behuizing (volgens datablad): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 400V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. MRI (max.): 5uA. MRI (min): 5uA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--300Ap (t=8.3ms). Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -50...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1V

Voorwaartse stroom (AV): 5A. IFSM: 300A. Behuizing: DO-201. Behuizing (volgens datablad): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 600V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. MRI (max.): 20uA. MRI (min): 5uA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--300Ap/8.3mS. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -50...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1V

Voorwaartse stroom (AV): 1.3A. IFSM: 20A. Behuizing: SOD-81. Behuizing (volgens datablad): SOD-81. VRRM: 200V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 250 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snelle Soft-Rocovery gelijkrichterdiode . MRI (max.): 100uA. MRI (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--20Ap (t=10ms). Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.7V

Voorwaartse stroom (AV): 1.3A. IFSM: 20A. Behuizing: SOD-81. Behuizing (volgens datablad): SOD-81. VRRM: 600V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 250 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snelle Soft-Rocovery gelijkrichterdiode . Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: 20Ap f=10ms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.1V

Voorwaartse stroom (AV): 1.3A. IFSM: 20A. Behuizing: SOD-81. Behuizing (volgens datablad): SOD-81. VRRM: 1000V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 300 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. MRI (max.): 100uA. MRI (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 2. Spec info: IFSM--20Ap t=10ms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Drempelspanning Vf (max): 1.3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.1V

Voorwaartse stroom (AV): 2.3A. Behuizing: SOD-64 ( Glass ). Behuizing (volgens datablad): SOD-64 Glass. VRRM: 400V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: S,contr,av. Let op: 45App/10ms. Aantal aansluitingen: 2. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage

Voorwaartse stroom (AV): 35A. IFSM: 400A. VRRM: 600V. Diameter: 12.75mm. Cj: 250pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: behuizing verbonden met de kathode. Trr-diode (min.): 1500 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. Aantal aansluitingen: 1. RoHS: ja. Spec info: IFSM--360A 50Hz 10ms, 400A 60Hz 8.3ms. Gewicht: 10g. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -50...+215°C. Drempelspanning Vf (max): 1.1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.1V

Voorwaartse stroom (AV): 35A. IFSM: 400A. VRRM: 600V. Diameter: 12.75mm. Cj: 250pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: behuizing verbonden met de anode. Trr-diode (min.): 1500 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. Aantal aansluitingen: 1. RoHS: ja. Spec info: IFSM--360A 50Hz 10ms, 400A 60Hz 8.3ms. Gewicht: 10g. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -50...+215°C. Drempelspanning Vf (max): 1.1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.1V

Voorwaartse stroom (AV): 60A. IFSM: 500A. VRRM: 600V. Diameter: 12.75mm. Cj: 430pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: behuizing verbonden met de kathode. Trr-diode (min.): 1500 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. Aantal aansluitingen: 1. RoHS: ja. Spec info: IFSM--450A 50Hz 10ms, 500A 60Hz 8.3ms. Gewicht: 10g. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -50...+200°C. Drempelspanning Vf (max): 1.1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.1V

Voorwaartse stroom (AV): 60A. IFSM: 500A. VRRM: 600V. Diameter: 12.75mm. Cj: 430pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: behuizing verbonden met de anode. Trr-diode (min.): 1500 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. Aantal aansluitingen: 1. RoHS: ja. Spec info: IFSM--450A 50Hz 10ms, 500A 60Hz 8.3ms. Gewicht: 10g. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -50...+200°C. Drempelspanning Vf (max): 1.1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.1V

Voorwaartse stroom (AV): 1.5A. IFSM: 30A. Behuizing: DO-214. Behuizing (volgens datablad): SMA DO214AC. VRRM: 90V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: Sb. Functie: Schottky gelijkrichterdiode. MRI (max.): 1mA. MRI (min): 100uA. Markering op de kast: BYS109. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms. Gewicht: 0.064g. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 0.75V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.75V

Voorwaartse stroom (AV): 3A. IFSM: 60A. Behuizing: DO-201. Behuizing (volgens datablad): DO-201AD ( 9.5x5.3mm ). VRRM: 400V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 16 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifrm 60Ap tp=10ms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.5V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1V

Voorwaartse stroom (AV): 8A. IFSM: 100A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AC. VRRM: 1000V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 65 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifrm 100Ap tp>10uS (Ifrm 50Ap tp=10ms). Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.9V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.4V