Standaard- en gelijkrichterdiodes

Voorwaartse stroom (AV): 60A. IFSM: 500A. VRRM: 600V. Diameter: 12.75mm. Cj: 430pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: behuizing verbonden met de kathode. Trr-diode (min.): 1500 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. Aantal aansluitingen: 1. RoHS: ja. Spec info: IFSM--450A 50Hz 10ms, 500A 60Hz 8.3ms. Gewicht: 10g. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -50...+200°C. Drempelspanning Vf (max): 1.1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.1V

Voorwaartse stroom (AV): 60A. IFSM: 500A. VRRM: 600V. Diameter: 12.75mm. Cj: 430pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: behuizing verbonden met de anode. Trr-diode (min.): 1500 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. Aantal aansluitingen: 1. RoHS: ja. Spec info: IFSM--450A 50Hz 10ms, 500A 60Hz 8.3ms. Gewicht: 10g. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -50...+200°C. Drempelspanning Vf (max): 1.1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.1V

Voorwaartse stroom (AV): 1.5A. IFSM: 30A. Behuizing: DO-214. Behuizing (volgens datablad): SMA DO214AC. VRRM: 90V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: Sb. Functie: Schottky gelijkrichterdiode. MRI (max.): 1mA. MRI (min): 100uA. Markering op de kast: BYS109. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms. Gewicht: 0.064g. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 0.75V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.75V

Voorwaartse stroom (AV): 3A. IFSM: 60A. Behuizing: DO-201. Behuizing (volgens datablad): DO-201AD ( 9.5x5.3mm ). VRRM: 400V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 16 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifrm 60Ap tp=10ms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.5V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1V

Voorwaartse stroom (AV): 8A. IFSM: 100A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AC. VRRM: 1000V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 65 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifrm 100Ap tp>10uS (Ifrm 50Ap tp=10ms). Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.9V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.4V

Voorwaartse stroom (AV): 5A. VRRM: 500V. Dubbele: Dubbele. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: Vf<1.05V. Let op: S-L ->I<-. Let op: 50A/10ms. Tr: 50 ns. Drempelspanning Vf (max): 1.05V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.95V

Voorwaartse stroom (AV): 30A. IFSM: 200A. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). VRRM: 1000V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 70 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: metalen onderdeel verbonden met de kathode. MRI (max.): 5mA. MRI (min): 100uA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM 200Ap t=10ms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.9V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.8V

Voorwaartse stroom (AV): 1.4A. IFSM: 50A. Behuizing: SOD-57 ( Glass ). Behuizing (volgens datablad): SOD-57 Glass. VRRM: 1000V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snelle gelijkrichting en schakeldiode. MRI (max.): 150uA. MRI (min): 5uA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tr: 200 ns. Drempelspanning Vf (max): 1.3V

Voorwaartse stroom (AV): 1.25A. Behuizing: SOD-57 ( Glass ). Behuizing (volgens datablad): SOD-57 Glass. VRRM: 1000V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: Snelle silicium-mesa-gelijkrichters. Let op: 30App/10ms. Aantal aansluitingen: 2. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage

Voorwaartse stroom (AV): 3A. IFSM: 80A. Behuizing: SOD-64 ( Glass ). Behuizing (volgens datablad): SOD-64 Glass. VRRM: 400V. Conditioneringseenheid: 2500. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 100 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Zeer snelle gelijkricht- en schakeldiode. MRI (max.): 150uA. MRI (min): 5uA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--80Ap (t=10ms). Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.4V

Voorwaartse stroom (AV): 3A. IFSM: 80A. Behuizing: SOD-64 ( Glass ). Behuizing (volgens datablad): SOD-64 Glass. VRRM: 1000V. Conditioneringseenheid: 2500. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 100 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Zeer snelle gelijkricht- en schakeldiode. MRI (max.): 150uA. MRI (min): 5uA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--80Ap (t=10ms). Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.4V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.4V

Voorwaartse stroom (AV): 1A. IFSM: 20A. Behuizing: DO-41. Behuizing (volgens datablad): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 40V. Cj: 220pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: Sb. Functie: Schottky-diode schakelen. MRI (max.): 10mA. MRI (min): 0.5mA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--20A t=10ms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+125°C. Drempelspanning Vf (max): 0.85V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.55V

Voorwaartse stroom (AV): 1A. IFSM: 30A. Behuizing: SOD-57 ( Glass ). Behuizing (volgens datablad): SOD-57 Glass. VRRM: 600V. Cj: 40pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 30 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snel zacht herstel . Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 2.5V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.3V

Voorwaartse stroom (AV): 1A. IFSM: 30A. Behuizing: SOD-57 ( Glass ). Behuizing (volgens datablad): SOD-57 Glass. VRRM: 800V. Cj: 40pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 75 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snel zacht herstel . Aantal aansluitingen: 2. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 2.5V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.3V

Voorwaartse stroom (AV): 1A. IFSM: 30A. Behuizing: SOD-57 ( Glass ). Behuizing (volgens datablad): SOD-57 Glass. VRRM: 1000V. Cj: 40pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 75 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snel zacht herstel . Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 2.5V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.3V

Voorwaartse stroom (AV): 2A. IFSM: 50A. Behuizing: SOD-57 ( Glass ). Behuizing (volgens datablad): SOD-57 Glass ( 4.5x3.6mm ). VRRM: 600V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 40 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Ultra Fast Avalanche Sinterglass Diode. MRI (max.): 150uA. MRI (min): 5uA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--50App, t=10mS. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.07V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.88V

Voorwaartse stroom (AV): 3.5A. IFSM: 90A. Behuizing: SOD-64 ( Glass ). Behuizing (volgens datablad): SOD-64 Glass. VRRM: 200V. Cj: 190pF. Conditioneringseenheid: 2500. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 30 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Lawine Sinterglas Diode Snel . Productiedatum: 201412. MRI (max.): 100uA. MRI (min): 1uA. Markering op de kast: BYV28-200. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm--90A, t=10mS. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.89V

Voorwaartse stroom (AV): 3.1A. IFSM: 90A. Behuizing: SOD-64 ( Glass ). Behuizing (volgens datablad): SOD-64 Glass. VRRM: 600V. Cj: 125pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 50 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Ultra fast low-loss controlled avalanche rect.. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm--90A, t=10mS. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.25V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.93V

Voorwaartse stroom (AV): 9A. IFSM: 100A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AC ( SOD59 ). VRRM: 500V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 50 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snel schakelen. MRI (max.): 50uA. MRI (min): 2uA. Aantal aansluitingen: 2. Temperatuur: +150°C. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 110Ap t=8.3ms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Drempelspanning Vf (max): 1.4V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.9V

Voorwaartse stroom (AV): 10A. IFSM: 125A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): SOT78 (TO-220AB). VRRM: 200V. RoHS: ja. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Aantal per doos: 2. Diëlektrische structuur: gemeenschappelijke kathode. Trr-diode (min.): 20 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: ULTRA FAST. Let op: gemeenschappelijke kathode. Markering op de kast: BYV32E-200. Equivalenten: BYV32-200G, BYV32E-200.127, BYV32-200-E3/45. Aantal aansluitingen: 3. Spec info: Ifsm 125A t=10ms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 0.85V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.72V

Voorwaartse stroom (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB, SOT78. VRRM: 500V. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Aantal per doos: 2. Diëlektrische structuur: gemeenschappelijke kathode. Trr-diode (min.): 50 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snel schakelen. Markering op de kast: BYV34-500. Aantal aansluitingen: 3. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 120A t=10ms, 132A t=8.3ms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.05V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.87V

Voorwaartse stroom (AV): 2A. IFSM: 50A. Behuizing: SOD-57 ( Glass ). Behuizing (volgens datablad): SOD-57 Glass passivated. VRRM: 1000V. Cj: 15pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 300 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snelle silicium-mesa-gelijkrichters. Productiedatum: 2013/40. MRI (max.): 150uA. MRI (min): 5uA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: IFMS 50Ap (t=10ms). Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1V

Voorwaartse stroom (AV): 15A. IFSM: 75A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB ( SOT78 ). VRRM: 150V. Aantal per doos: 2. Diëlektrische structuur: gemeenschappelijke kathode. Trr-diode (min.): 20 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Gelijkrichterdiodes, ultrasnel, robuust. Let op: gemeenschappelijke kathode. MRI (max.): 1mA. MRI (min): 0.5mA. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. RoHS: ja. Spec info: Ifsm--75Ap t=10ms / diode. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Drempelspanning Vf (max): 1.05V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.78V

Voorwaartse stroom (AV): 15A. IFSM: 75A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB ( SOT78 ). VRRM: 200V. RoHS: ja. Aantal per doos: 2. Diëlektrische structuur: gemeenschappelijke kathode. Trr-diode (min.): 20 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Gelijkrichterdiodes, ultrasnel, robuust. MRI (max.): 1mA. MRI (min): 0.5mA. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Spec info: Ifsm--75Ap t=10ms / diode. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.05V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.78V

Voorwaartse stroom (AV): 12.7A. IFSM: 150A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220-2. VRRM: 200V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 20 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: ultrasnelle gelijkrichterdiode. MRI (max.): 50uA. MRI (min): 5uA. Aantal aansluitingen: 2. Temperatuur: +150°C. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 150Ap t=10ms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Drempelspanning Vf (max): 1.05V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.83V