Standaard- en gelijkrichterdiodes

Voorwaartse stroom (AV): 1A. IFSM: 30A. Behuizing: DO-41. Behuizing (volgens datablad): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 400V. Cj: 25pF. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 50 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: hoog rendement gelijkrichterdiode. Equivalenten: HER105G. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.3V. Aantal aansluitingen: 2

Voorwaartse stroom (AV): 1A. IFSM: 30A. Behuizing: DO-41. Behuizing (volgens datablad): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 1000V. Cj: 20pF. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 75 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: hoog rendement gelijkrichterdiode. Equivalenten: HER108G. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.7V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.7V. Aantal aansluitingen: 2

Voorwaartse stroom (AV): 3A. IFSM: 150A piek. Behuizing: DO-27. Behuizing (volgens datablad): DO-27 (5.6 x 9.5mm). VRRM: 200V. Cj: 70pF. Trr-diode (min.): 50 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. MRI (max.): 150uA. MRI (min): 10uA. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -60...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1V. Aantal aansluitingen: 2. Let op: hoog rendement gelijkrichterdiode. Spec info: Ifsm 150Ap T=8.3ms

Voorwaartse stroom (AV): 3A. IFSM: 125A. Behuizing: DO-201. Behuizing (volgens datablad): DO-201AD ( 9.0x5.3mm ). VRRM: 300V. Cj: 80pF. Trr-diode (min.): 50 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. MRI (max.): 200uA. MRI (min): 10uA. RoHS: ja. Gewicht: 1.1g. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1V. Aantal aansluitingen: 2. Let op: hoog rendement gelijkrichterdiode. Aantal per doos: 1. Spec info: Ifsm 125Ap T=8.3ms

Voorwaartse stroom (AV): 3A. IFSM: 150A. Behuizing: DO-27. Behuizing (volgens datablad): DO-27 (9.5x5.6mm). VRRM: 400V. Cj: 70pF. Trr-diode (min.): 75 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. MRI (max.): 150uA. MRI (min): 10uA. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.3V. Aantal aansluitingen: 2. Let op: hoog rendement gelijkrichterdiode. Aantal per doos: 1. Gewicht: 0.4g. Spec info: Ifsm 150Ap T=8.3ms

Voorwaartse stroom (AV): 3A. IFSM: 125A. Behuizing: DO-201. Behuizing (volgens datablad): DO-201AD ( 9.0x5.3mm ). VRRM: 1000V. Cj: 80pF. Trr-diode (min.): 75 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. MRI (max.): 200uA. MRI (min): 10uA. RoHS: ja. Gewicht: 1.1g. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1V. Aantal aansluitingen: 2. Let op: hoog rendement gelijkrichterdiode. Aantal per doos: 1. Spec info: Ifsm 125Ap T=8.3ms

Voorwaartse stroom (AV): 6A. IFSM: 150A. Behuizing: R-6. Behuizing (volgens datablad): R-6 (8.8x7mm). VRRM: 1000V. Cj: 65pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. MRI (max.): 200uA. MRI (min): 10uA. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tr: 75 ns. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.7V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.3V. Spec info: 150Ap/8.3ms

Voorwaartse stroom (AV): 8A. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). VRRM: 600V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Pd (vermogensdissipatie, max.): 14W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Let op: Ultrafast. Let op: Ifsm--60Aps

Voorwaartse stroom (AV): 8A. IFSM: 60A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AC-2. VRRM: 600V. Cj: 10pF. Conditionering: plastic buis. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 18 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Ultrafast Soft Recovery Diode. Markering op de kast: HFA08TB60. Equivalenten: 39.2k Ohms. Pd (vermogensdissipatie, max.): 36W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.7V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.4V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. Spec info: IFRM 24A

Voorwaartse stroom (AV): 8A. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): TO-263 ( D2PAK ). VRRM: 600V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Pd (vermogensdissipatie, max.): 36W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Let op: Ultrafast. Let op: Ifsm 60Aps

Voorwaartse stroom (AV): 15A. IFSM: 50A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AC-2. VRRM: 600V. Cj: 25pF. Conditionering: plastic buis. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 42 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Ultrafast Soft Recovery Diode. MRI (max.): 400uA. MRI (min): 1uA. Markering op de kast: HFA15TB60. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 2V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.3V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. Spec info: Trr 19ns, (IF=1A)

