Standaard- en gelijkrichterdiodes

Cj: 40pF. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 5us. Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 3A. IFSM: 200A. MRI (max.): 500uA. MRI (min): 5uA. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DO-27. Behuizing (volgens datablad): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms

Cj: 2pF. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: Sb. Functie: VHF/UHF-detectie. Voorwaartse stroom (AV): 15mA. MRI (max.): 0.2uA. RoHS: ja. Hoogte: 4.5x2mm. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DO-35 ( SOD27 ). Behuizing (volgens datablad): DO-35. Bedrijfstemperatuur: -65...+200°C. Drempelspanning Vf (max): 1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.41V. VRRM: 70V. Aantal aansluitingen: 2. Let op: Schottky-diode. Aantal per doos: 1. Spec info: f=1MHz 2pF

Cj: 2pF. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: Sb. Functie: VHF/UHF-detectie. Voorwaartse stroom (AV): 15mA. MRI (max.): 0.2uA. Markering op de kast: SA. Afmetingen: 2.85x1.7x1.35mm. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOD-123. Behuizing (volgens datablad): SOD123. Bedrijfstemperatuur: -55...+125°C. Drempelspanning Vf (max): 1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.41V. VRRM: 70V. Aantal aansluitingen: 2. Let op: Schottky-diode. Aantal per doos: 1. Spec info: f=1MHz 2pF

Cj: 110pF. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: Sb. Functie: Schottky gelijkrichterdiode. Voorwaartse stroom (AV): 1A. IFSM: 25A. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DO-41. Behuizing (volgens datablad): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). Bedrijfstemperatuur: -65...+125°C. Drempelspanning Vf (max): 0.875V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.55V. VRRM: 30 v. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Spec info: IFSM--25Ap, t=8.3ms

Cj: 50pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: Sb. Functie: Schottky gelijkrichterdiode. Voorwaartse stroom (AV): 1A. IFSM: 25A. MRI (max.): 1.5mA. MRI (min): 10uA. Markering op de kast: SL. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Vermogen: 450mW. Behuizing: SOD-123. Behuizing (volgens datablad): SOD123 ( 2.85x1.7mm ). Bedrijfstemperatuur: -65...+125°C. Drempelspanning Vf (max): 0.75V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.32V. VRRM: 40V. Aantal aansluitingen: 2. Spec info: IFSM--25Ap, t=8.3ms

Cj: 2.2pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: Sb. Functie: Ultrafast switching. Voorwaartse stroom (AV): 15mA. IFSM: 50mA. MRI (max.): 0.2uA. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DO-35 ( SOD27 ). Behuizing (volgens datablad): DO-35. Bedrijfstemperatuur: -60...+200°C. Drempelspanning Vf (max): 1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.41V. VRRM: 60V. Aantal aansluitingen: 2. Let op: Schottky-diode schakelen. Let op: f=1MHz 2.2pF. Let op: VHF/UHF-detectie

Cj: 4pF. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 4 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 300mA. IFSM: 4A. MRI (max.): 5uA. MRI (min): 25nA. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DO-35 ( SOD27 ). Behuizing (volgens datablad): DO-35. Bedrijfstemperatuur: 0...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 620mV. VRRM: 100V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Spec info: IFSM--1Ap t=1sec

Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 1A. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DO-15. Behuizing (volgens datablad): DO-15 ( 6.0x3.4mm ). VRRM: 1000V. Aantal aansluitingen: 2. Let op: Ifsm 10Ap. Let op: Schakelmodus Vermogensgelijkrichters

Cj: 2pF. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 4 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 130mA. IFSM: 400mA. MRI (max.): 0.5uA. Temperatuur: +175°C. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DO-34 ( SOD68 ). Behuizing (volgens datablad): DO-34. Drempelspanning Vf (max): 1.2V. VRRM: 80V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1

Cj: 3pF. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 4 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 100mA. IFSM: 500mA. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOD-323. Behuizing (volgens datablad): SOD-323 ( 1.7x1.25mm ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.2V. VRRM: 80V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Spec info: IFSM 0.5A (t=1s)

Cj: 720pF. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: Sb. Voorwaartse stroom (AV): 20A. IFSM: 310A. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DO-201. Behuizing (volgens datablad): DO-201AD ( 7.5x5.4mm ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 0.55V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.25V. Vrms: 45V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Functie: Schottky Barrier Rectifier Diode. Spec info: IFSM--310Ap 50Hz t=10ms, 350Ap 60Hz t=8.3ms

Aantal per doos: 2. Diëlektrische structuur: gemeenschappelijke kathode. Halfgeleidermateriaal: Sb. Let op: 920App / 5us. Aantal aansluitingen: 3. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Let op: Dubbele Schottky-barrière gelijkrichterdiode

Cj: 340pF. Aantal per doos: 2. Diëlektrische structuur: gemeenschappelijke kathode. Halfgeleidermateriaal: Sb. Voorwaartse stroom (AV): 15A. IFSM: 340A. Let op: gemeenschappelijke kathode. MRI (max.): 15mA. MRI (min): 0.1mA. Aantal aansluitingen: 3. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.19V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1V. VRRM: 150V. Functie: Dubbele Schottky-barrière gelijkrichterdiode. Spec info: IFSM--Max

Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 3A. Let op: Snelle herstelgelijkrichters . Let op: 200App/10ms. Aantal aansluitingen: 2. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DO-27. Behuizing (volgens datablad): DO-27( 5.5x9.5mm ). VRRM: 200V

Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 3A. Let op: Snelle herstelgelijkrichters . Let op: 200App/10ms. Aantal aansluitingen: 2. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DO-27. Behuizing (volgens datablad): DO-27( 5.5x9.5mm ). VRRM: 400V

Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 35 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Ultra-Fast Recovery. Voorwaartse stroom (AV): 3A. IFSM: 45A. MRI (max.): 100uA. MRI (min): 20uA. Aantal aansluitingen: 2. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DO-201. Behuizing (volgens datablad): DO-201AD ( 5.6x10mm ). Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.7V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.7V. VRRM: 600V

Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Diode Tff(25°C): 200 ns. Trr-diode (min.): 100 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 3A. Let op: HIGH Speed Rectifier, (Fast Recovery). MRI (max.): 100uA. Markering op de kast: 3JU. Aantal aansluitingen: 2. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DO-201. Behuizing (volgens datablad): DO-201AD 8x6mm. Drempelspanning Vf (max): 2V. VRRM: 600V

Diëlektrische structuur: behuizing verbonden met de kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 40A. Voorwaartse stroom (RMS): 62A. IFSM: 570A. RoHS: ja. Montage/installatie: schroef. Behuizing: DO-203AB ( DO-5 ). Behuizing (volgens datablad): DO-203AB ( DO-5 ). VRRM: 100V. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm)

Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: behuizing verbonden met de kathode. Gebruikt voor: kan ook gebruikt worden voor zonnepaneelsystemen. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Hoge piekstroomcapaciteit. Voorwaartse stroom (AV): 40A. Voorwaartse stroom (RMS): 62A. IFSM: 570A. MRI (max.): 9mA. Aantal aansluitingen: 1. RoHS: ja. Montage/installatie: schroef. Behuizing: DO-203AB ( DO-5 ). Behuizing (volgens datablad): DO-203AB. Bedrijfstemperatuur: -65...+190°C. Drempelspanning Vf (max): 1.5V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.3V. VRRM: 1200V. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm)

Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: behuizing verbonden met de kathode. Gebruikt voor: kan ook gebruikt worden voor zonnepaneelsystemen. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Hoge piekstroomcapaciteit. Voorwaartse stroom (AV): 40A. Voorwaartse stroom (RMS): 62A. IFSM: 570A. MRI (max.): 4.5mA. Aantal aansluitingen: 1. RoHS: ja. Montage/installatie: Schroefdraadbevestiging . Behuizing: DO-203AB ( DO-5 ). Behuizing (volgens datablad): DO-203AB. Bedrijfstemperatuur: -65...+160°C. Drempelspanning Vf (max): 1.5V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.5V. VRRM: 1600V. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm)

Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: behuizing verbonden met de kathode. Gebruikt voor: kan ook gebruikt worden voor zonnepaneelsystemen. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Hoge piekstroomcapaciteit. Voorwaartse stroom (AV): 40A. Voorwaartse stroom (RMS): 62A. IFSM: 570A. MRI (max.): 9mA. Aantal aansluitingen: 1. RoHS: ja. Montage/installatie: schroef. Behuizing: DO-203AB ( DO-5 ). Behuizing (volgens datablad): DO-203AB. Bedrijfstemperatuur: -65...+190°C. Drempelspanning Vf (max): 1.5V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.3V. VRRM: 400V. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm)

Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: behuizing verbonden met de kathode. Gebruikt voor: kan ook gebruikt worden voor zonnepaneelsystemen. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Hoge piekstroomcapaciteit. Voorwaartse stroom (AV): 40A. Voorwaartse stroom (RMS): 62A. IFSM: 570A. MRI (max.): 9mA. Aantal aansluitingen: 1. RoHS: ja. Montage/installatie: schroef. Behuizing: DO-203AB ( DO-5 ). Behuizing (volgens datablad): DO-203AB. Bedrijfstemperatuur: -65...+190°C. Drempelspanning Vf (max): 1.5V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.3V. VRRM: 600V. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm)

Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: behuizing verbonden met de kathode. Gebruikt voor: kan ook gebruikt worden voor zonnepaneelsystemen. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Hoge piekstroomcapaciteit. Voorwaartse stroom (AV): 40A. Voorwaartse stroom (RMS): 62A. IFSM: 570A. MRI (max.): 9mA. Aantal aansluitingen: 1. RoHS: ja. Montage/installatie: schroef. Behuizing: DO-203AB ( DO-5 ). Behuizing (volgens datablad): DO-203AB. Bedrijfstemperatuur: -65...+190°C. Drempelspanning Vf (max): 1.5V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.3V. VRRM: 800V. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm)

Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: behuizing verbonden met de anode. Gebruikt voor: kan ook gebruikt worden voor zonnepaneelsystemen. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Hoge piekstroomcapaciteit. Voorwaartse stroom (AV): 40A. Voorwaartse stroom (RMS): 62A. IFSM: 570A. MRI (max.): 9mA. Aantal aansluitingen: 1. RoHS: ja. Montage/installatie: Schroefdraadbevestiging . Behuizing: DO-203AB ( DO-5 ). Behuizing (volgens datablad): DO-203AB. Bedrijfstemperatuur: -65...+190°C. Drempelspanning Vf (max): 1.5V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.3V. VRRM: 1200V. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm)

Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: behuizing verbonden met de anode. Gebruikt voor: kan ook gebruikt worden voor zonnepaneelsystemen. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Hoge piekstroomcapaciteit. Voorwaartse stroom (AV): 40A. Voorwaartse stroom (RMS): 62A. IFSM: 570A. MRI (max.): 9mA. Aantal aansluitingen: 1. RoHS: ja. Montage/installatie: Schroefdraadbevestiging . Behuizing: DO-203AB ( DO-5 ). Behuizing (volgens datablad): DO-203AB. Bedrijfstemperatuur: -65...+190°C. Drempelspanning Vf (max): 1.5V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.3V. VRRM: 400V. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm)