Standaard- en gelijkrichterdiodes

Voorwaartse stroom (AV): 20mA. Behuizing: SOD-323. Behuizing (volgens datablad): SOD-323. VRRM: 40V. Halfgeleidermateriaal: Sb. Let op: IFSM 0.75App/10ms. Aantal aansluitingen: 2. Schottky-diode?: schottky. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD)

Voorwaartse stroom (AV): 30mA. IFSM: 0.5A. Behuizing: DO-35 ( SOD27 ). Behuizing (volgens datablad): DO-35. VRRM: 60V. Cj: 1.6pF. Conditionering: rol. Conditioneringseenheid: 10000. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: Sb. Functie: Schottky-diode schakelen. MRI (max.): 200nA. Markering op de kast: BAT83S. Aantal aansluitingen: 2. Temperatuur: +125°C. RoHS: ja. Spec info: IFMS 0.5Ap/10ms. Hoogte: 1.6x3.9mm. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -55...+125°C. Drempelspanning Vf (max): 1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 330mV

Voorwaartse stroom (AV): 0.2A. IFSM: 5A. Behuizing: DO-34 ( SOD68 ). Behuizing (volgens datablad): DO-34 ( 1.6x3.04 ). VRRM: 50V. Cj: 8pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 4 ns. Halfgeleidermateriaal: Sb. Functie: Schottky-diode. Let op: Schottky-diode schakelen. MRI (max.): 5uA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--5Ap t=10ms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+125°C. Drempelspanning Vf (max): 900mV. Voorwaartse spanning Vf (min): 300mV

Voorwaartse stroom (AV): 0.2A. IFSM: 5A. Behuizing: DO-35 ( SOD27 ). Behuizing (volgens datablad): DO-35. VRRM: 50V. Cj: 8pF. Conditionering: rol. Conditioneringseenheid: 10000. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: Sb. Functie: Schottky-diode schakelen. MRI (max.): 5uA. Markering op de kast: BTA86S. Aantal aansluitingen: 2. Temperatuur: +125°C. Afmetingen: 3.9x1.6mm. RoHS: ja. Spec info: IFMS 5Ap/10ms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Drempelspanning Vf (max): 900mV. Voorwaartse spanning Vf (min): 300mV

Behuizing: miniMELF. VRRM: 4.87k Ohms. Gemiddelde gelijkgerichte stroom per diode: 0.2A. Soort diode: Switching. Diodeconfiguratie: onafhankelijk. Voorwaartse spanning (max.): <1.0V / 0.1A. Montagetype: SMD. Omgekeerde lekstroom: 100nA / 300V. Omgekeerde hersteltijd (max.): 50ns. Serie: BAV

Behuizing: SOT23. VRRM: 100V. Gemiddelde gelijkgerichte stroom per diode: 0.125A. Soort diode: Switching. Voorwaartse spanning (max.): <1.25V / 0.15A. Montagetype: SMD. Omgekeerde lekstroom: 500nA / 80V. Omgekeerde hersteltijd (max.): 4ns. Serie: BAV

Voorwaartse stroom (AV): 250mA. IFSM: 1A. Behuizing: 12.7k Ohms. Behuizing (volgens datablad): SOD-80 ( 3.5x1.5mm ). VRRM: 250V. Cj: 1.5pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 50 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Kleine signalen Schakeldiodes, hoogspanning. Aantal aansluitingen: 2. Temperatuur: +175°C. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Drempelspanning Vf (max): 1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1V

Voorwaartse stroom (AV): 0.25A. IFSM: 1A. Behuizing: DO-35 ( SOD27 ). Behuizing (volgens datablad): DO-35. VRRM: 60V. Cj: 1.5pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 50 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Diodes voor algemene doeleinden. Let op: IFSM--1App tp= 1s, Tj=25°C. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Drempelspanning Vf (max): 1.25V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1V

Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 85V. Voorwaartse stroom (AV): 200mA. IFSM: 500mA. RoHS: ja. Spec info: IFSM--4.5A (tp=1us), 0.5A (tp=1s). Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Drempelspanning Vf (max): 1.25V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.9V. Cj: 2pF. Aantal per doos: 2. Diëlektrische structuur: Gemeenschappelijke anode-kathode (middelpunt). Trr-diode (min.): 0.6us. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: dubbele lekarme diode. Productiedatum: 2014/49. MRI (max.): 80nA. MRI (min): 5nA. Markering op de kast: JYs. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C

Voorwaartse stroom (AV): 0.25A. IFSM: 1A. Behuizing: DO-35 ( SOD27 ). Behuizing (volgens datablad): DO-35. VRRM: 200V. Cj: 1.5pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 50 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Diodes voor algemene doeleinden. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--1App tp=1s, Tj=25°C. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Drempelspanning Vf (max): 1.25V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1V

Voorwaartse stroom (AV): 0.25A. IFSM: 1A. Behuizing: DO-35 ( SOD27 ). Behuizing (volgens datablad): DO-35. VRRM: 250V. Cj: 5pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 50 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Diodes voor algemene doeleinden. Let op: S. Let op: IFSM--1App tp= 1s, Tj=25°C. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Drempelspanning Vf (max): 1.25V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1V

Behuizing: SOT23. VRRM: 70V. Gemiddelde gelijkgerichte stroom per diode: 0.15A. Soort diode: Switching. Voorwaartse spanning (max.): <1.0V / 0.05A. Montagetype: SMD. Omgekeerde lekstroom: 30nA / 25V. Omgekeerde hersteltijd (max.): 4ns. Serie: BAW

Voorwaartse stroom (AV): 0.6A. Behuizing: DO-35 ( SOD27 ). Behuizing (volgens datablad): DO-35 ( 1.6x3.9mm ). VRRM: 75V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: Kleine signalen schakeldiode. Let op: Ifsm--4A/1uS. Aantal aansluitingen: 2. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage

Voorwaartse stroom (AV): 200mA. IFSM: 1A. Behuizing: SOT-323. Behuizing (volgens datablad): SOT323. VRRM: 85V. RoHS: ja. Cj: 2pF. Aantal per doos: 2. Diëlektrische structuur: gemeenschappelijke anode. Trr-diode (min.): 4 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Ultra High Speed Switching. Let op: zeefdruk/SMD-code A1. MRI (max.): 50uA. MRI (min): 0.15uA. Markering op de kast: A1. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Spec info: Ifsm 4.5A t=1us, 1A t=1ms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Drempelspanning Vf (max): 1.25V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.715V

Voorwaartse stroom (AV): 0.115A. VRRM: 25V. Halfgeleidermateriaal: silicium

Voorwaartse stroom (AV): 0.115A. VRRM: 35V. Halfgeleidermateriaal: silicium

Voorwaartse stroom (AV): 8A. IFSM: 155A. Behuizing: DO-201. Behuizing (volgens datablad): DO-201AD ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 90V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: Sb. Functie: Schottky-barrière gelijkrichterdiode, axiale kabels. MRI (max.): 20mA. MRI (min): 5mA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 132Ap t=10us. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -50...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 0.83V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.75V

Voorwaartse stroom (AV): 0.5A. IFSM: 30A. Behuizing (volgens datablad): 7.3x22mm. VRRM: 12000V. Cj: 1.8pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 1500 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: hoogspanningsgelijkrichterdiode. MRI (max.): 25uA. MRI (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 2. Afmetingen: 7.3x22mm. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Ontvlambaarheidsklasse: UL94V-0. Bedrijfstemperatuur: -50...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 10V

Behuizing: DO-41. Voorwaartse stroom (AV): 1A. IFSM: 30A. Behuizing (volgens datablad): DO-41 ( 2.6x4.8mm ). VRRM: 1300V. RoHS: ja. Cj: 15pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): DO-41. Halfgeleidermateriaal: silicium. MRI (max.): 500uA. MRI (min): 5uA. Aantal aansluitingen: 2. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.1V

Behuizing (volgens datablad): 7.3x22mm. VRRM: 16000V. Voorwaartse stroom (AV): 0.3A. IFSM: 30A. RoHS: ja. Ontvlambaarheidsklasse: UL94V-0. Bedrijfstemperatuur: -50...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 15V. Cj: 1pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 1500 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: hoogspanningsgelijkrichterdiode. MRI (max.): 25uA. MRI (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 2. Afmetingen: 7.3x22mm. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage

Voorwaartse stroom (AV): 1.2A. VRRM: 50V. Halfgeleidermateriaal: silicium

Voorwaartse stroom (AV): 0.25A. IFSM: 20A. Behuizing: SOD-57 ( Glass ). Behuizing (volgens datablad): SOD-57 Glass passivated. VRRM: 2000V. Aantal per doos: 1. Diode Tff(25°C): 300 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. MRI (max.): 2uA. Aantal aansluitingen: 2. Spec info: IFSM--20Ap t=10ms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 2.4V

Voorwaartse stroom (AV): 0.75A. VRRM: 600V. Halfgeleidermateriaal: silicium

Voorwaartse stroom (AV): 1.5A. VRRM: 650V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: GR

Voorwaartse stroom (AV): 3A. IFSM: 50A. Behuizing: SOD-64 ( Glass ). Behuizing (volgens datablad): SOD-64 Glass. VRRM: 1500V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 2us. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: montage van koellichaam. Let op: 4.2x4.3mm. MRI (max.): 140uA. MRI (min): 2uA. Markering op de kast: 97053100. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--50Ap (t=10ms). Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.5V