Standaard- en gelijkrichterdiodes

Voorwaartse stroom (AV): 40A. Voorwaartse stroom (RMS): 62A. IFSM: 570A. Behuizing: DO-203AB ( DO-5 ). Behuizing (volgens datablad): DO-203AB. VRRM: 600V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: behuizing verbonden met de kathode. Gebruikt voor: kan ook gebruikt worden voor zonnepaneelsystemen. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Hoge piekstroomcapaciteit. MRI (max.): 9mA. Aantal aansluitingen: 1. RoHS: ja. Montage/installatie: schroef. Bedrijfstemperatuur: -65...+190°C. Drempelspanning Vf (max): 1.5V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.3V. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm)

Voorwaartse stroom (AV): 40A. Voorwaartse stroom (RMS): 62A. IFSM: 570A. Behuizing: DO-203AB ( DO-5 ). Behuizing (volgens datablad): DO-203AB. VRRM: 800V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: behuizing verbonden met de kathode. Gebruikt voor: kan ook gebruikt worden voor zonnepaneelsystemen. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Hoge piekstroomcapaciteit. MRI (max.): 9mA. Aantal aansluitingen: 1. RoHS: ja. Montage/installatie: schroef. Bedrijfstemperatuur: -65...+190°C. Drempelspanning Vf (max): 1.5V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.3V. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm)

Voorwaartse stroom (AV): 40A. Voorwaartse stroom (RMS): 62A. IFSM: 570A. Behuizing: DO-203AB ( DO-5 ). Behuizing (volgens datablad): DO-203AB. VRRM: 1200V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: behuizing verbonden met de anode. Gebruikt voor: kan ook gebruikt worden voor zonnepaneelsystemen. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Hoge piekstroomcapaciteit. MRI (max.): 9mA. Aantal aansluitingen: 1. RoHS: ja. Montage/installatie: Schroefdraadbevestiging . Bedrijfstemperatuur: -65...+190°C. Drempelspanning Vf (max): 1.5V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.3V. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm)

Voorwaartse stroom (AV): 40A. Voorwaartse stroom (RMS): 62A. IFSM: 570A. Behuizing: DO-203AB ( DO-5 ). Behuizing (volgens datablad): DO-203AB. VRRM: 400V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: behuizing verbonden met de anode. Gebruikt voor: kan ook gebruikt worden voor zonnepaneelsystemen. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Hoge piekstroomcapaciteit. MRI (max.): 9mA. Aantal aansluitingen: 1. RoHS: ja. Montage/installatie: Schroefdraadbevestiging . Bedrijfstemperatuur: -65...+190°C. Drempelspanning Vf (max): 1.5V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.3V. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm)

Voorwaartse stroom (AV): 40A. Voorwaartse stroom (RMS): 62A. IFSM: 570A. Behuizing: DO-203AB ( DO-5 ). Behuizing (volgens datablad): DO-203AB. VRRM: 800V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: behuizing verbonden met de anode. Gebruikt voor: kan ook gebruikt worden voor zonnepaneelsystemen. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Hoge piekstroomcapaciteit. MRI (max.): 9mA. Aantal aansluitingen: 1. RoHS: ja. Montage/installatie: schroef. Bedrijfstemperatuur: -65...+190°C. Drempelspanning Vf (max): 1.5V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.3V. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm)

Voorwaartse stroom (AV): 5A. VRRM: 1500V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: SILICON DIFFUSED TYPE. Let op: HOR.DEFLEC.OUTPUT COLOR TV. Let op: trr 0.6us

Voorwaartse stroom (AV): 60A. IFSM: 800A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC 3L. VRRM: 200V. Cj: 87pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 28 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. MRI (max.): 2mA. MRI (min): 50uA. Markering op de kast: 60APU02. Equivalenten: 60APU02PBF, VS-60APU02PBF. Aantal aansluitingen: 3. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.08V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.98V. Spec info: Trr 35nS, IF=1.0A, dIF/dt=200A/us, VR=30V. Functie: Ultrasnelle zachte hersteldiode

