Standaard- en gelijkrichterdiodes

Let op: Varicap-diode

Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: Sb. Voorwaartse stroom (AV): 8A. IFSM: 155A. MRI (max.): 20mA. MRI (min): 5mA. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DO-201. Behuizing (volgens datablad): DO-201AD ( 7.5x5.4mm ). Bedrijfstemperatuur: -50...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 0.83V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.75V. VRRM: 90V. Aantal aansluitingen: 2. Functie: Schottky-barrière gelijkrichterdiode, axiale kabels. Spec info: Ifsm 132Ap t=10us

Cj: 1.8pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 1500 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: hoogspanningsgelijkrichterdiode. Voorwaartse stroom (AV): 0.5A. IFSM: 30A. MRI (max.): 25uA. MRI (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 2. Afmetingen: 7.3x22mm. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): 7.3x22mm. Ontvlambaarheidsklasse: UL94V-0. Bedrijfstemperatuur: -50...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 10V. VRRM: 12000V

RoHS: ja. Behuizing: DO-41. Cj: 15pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): DO-41. Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 1A. IFSM: 30A. MRI (max.): 500uA. MRI (min): 5uA. Aantal aansluitingen: 2. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): DO-41 ( 2.6x4.8mm ). Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.1V. VRRM: 1300V. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS

Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 1.2A. VRRM: 50V

Aantal per doos: 1. Diode Tff(25°C): 300 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 0.25A. IFSM: 20A. MRI (max.): 2uA. Aantal aansluitingen: 2. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: SOD-57 ( Glass ). Behuizing (volgens datablad): SOD-57 Glass passivated. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 2.4V. VRRM: 2000V. Spec info: IFSM--20Ap t=10ms

Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 0.75A. VRRM: 600V

Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 1.5A. Let op: GR. VRRM: 650V

Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 2us. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: montage van koellichaam. Voorwaartse stroom (AV): 3A. IFSM: 50A. Let op: 4.2x4.3mm. MRI (max.): 140uA. MRI (min): 2uA. Markering op de kast: 97053100. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: SOD-64 ( Glass ). Behuizing (volgens datablad): SOD-64 Glass. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.5V. VRRM: 1500V. Spec info: IFSM--50Ap (t=10ms)

Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 2us. Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 3A. IFSM: 50A. Let op: 4.2x4.3mm. MRI (max.): 140uA. MRI (min): 2uA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: SOD-64 ( Glass ). Behuizing (volgens datablad): SOD-64 Glass ( 4.2x4.3mm ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.5V. VRRM: 1500V. Spec info: IFSM--50Ap (tp=10ms)

Cj: 40pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 150 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: FAST RECOVERY RECTIFIER. Voorwaartse stroom (AV): 2A. IFSM: 70A. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DO-15. Behuizing (volgens datablad): DO-15 ( 7.6x3.6mm ). Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.3V. VRRM: 200V. Spec info: Ifms 70Ap

RoHS: ja. Cj: 40pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 500 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: FAST RECOVERY RECTIFIER. Voorwaartse stroom (AV): 2A. IFSM: 70A. Aantal aansluitingen: 2. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DO-15. Behuizing (volgens datablad): DO-15 ( 7.6x3.6mm ). Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.3V. VRRM: 800V. Spec info: Ifms 70Ap

Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 2us. Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 2A. IFSM: 30A. MRI (max.): 140uA. MRI (min): 3uA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: SOD-57 ( Glass ). Behuizing (volgens datablad): SOD-57 Glass. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.6V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.6V. VRRM: 1500V. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms

Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 4A. Let op: 1000 ns. Let op: 30App/10ms. Aantal aansluitingen: 2. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): SOD-57. VRRM: 1200V

Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 12A. Let op: Monitor CRT-GI. Let op: TO-220, SOD113 (kunststof behuizing). VRRM: 1500V. Let op: 48...82kHz

Cj: 15pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 200 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: silicium snelle gelijkrichterdiode. Voorwaartse stroom (AV): 5A. IFSM: 200A. MRI (max.): 10uA. MRI (min): 5uA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DO-201. Behuizing (volgens datablad): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Bedrijfstemperatuur: -50...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.3V. VRRM: 1000V. Spec info: Ifsm--200App t=10mS

Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 200 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: silicium snelle gelijkrichterdiode. Voorwaartse stroom (AV): 5A. IFSM: 200A. MRI (max.): 10uA. MRI (min): uA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DO-201. Behuizing (volgens datablad): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Bedrijfstemperatuur: -50°C...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.3V. VRRM: 400V. Spec info: Ifsm--200Ap, t=10ms

Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 200 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: silicium snelle gelijkrichterdiode. Voorwaartse stroom (AV): 5A. IFSM: 200A. MRI (max.): 10uA. MRI (min): 220A. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DO-201. Behuizing (volgens datablad): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Bedrijfstemperatuur: -50...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.3V. VRRM: 800V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Spec info: Ifsm--200App t=10mS

Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Silicon Rectifiers. Voorwaartse stroom (AV): 5A. IFSM: 300A. MRI (max.): 20uA. MRI (min): 20uA. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DO-201. Behuizing (volgens datablad): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Bedrijfstemperatuur: -50...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1V. VRRM: 1000V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Spec info: IFSM--300Ap t=8.3mS

Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 5A. IFSM: 300A. MRI (max.): 5uA. MRI (min): 5uA. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DO-201. Behuizing (volgens datablad): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Bedrijfstemperatuur: -50...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1V. VRRM: 400V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Spec info: IFSM--300Ap (t=8.3ms)

Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 5A. IFSM: 300A. MRI (max.): 20uA. MRI (min): 5uA. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DO-201. Behuizing (volgens datablad): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Bedrijfstemperatuur: -50...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1V. VRRM: 600V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Spec info: IFSM--300Ap/8.3mS

Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 250 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snelle Soft-Rocovery gelijkrichterdiode . Voorwaartse stroom (AV): 1.3A. IFSM: 20A. MRI (max.): 100uA. MRI (min): 1uA. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: SOD-81. Behuizing (volgens datablad): SOD-81. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.7V. VRRM: 200V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Spec info: IFSM--20Ap (t=10ms)

Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 250 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snelle Soft-Rocovery gelijkrichterdiode . Voorwaartse stroom (AV): 1.3A. IFSM: 20A. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: SOD-81. Behuizing (volgens datablad): SOD-81. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Spec info: 20Ap f=10ms

Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 300 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 1.3A. IFSM: 20A. MRI (max.): 100uA. MRI (min): 1uA. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: SOD-81. Behuizing (volgens datablad): SOD-81. Drempelspanning Vf (max): 1.3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Spec info: IFSM--20Ap t=10ms

Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 2.3A. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: SOD-64 ( Glass ). Behuizing (volgens datablad): SOD-64 Glass. VRRM: 400V. Aantal aansluitingen: 2. Let op: S,contr,av. Let op: 45App/10ms