Standaard- en gelijkrichterdiodes

Diameter: 12.75mm. Cj: 250pF. Diëlektrische structuur: behuizing verbonden met de kathode. Trr-diode (min.): 1500 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. Voorwaartse stroom (AV): 35A. IFSM: 400A. RoHS: ja. Gewicht: 10g. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -50...+215°C. Drempelspanning Vf (max): 1.1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Aantal per doos: 1. Aantal aansluitingen: 1. Spec info: IFSM--360A 50Hz 10ms, 400A 60Hz 8.3ms

Diameter: 12.75mm. Cj: 250pF. Diëlektrische structuur: behuizing verbonden met de anode. Trr-diode (min.): 1500 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. Voorwaartse stroom (AV): 35A. IFSM: 400A. RoHS: ja. Gewicht: 10g. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -50...+215°C. Drempelspanning Vf (max): 1.1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Aantal per doos: 1. Aantal aansluitingen: 1. Spec info: IFSM--360A 50Hz 10ms, 400A 60Hz 8.3ms

Diameter: 12.75mm. Cj: 430pF. Diëlektrische structuur: behuizing verbonden met de kathode. Trr-diode (min.): 1500 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. Voorwaartse stroom (AV): 60A. IFSM: 500A. RoHS: ja. Gewicht: 10g. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -50...+200°C. Drempelspanning Vf (max): 1.1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Aantal per doos: 1. Aantal aansluitingen: 1. Spec info: IFSM--450A 50Hz 10ms, 500A 60Hz 8.3ms

Diameter: 12.75mm. Cj: 430pF. Diëlektrische structuur: behuizing verbonden met de anode. Trr-diode (min.): 1500 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. Voorwaartse stroom (AV): 60A. IFSM: 500A. RoHS: ja. Gewicht: 10g. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -50...+200°C. Drempelspanning Vf (max): 1.1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Aantal per doos: 1. Aantal aansluitingen: 1. Spec info: IFSM--450A 50Hz 10ms, 500A 60Hz 8.3ms

Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: Sb. Functie: Schottky gelijkrichterdiode. Voorwaartse stroom (AV): 1.5A. IFSM: 30A. MRI (max.): 1mA. MRI (min): 100uA. Markering op de kast: BYS109. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Gewicht: 0.064g. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: DO-214. Behuizing (volgens datablad): SMA DO214AC. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 0.75V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.75V. VRRM: 90V. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms

Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 16 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 3A. IFSM: 60A. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DO-201. Behuizing (volgens datablad): DO-201AD ( 9.5x5.3mm ). Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.5V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1V. VRRM: 400V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Spec info: Ifrm 60Ap tp=10ms

Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 65 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 8A. IFSM: 100A. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AC. Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.9V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.4V. VRRM: 1000V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Spec info: Ifrm 100Ap tp>10uS (Ifrm 50Ap tp=10ms)

Dubbele: Dubbele. Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 5A. Tr: 50 ns. Drempelspanning Vf (max): 1.05V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.95V. VRRM: 500V. Let op: Vf<1.05V. Let op: S-L ->I<-. Let op: 50A/10ms

Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 70 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 30A. IFSM: 200A. MRI (max.): 5mA. MRI (min): 100uA. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.9V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.8V. VRRM: 1000V. Aantal aansluitingen: 2. Let op: metalen onderdeel verbonden met de kathode. Aantal per doos: 1. Spec info: IFSM 200Ap t=10ms

Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snelle gelijkrichting en schakeldiode. Voorwaartse stroom (AV): 1.4A. IFSM: 50A. MRI (max.): 150uA. MRI (min): 5uA. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: SOD-57 ( Glass ). Behuizing (volgens datablad): SOD-57 Glass. Tr: 200 ns. Drempelspanning Vf (max): 1.3V. VRRM: 1000V. Aantal aansluitingen: 2

Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 1.25A. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: SOD-57 ( Glass ). Behuizing (volgens datablad): SOD-57 Glass. VRRM: 1000V. Aantal aansluitingen: 2. Let op: Snelle silicium-mesa-gelijkrichters. Let op: 30App/10ms

Trr-diode (min.): 100 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Zeer snelle gelijkricht- en schakeldiode. Voorwaartse stroom (AV): 3A. IFSM: 80A. MRI (max.): 150uA. MRI (min): 5uA. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: SOD-64 ( Glass ). Behuizing (volgens datablad): SOD-64 Glass. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.4V. VRRM: 400V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 2500. Spec info: IFSM--80Ap (t=10ms)

Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 100 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Zeer snelle gelijkricht- en schakeldiode. Voorwaartse stroom (AV): 3A. IFSM: 80A. MRI (max.): 150uA. MRI (min): 5uA. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: SOD-64 ( Glass ). Behuizing (volgens datablad): SOD-64 Glass. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.4V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.4V. VRRM: 1000V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 2500. Spec info: IFSM--80Ap (t=10ms)

Cj: 220pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: Sb. Functie: Schottky-diode schakelen. Voorwaartse stroom (AV): 1A. IFSM: 20A. MRI (max.): 10mA. MRI (min): 0.5mA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DO-41. Behuizing (volgens datablad): DO-41 ( DO-204AL ). Bedrijfstemperatuur: -65...+125°C. Drempelspanning Vf (max): 0.85V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.55V. VRRM: 40V. Spec info: IFSM--20A t=10ms

Cj: 40pF. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 30 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snel zacht herstel . Voorwaartse stroom (AV): 1A. IFSM: 30A. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: SOD-57 ( Glass ). Behuizing (volgens datablad): SOD-57 Glass. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 2.5V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.3V. VRRM: 600V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms

Cj: 40pF. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 75 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snel zacht herstel . Voorwaartse stroom (AV): 1A. IFSM: 30A. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: SOD-57 ( Glass ). Behuizing (volgens datablad): SOD-57 Glass. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 2.5V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.3V. VRRM: 800V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms

Cj: 40pF. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 75 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snel zacht herstel . Voorwaartse stroom (AV): 1A. IFSM: 30A. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: SOD-57 ( Glass ). Behuizing (volgens datablad): SOD-57 Glass. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 2.5V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.3V. VRRM: 1000V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms

Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 40 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Ultra Fast Avalanche Sinterglass Diode. Voorwaartse stroom (AV): 2A. IFSM: 50A. MRI (max.): 150uA. MRI (min): 5uA. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: SOD-57 ( Glass ). Behuizing (volgens datablad): SOD-57 Glass ( 4.5x3.6mm ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.07V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.88V. VRRM: 600V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Spec info: IFSM--50App, t=10mS

Cj: 190pF. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 30 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Lawine Sinterglas Diode Snel . Productiedatum: 201412. Voorwaartse stroom (AV): 3.5A. IFSM: 90A. MRI (max.): 100uA. MRI (min): 1uA. Markering op de kast: BYV28-200. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: SOD-64 ( Glass ). Behuizing (volgens datablad): SOD-64 Glass. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.89V. VRRM: 200V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 2500. Spec info: Ifsm--90A, t=10mS

Cj: 125pF. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 50 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Ultra fast low-loss controlled avalanche rect.. Voorwaartse stroom (AV): 3.1A. IFSM: 90A. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: SOD-64 ( Glass ). Behuizing (volgens datablad): SOD-64 Glass. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.25V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.93V. VRRM: 600V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Spec info: Ifsm--90A, t=10mS

Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 50 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snel schakelen. Voorwaartse stroom (AV): 9A. IFSM: 100A. MRI (max.): 50uA. MRI (min): 2uA. Temperatuur: +150°C. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AC ( SOD59 ). Drempelspanning Vf (max): 1.4V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.9V. VRRM: 500V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Spec info: Ifsm 110Ap t=8.3ms

Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Diëlektrische structuur: gemeenschappelijke kathode. Trr-diode (min.): 20 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: ULTRA FAST. Voorwaartse stroom (AV): 10A. IFSM: 125A. Markering op de kast: BYV32E-200. Equivalenten: BYV32-200G, BYV32E-200.127, BYV32-200-E3/45. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): SOT78 (TO-220AB). Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 0.85V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.72V. VRRM: 200V. Aantal per doos: 2. Aantal aansluitingen: 3. Let op: gemeenschappelijke kathode. Spec info: Ifsm 125A t=10ms

Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Diëlektrische structuur: gemeenschappelijke kathode. Trr-diode (min.): 50 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snel schakelen. Voorwaartse stroom (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Markering op de kast: BYV34-500. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB, SOT78. Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.05V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.87V. VRRM: 500V. Aantal per doos: 2. Aantal aansluitingen: 3. Spec info: Ifsm 120A t=10ms, 132A t=8.3ms

Cj: 15pF. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 300 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snelle silicium-mesa-gelijkrichters. Productiedatum: 2013/40. Voorwaartse stroom (AV): 2A. IFSM: 50A. MRI (max.): 150uA. MRI (min): 5uA. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: SOD-57 ( Glass ). Behuizing (volgens datablad): SOD-57 Glass passivated. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1V. VRRM: 1000V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Spec info: IFMS 50Ap (t=10ms)

Diëlektrische structuur: gemeenschappelijke kathode. Trr-diode (min.): 20 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 15A. IFSM: 75A. MRI (max.): 1mA. MRI (min): 0.5mA. Temperatuur: +150°C. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB ( SOT78 ). Drempelspanning Vf (max): 1.05V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.78V. VRRM: 150V. Aantal per doos: 2. Aantal aansluitingen: 3. Let op: gemeenschappelijke kathode. Functie: Gelijkrichterdiodes, ultrasnel, robuust. Spec info: Ifsm--75Ap t=10ms / diode