Voorwaartse stroom (AV): 1.2A. VRRM: 400V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: SAMSUNG

Voorwaartse stroom (AV): 6A. IFSM: 250A. Behuizing: R-6. Behuizing (volgens datablad): R-6 ( 9.1x7.2mm ). VRRM: 1000V. Cj: 60pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 2500 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. MRI (max.): 100uA. MRI (min): 10uA. Markering op de kast: 6A10. Equivalenten: 6A100G-R0G. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1V. Spec info: IFSM--250Ap (t=8.3ms)

Voorwaartse stroom (AV): 70A. Voorwaartse stroom (RMS): 110A. IFSM: 1200A. Behuizing: DO-203AB ( DO-5 ). Behuizing (volgens datablad): DO-203AB. VRRM: 1600V. Conditioneringseenheid: 100dB. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: behuizing verbonden met de kathode. Gebruikt voor: kan ook gebruikt worden voor zonnepaneelsystemen. Halfgeleidermateriaal: silicium. MRI (max.): 4.5mA. Aantal aansluitingen: 1. RoHS: ja. Montage/installatie: schroef. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.79V. Spec info: IFSM 1000Ap / 10ms 50Hz (100% Vrrm)

Voorwaartse stroom (AV): 70A. Voorwaartse stroom (RMS): 110A. IFSM: 1200A. Behuizing: DO-203AB ( DO-5 ). Behuizing (volgens datablad): DO-203AB. VRRM: 800V. Conditioneringseenheid: 100dB. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: behuizing verbonden met de kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Aantal aansluitingen: 1. RoHS: ja. Montage/installatie: Schroefdraadbevestiging . Bedrijfstemperatuur: -65...+180°C. Drempelspanning Vf (max): 1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.79V. Spec info: Ifsm 1200Ap / 10ms 50Hz (100% Vrrm)

Voorwaartse stroom (AV): 70A. Voorwaartse stroom (RMS): 110A. IFSM: 1200A. Behuizing: DO-203AB ( DO-5 ). Behuizing (volgens datablad): DO-203AB. VRRM: 1600V. Conditioneringseenheid: 100dB. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: behuizing verbonden met de anode. Gebruikt voor: kan ook gebruikt worden voor zonnepaneelsystemen. Halfgeleidermateriaal: silicium. MRI (max.): 4.5mA. Aantal aansluitingen: 1. RoHS: ja. Montage/installatie: schroef. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.79V. Spec info: IFSM 1000App / 10ms (100% Vrrm)

Voorwaartse stroom (AV): 70A. Voorwaartse stroom (RMS): 110A. IFSM: 1200A. Behuizing: DO-203AB ( DO-5 ). Behuizing (volgens datablad): DO-203AB. VRRM: 800V. Conditioneringseenheid: 100dB. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: behuizing verbonden met de anode. Gebruikt voor: kan ook gebruikt worden voor zonnepaneelsystemen. Halfgeleidermateriaal: silicium. Aantal aansluitingen: 1. RoHS: ja. Montage/installatie: schroef. Bedrijfstemperatuur: -65...+180°C. Drempelspanning Vf (max): 1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.79V. Spec info: Ifsm 1200Ap / 10ms 50Hz (100% Vrrm)

Voorwaartse stroom (AV): 80A. IFSM: 800A. Behuizing (volgens datablad): POWERTAB. VRRM: 400V. Cj: 50pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 50 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. MRI (max.): 2mA. MRI (min): 50uA. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.92V. Gebruikt voor: kan ook gebruikt worden voor zonnepaneelsystemen. Spec info: IFSM--800Ap (Tc--25). Functie: Ultrasnelle zachte hersteldiode

Voorwaartse stroom (AV): 8A. Behuizing: DO-27. Behuizing (volgens datablad): DO-27 (5.4x7.5mm). VRRM: 50V. IFSM: 155A / 50Hz, 180A / 60Hz. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: Sb. MRI (max.): 20mA. MRI (min): 0.5mA. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -50...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 0.55V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.5V. Aantal aansluitingen: 2. Functie: Schottky-barrière gelijkrichterdiode, axiale kabels. Spec info: i2t--132Ap t<10us, TA=25°C

Voorwaartse stroom (AV): 2A. IFSM: 50A. Behuizing: DO-204. Behuizing (volgens datablad): DO-204AP. VRRM: 50V. Cj: 15pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 150 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: GLASS PASSIVATED FAST SWITCHING RECTIFIER. Let op: SAMSUNG. MRI (max.): 5uA. MRI (min): 1uA. Markering op de kast: RG2A. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.3V. Spec info: IFMS 50Ap

Voorwaartse stroom (AV): 1A. IFSM: 30A. Behuizing: DO-41. Behuizing (volgens datablad): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). VRRM: 400V. Cj: 15pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 150 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snel schakelen. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Aantal aansluitingen: 2

Voorwaartse stroom (AV): 1A. IFSM: 30A. Behuizing: DO-41. Behuizing (volgens datablad): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). VRRM: 1000V. Cj: 15pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 500 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snel schakelen. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.3V. Aantal aansluitingen: 2

Voorwaartse stroom (AV): 0.1A. IFSM: 0.75A. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23L. VRRM: 30 v. Cj: 5pF. Trr-diode (min.): 5 ns. Halfgeleidermateriaal: Sb. Functie: Schottky-diode schakelen. MRI (max.): 100mA. MRI (min): 500nA. Markering op de kast: DB1. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Bedrijfstemperatuur: -60...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 0.45V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.26V. Aantal per doos: 2. Aantal aansluitingen: 3. Diëlektrische structuur: gemeenschappelijke anode. Spec info: IFSM--750mA t=10ms

Voorwaartse stroom (AV): 215mA. IFSM: 1A. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 100V. Cj: 1.5pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 4 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: hogesnelheidsschakeldiode. MRI (max.): 0.5uA. MRI (min): 30nA. Markering op de kast: A6W. Aantal aansluitingen: 3. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.25V. Voorwaartse spanning Vf (min): 715mV. Spec info: IFSM--1A (T=1ms), 4A (T=1us)

Voorwaartse stroom (AV): 200mA. IFSM: 500mA. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): 318–08, SOT–23 (TO–236AB). VRRM: 75V. Cj: 2pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 6 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: schakeldiode. Let op: zeefdruk/SMD-code A6s, A6t. MRI (max.): 50uA. MRI (min): 1uA. Markering op de kast: A6s. Aantal aansluitingen: 3. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Drempelspanning Vf (max): 1.25V. Voorwaartse spanning Vf (min): 715mV

Voorwaartse stroom (AV): 200mA. IFSM: 625mA. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 250V. Cj: 5pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 50 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Hoogspanningsschakeldiode. Let op: zeefdruk/SMD-code JS. MRI (max.): 100uA. MRI (min): 0.1uA. Markering op de kast: JS. Aantal aansluitingen: 3. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.25V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1V. Spec info: IFSM--t=1µs 9A, t=100µs 3A, t=10ms 1.7A

Voorwaartse stroom (AV): 0.5A. IFSM: 1A. Behuizing: SOD-323. Behuizing (volgens datablad): SOD-323. VRRM: 85V. Cj: 1.5pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 4 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Hogesnelheidsdiode. Productiedatum: 2014/22. Markering op de kast: A6. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.25V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.715V. Spec info: IFSM--4A(t=1us), 1A(t=1ms)

Voorwaartse stroom (AV): 0.2A. IFSM: 2A. Behuizing: DO-35 ( SOD27 ). Behuizing (volgens datablad): DO-35. VRRM: 70V. Cj: 3pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. MRI (max.): 0.5uA. MRI (min): 1nA. Aantal aansluitingen: 2. Temperatuur: +175°C. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Drempelspanning Vf (max): 1V. Spec info: IFSM--2Ap, t=1µs

Voorwaartse stroom (AV): 0.2A. IFSM: 0.6A. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 40V. Cj: 5pF. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 5 ns. Halfgeleidermateriaal: Sb. Functie: Schottky-diode, Opbouwmontage. Markering op de kast: 43. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.38V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: IFSM--600mA t=1s