Voorwaartse stroom (AV): 25A. IFSM: 225A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AC. VRRM: 600V. Cj: 55pF. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 23 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Ultrafast Soft Recovery Diode. MRI (max.): 600uA. MRI (min): 1.5uA. Equivalenten: VS-HFA25TB60-M3. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.7V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.3V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Spec info: IFSM--225Ap

Voorwaartse stroom (AV): 30A. IFSM: 150A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AD. VRRM: 600V. Cj: 25pF. Conditionering: plastic buis. Diëlektrische structuur: gemeenschappelijke kathode. Trr-diode (min.): 19 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Ultra Fast Soft Recovery Diode. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 2V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.3V. Aantal per doos: 2. Aantal aansluitingen: 3. Conditioneringseenheid: 25. Spec info: Ifsm 150Ap, t=8.33ms

Voorwaartse stroom (AV): 6A. VRRM: 800V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: D30. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage

RoHS: ja. Componentfamilie: Kleinsignaaldiode Opbouwmontage (SMD). Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOD80C (MiniMELF). Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 2. Doorlaatstroom [A]: 0.15A. Ifsm [A]: 2A. Sluitspanning (herhaald) Vrrm [V]: 100V. Lekstroom bij sluiten Ir [A]: 25nA..50uA. Schakelsnelheid (regeneratietijd) tr [sec.]: 4 ns. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -50°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +200°C. Doorlaatspanning Vfmax (V): 1V @ 10mA. Behuizing (JEDEC-standaard): 0.5W

Voorwaartse stroom (AV): 0.2A. IFSM: 2A. Behuizing: 12.7k Ohms. Behuizing (volgens datablad): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). VRRM: 100V. Cj: 4pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 4 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Schakelgelijkrichters met hoge snelheid. MRI (max.): 50uA. MRI (min): 25nA. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.62V. Spec info: IFSM--2Ap (tp=1us)

Voorwaartse stroom (AV): 1A. VRRM: 600V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: SAMSUNG

Voorwaartse stroom (AV): 0.1A. VRRM: 80V. Dubbele: Dubbele. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: dubbele siliciumdiode

Behuizing: SOD123. VRRM: 30V. Gemiddelde gelijkgerichte stroom per diode: 0.5A. Soort diode: schottky. Diodeconfiguratie: onafhankelijk. Voorwaartse spanning (max.): 0.43V / 0.5A. Montagetype: SMD. Omgekeerde lekstroom: 130uA / 30V. Productserie: MBRB. MSL: 1

Voorwaartse stroom (AV): 10A. IFSM: 150A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220A-2P. VRRM: 100V. RoHS: ja. Halfgeleidermateriaal: Sb. Functie: Schottky gelijkrichterdiode. MRI (max.): 6mA. MRI (min): 0.1mA. Schottky-diode?: schottky. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 0.85V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.71V

Voorwaartse stroom (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AC-3P. VRRM: 100V. Aantal per doos: 2. Diëlektrische structuur: gemeenschappelijke kathode. Halfgeleidermateriaal: Sb. MRI (max.): 0.008mA. MRI (min): 8uA. Aantal aansluitingen: 3. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 0.88V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.78V. Functie: Dubbele Schottky-barrière gelijkrichterdiode. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms)

Voorwaartse stroom (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AC-3P. VRRM: 150V. Aantal per doos: 2. Diëlektrische structuur: gemeenschappelijke kathode. Halfgeleidermateriaal: Sb. MRI (max.): 0.008mA. MRI (min): 8uA. Aantal aansluitingen: 3. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 0.88V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.78V. Functie: Dubbele Schottky-barrière gelijkrichterdiode. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms)

Voorwaartse stroom (AV): 10A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AC-2P. VRRM: 200V. Halfgeleidermateriaal: Sb. Let op: Schottky gelijkrichterdiode. Schottky-diode?: schottky. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage

Voorwaartse stroom (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AC-3P. VRRM: 200V. Aantal per doos: 2. Diëlektrische structuur: gemeenschappelijke kathode. Halfgeleidermateriaal: Sb. MRI (max.): 0.2mA. MRI (min): 0.2mA. Aantal aansluitingen: 3. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 0.99V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.87V. Functie: Dubbele Schottky-barrière gelijkrichterdiode. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms)

Voorwaartse stroom (AV): 10A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AC. VRRM: 45V. Halfgeleidermateriaal: Sb. Let op: B1045. Schottky-diode?: schottky. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage