Standaard- en gelijkrichterdiodes

Voorwaartse stroom (AV): 130mA. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 4 v. Aantal per doos: 2. Diëlektrische structuur: Gemeenschappelijke anode-kathode (middelpunt). Halfgeleidermateriaal: Sb. Functie: Mixertoepassingen in het VHF/UHF-bereik. Let op: zeefdruk/SMD-code 54s. MRI (max.): 1.25uA. MRI (min): 0.25uA. Markering op de kast: 54s. Aantal aansluitingen: 3. RoHS: ja. Spec info: RF 8 Ohms, max 15 Ohms / CT 0.55pF. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Bedrijfstemperatuur: -55...+125°C. Drempelspanning Vf (max): 0.6V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.2V

Voorwaartse stroom (AV): 30mA. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23. VRRM: 4 v. Aantal per doos: 2. Diëlektrische structuur: gemeenschappelijke kathode. Dubbele: Dubbele. Halfgeleidermateriaal: Sb. Functie: Mixertoepassingen in het VHF/UHF-bereik. Let op: zeefdruk/SMD-code 55s. MRI (max.): 1.25uA. MRI (min): 0.25uA. Markering op de kast: 55s. Aantal aansluitingen: 3. RoHS: ja. Schottky-diode?: schottky. Spec info: RF 8 Ohms, max 15 Ohms / CT 0.55pF. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Drempelspanning Vf (max): 0.6V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.2V

Voorwaartse stroom (AV): 0.1A. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23. VRRM: 35V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: Sb. Functie: VHF/UHF-band schakeldiode. Markering op de kast: A2. Aantal aansluitingen: 3. RoHS: ja. Schottky-diode?: schottky. Spec info: 0.8...1pF (f=1MHz), rD--0.5...0.7 Ohm. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Drempelspanning Vf (max): 1.2V

Voorwaartse stroom (AV): 0.1A. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23. VRRM: 35V. Aantal per doos: 2. Diëlektrische structuur: Gemeenschappelijke anode-kathode (middelpunt). Halfgeleidermateriaal: Sb. Functie: VHF/UHF-band Schakeldiode 10 MHz. Markering op de kast: AUs. Aantal aansluitingen: 3. RoHS: ja. Schottky-diode?: schottky. Spec info: 0.75...1pF (f=1MHz), rf--0.4...0.7 Ohm. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Tf (type): 120ns. Drempelspanning Vf (max): 1.2V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.75V

Voorwaartse stroom (AV): 0.2A. IFSM: 4A. Behuizing: DO-35 ( SOD27 ). Behuizing (volgens datablad): DO-35. VRRM: 30 v. Cj: 7pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 5 ns. Halfgeleidermateriaal: Sb. MRI (max.): 100uA. MRI (min): 0.5uA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--4Ap (t=/10ms). Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 0.65V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.4V

Voorwaartse stroom (AV): 150mA. IFSM: 750mA. Behuizing: DO-35 ( SOD27 ). Behuizing (volgens datablad): DO-35. VRRM: 100V. Cj: 6pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): DO-35. Halfgeleidermateriaal: Sb. Functie: Schottky-diode schakelen. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM 0.75Ap t=10ms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.25V

Voorwaartse stroom (AV): 350mA. IFSM: 7.5A. Behuizing: DO-35 ( SOD27 ). Behuizing (volgens datablad): DO-35. VRRM: 40V. Cj: 20pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 10 ns. Halfgeleidermateriaal: Sb. Functie: Schottky-diode. MRI (max.): 50uA. MRI (min): 5uA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--7.5Ap t=10ms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+125°C. Drempelspanning Vf (max): 0.9V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.5V

Voorwaartse stroom (AV): 200mA. IFSM: 600mA. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 30 v. Cj: 10pF. Aantal per doos: 2. Diëlektrische structuur: gemeenschappelijke kathode. Trr-diode (min.): 5 ns. Halfgeleidermateriaal: Sb. Functie: Dubbele Schottky-diode. MRI (max.): 2uA. Markering op de kast: L43 of W1. Aantal aansluitingen: 3. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 800mV. Voorwaartse spanning Vf (min): 240mV. Spec info: IFSM--600mAp (t=10ms)

Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOD-323. Doorlaatstroom [A]: 0.3A. RoHS: ja. Componentfamilie: Silicium Schottky-diode. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 2. Ifsm [A]: 1A. Doorlaatspanning Vfmax (V): 0.4V @ 10mA. Sluitspanning (herhaald) Vrrm [V]: 40V. Lekstroom bij sluiten Ir [A]: 1uA..100uA. Schakelsnelheid (regeneratietijd) tr [sec.]: 5 ns. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -40°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Voorwaartse stroom (AV): 200mA. IFSM: 600mA. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 30 v. Cj: 10pF. Aantal per doos: 2. Diëlektrische structuur: Gemeenschappelijke anode-kathode (middelpunt). Trr-diode (min.): 5 ns. Halfgeleidermateriaal: Sb. Functie: Dubbele Schottky-diode. MRI (max.): 2uA. MRI (min): 0.4V @ 10mA. Markering op de kast: L44 of V4. Aantal aansluitingen: 3. RoHS: ja. Spec info: IFSM--600mAp (t=10ms). Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 800mV. Voorwaartse spanning Vf (min): 240mV

Voorwaartse stroom (AV): 20mA. Behuizing: SOD-323. Behuizing (volgens datablad): SOD-323. VRRM: 40V. Halfgeleidermateriaal: Sb. Let op: IFSM 0.75App/10ms. Aantal aansluitingen: 2. Schottky-diode?: schottky. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD)

Voorwaartse stroom (AV): 30mA. IFSM: 0.5A. Behuizing: DO-35 ( SOD27 ). Behuizing (volgens datablad): DO-35. VRRM: 60V. Cj: 1.6pF. Conditionering: rol. Conditioneringseenheid: 10000. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: Sb. Functie: Schottky-diode schakelen. MRI (max.): 200nA. Markering op de kast: BAT83S. Aantal aansluitingen: 2. Temperatuur: +125°C. RoHS: ja. Spec info: IFMS 0.5Ap/10ms. Hoogte: 1.6x3.9mm. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -55...+125°C. Drempelspanning Vf (max): 1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 330mV

RoHS: ja. Componentfamilie: Schottky-diode met klein signaal. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: DO-34. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 2. Doorlaatstroom [A]: 0.2A. Ifsm [A]: 5A. Doorlaatspanning Vfmax (V): 0.4V @ 10mA. Sluitspanning (herhaald) Vrrm [V]: 30 v. Lekstroom bij sluiten Ir [A]: 2uA. Schakelsnelheid (regeneratietijd) tr [sec.]: 4 ns. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Voorwaartse stroom (AV): 0.2A. IFSM: 5A. Behuizing: DO-35 ( SOD27 ). Behuizing (volgens datablad): DO-35. VRRM: 30 v. Cj: 10pF. Conditionering: rol. Conditioneringseenheid: 10000. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 5 ns. Halfgeleidermateriaal: Sb. Functie: Schottky-diode schakelen. MRI (max.): 2uA. MRI (min): 2uA. Markering op de kast: BAT85S. Aantal aansluitingen: 2. Temperatuur: +125°C. RoHS: ja. Spec info: IFMS 5Ap/10ms. Hoogte: 1.6x3.9mm. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Drempelspanning Vf (max): 800mV. Voorwaartse spanning Vf (min): 240mV

Voorwaartse stroom (AV): 0.2A. IFSM: 5A. Behuizing: DO-34 ( SOD68 ). Behuizing (volgens datablad): DO-34 ( 1.6x3.04 ). VRRM: 50V. Cj: 8pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 4 ns. Halfgeleidermateriaal: Sb. Functie: Schottky-diode. Let op: Schottky-diode schakelen. MRI (max.): 5uA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--5Ap t=10ms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+125°C. Drempelspanning Vf (max): 900mV. Voorwaartse spanning Vf (min): 300mV

Voorwaartse stroom (AV): 0.2A. IFSM: 5A. Behuizing: DO-35 ( SOD27 ). Behuizing (volgens datablad): DO-35. VRRM: 50V. Cj: 8pF. Conditionering: rol. Conditioneringseenheid: 10000. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: Sb. Functie: Schottky-diode schakelen. MRI (max.): 5uA. Markering op de kast: BTA86S. Aantal aansluitingen: 2. Temperatuur: +125°C. Afmetingen: 3.9x1.6mm. RoHS: ja. Spec info: IFMS 5Ap/10ms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Drempelspanning Vf (max): 900mV. Voorwaartse spanning Vf (min): 300mV

Voorwaartse stroom (AV): 250mA. IFSM: 1A. Behuizing: 12.7k Ohms. Behuizing (volgens datablad): SOD-80 ( 3.5x1.5mm ). VRRM: 250V. Cj: 1.5pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 50 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Kleine signalen Schakeldiodes, hoogspanning. Aantal aansluitingen: 2. Temperatuur: +175°C. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Drempelspanning Vf (max): 1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1V

Voorwaartse stroom (AV): 0.25A. IFSM: 1A. Behuizing: DO-35 ( SOD27 ). Behuizing (volgens datablad): DO-35. VRRM: 60V. Cj: 1.5pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 50 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Diodes voor algemene doeleinden. Let op: IFSM--1App tp= 1s, Tj=25°C. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Drempelspanning Vf (max): 1.25V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1V

Voorwaartse stroom (AV): 0.25A. IFSM: 1A. Behuizing: DO-35 ( SOD27 ). Behuizing (volgens datablad): DO-35. VRRM: 200V. Cj: 1.5pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 50 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Diodes voor algemene doeleinden. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--1App tp=1s, Tj=25°C. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Drempelspanning Vf (max): 1.25V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1V

Voorwaartse stroom (AV): 0.25A. IFSM: 1A. Behuizing: DO-35 ( SOD27 ). Behuizing (volgens datablad): DO-35. VRRM: 250V. Cj: 5pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 50 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Diodes voor algemene doeleinden. Let op: S. Let op: IFSM--1App tp= 1s, Tj=25°C. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Drempelspanning Vf (max): 1.25V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1V

Voorwaartse stroom (AV): 0.6A. Behuizing: DO-35 ( SOD27 ). Behuizing (volgens datablad): DO-35 ( 1.6x3.9mm ). VRRM: 75V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: Kleine signalen schakeldiode. Let op: Ifsm--4A/1uS. Aantal aansluitingen: 2. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage

Voorwaartse stroom (AV): 200mA. IFSM: 1A. Behuizing: SOT-323. Behuizing (volgens datablad): SOT323. VRRM: 85V. RoHS: ja. Cj: 2pF. Aantal per doos: 2. Diëlektrische structuur: gemeenschappelijke anode. Trr-diode (min.): 4 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Ultra High Speed Switching. Let op: zeefdruk/SMD-code A1. MRI (max.): 50uA. MRI (min): 0.15uA. Markering op de kast: A1. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Spec info: Ifsm 4.5A t=1us, 1A t=1ms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Drempelspanning Vf (max): 1.25V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.715V

Voorwaartse stroom (AV): 0.115A. VRRM: 25V. Halfgeleidermateriaal: silicium

Voorwaartse stroom (AV): 0.115A. VRRM: 35V. Halfgeleidermateriaal: silicium

Voorwaartse stroom (AV): 8A. IFSM: 155A. Behuizing: DO-201. Behuizing (volgens datablad): DO-201AD ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 90V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: Sb. Functie: Schottky-barrière gelijkrichterdiode, axiale kabels. MRI (max.): 20mA. MRI (min): 5mA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 132Ap t=10us. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -50...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 0.83V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.75V