Standaard- en gelijkrichterdiodes

Voorwaartse stroom (AV): 8A. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). VRRM: 600V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: Ultrafast. Let op: Ifsm--60Aps. Pd (vermogensdissipatie, max.): 14W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD)

Voorwaartse stroom (AV): 8A. IFSM: 60A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AC-2. VRRM: 600V. Cj: 10pF. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 18 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Ultrafast Soft Recovery Diode. Markering op de kast: HFA08TB60. Equivalenten: 39.2k Ohms. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 36W. RoHS: ja. Spec info: IFRM 24A. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.7V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.4V

Voorwaartse stroom (AV): 8A. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): TO-263 ( D2PAK ). VRRM: 600V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: Ultrafast. Let op: Ifsm 60Aps. Pd (vermogensdissipatie, max.): 36W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD)

Voorwaartse stroom (AV): 15A. IFSM: 50A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AC-2. VRRM: 600V. Cj: 25pF. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 42 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Ultrafast Soft Recovery Diode. MRI (max.): 400uA. MRI (min): 1uA. Markering op de kast: HFA15TB60. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: Trr 19ns, (IF=1A). Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 2V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.3V

Voorwaartse stroom (AV): 25A. IFSM: 225A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AC. VRRM: 600V. Cj: 55pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 23 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Ultrafast Soft Recovery Diode. MRI (max.): 600uA. MRI (min): 1.5uA. Equivalenten: VS-HFA25TB60-M3. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--225Ap. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.7V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.3V

Voorwaartse stroom (AV): 30A. IFSM: 150A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AD. VRRM: 600V. Cj: 25pF. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 25. Aantal per doos: 2. Diëlektrische structuur: gemeenschappelijke kathode. Trr-diode (min.): 19 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Ultra Fast Soft Recovery Diode. Aantal aansluitingen: 3. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 150Ap, t=8.33ms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 2V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.3V

Voorwaartse stroom (AV): 6A. VRRM: 800V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: D30. Let op: M4 -thread. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage

Behuizing: DO214AC (SMA). VRRM: 40V. Gemiddelde gelijkgerichte stroom per diode: 3A. Soort diode: schottky. Diodeconfiguratie: onafhankelijk. Voorwaartse spanning (max.): <0.51V / 3A. Montagetype: SMD. Omgekeerde lekstroom: 50uA / 40V. Informatie: 3rd Gen. Serie: L217

Voorwaartse stroom (AV): 0.2A. IFSM: 2A. Behuizing: 12.7k Ohms. Behuizing (volgens datablad): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). VRRM: 100V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Bedrijfstemperatuur: -50...+175°C

Voorwaartse stroom (AV): 0.2A. IFSM: 2A. Behuizing: 12.7k Ohms. Behuizing (volgens datablad): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). VRRM: 100V. Cj: 4pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 4 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Schakelgelijkrichters met hoge snelheid. MRI (max.): 50uA. MRI (min): 25nA. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. RoHS: ja. Spec info: IFSM--2Ap (tp=1us). Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.62V

Behuizing: miniMELF. VRRM: 75V. Gemiddelde gelijkgerichte stroom per diode: 0.2A. Soort diode: Switching. Diodeconfiguratie: onafhankelijk. Voorwaartse spanning (max.): 1V / 100mA. Montagetype: SMD. Omgekeerde lekstroom: 5uA / 75V. Omgekeerde hersteltijd (max.): 4ns. Serie: LL4448

Voorwaartse stroom (AV): 1A. VRRM: 600V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: SAMSUNG

Voorwaartse stroom (AV): 0.1A. VRRM: 80V. Dubbele: Dubbele. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: dubbele siliciumdiode

Behuizing: SOD123. VRRM: 30V. Gemiddelde gelijkgerichte stroom per diode: 0.5A. Soort diode: schottky. Diodeconfiguratie: onafhankelijk. Voorwaartse spanning (max.): 0.43V / 0.5A. Montagetype: SMD. Omgekeerde lekstroom: 130uA / 30V. Serie: MBRB

Voorwaartse stroom (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AC-3P. VRRM: 100V. Aantal per doos: 2. Diëlektrische structuur: gemeenschappelijke kathode. Halfgeleidermateriaal: Sb. Functie: Dubbele Schottky-barrière gelijkrichterdiode. MRI (max.): 0.008mA. MRI (min): 8uA. Aantal aansluitingen: 3. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms). Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 0.88V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.78V

Voorwaartse stroom (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AC-3P. VRRM: 150V. Aantal per doos: 2. Diëlektrische structuur: gemeenschappelijke kathode. Halfgeleidermateriaal: Sb. Functie: Dubbele Schottky-barrière gelijkrichterdiode. MRI (max.): 0.008mA. MRI (min): 8uA. Aantal aansluitingen: 3. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms). Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 0.88V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.78V

Voorwaartse stroom (AV): 10A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AC-2P. VRRM: 200V. Halfgeleidermateriaal: Sb. Let op: Schottky gelijkrichterdiode. Schottky-diode?: schottky. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage

Voorwaartse stroom (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AC-3P. VRRM: 200V. Aantal per doos: 2. Diëlektrische structuur: gemeenschappelijke kathode. Halfgeleidermateriaal: Sb. Functie: Dubbele Schottky-barrière gelijkrichterdiode. MRI (max.): 0.2mA. MRI (min): 0.2mA. Aantal aansluitingen: 3. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms). Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 0.99V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.87V

Voorwaartse stroom (AV): 10A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AC. VRRM: 45V. Halfgeleidermateriaal: Sb. Let op: B1045. Schottky-diode?: schottky. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage

Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AC. VRRM: 60V. Voorwaartse stroom (AV): 10A. IFSM: 150A. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 0.95V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.7V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: Sb. MRI (max.): 6mA. MRI (min): 0.1mA. Markering op de kast: B1060. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage

Voorwaartse stroom (AV): 7.5A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. VRRM: 60V. Dubbele: Dubbele. Halfgeleidermateriaal: Sb. Let op: diode voor schakelende voeding. Let op: 15A/150App. Schottky-diode?: schottky. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage

Voorwaartse stroom (AV): 16A. IFSM: 150A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AC. VRRM: 45V. Cj: 500pF. Halfgeleidermateriaal: Sb. Functie: Barrièregelijkrichters . Equivalenten: MBR1645G. Aantal aansluitingen: 2. Schottky-diode?: schottky. Spec info: Ifsm 150App / 8.3ms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 0.75V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.63V

Voorwaartse stroom (AV): 16A. IFSM: 150A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AC. VRRM: 45V. Cj: 500pF. Halfgeleidermateriaal: Sb. Functie: Barrièregelijkrichters . Aantal aansluitingen: 3. Schottky-diode?: schottky. Spec info: Ifsm 150App/8.3ms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 0.63V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.57V

Voorwaartse stroom (AV): 16A. IFSM: 150A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AC. VRRM: 60V. Cj: 500pF. Halfgeleidermateriaal: Sb. Let op: Barrièregelijkrichters . MRI (max.): 10mA. MRI (min): 0.5mA. Aantal aansluitingen: 2. Schottky-diode?: schottky. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 0.75V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.65V. Spec info: Ifsm 150App/8.3ms

Voorwaartse stroom (AV): 16A. IFSM: 150A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. VRRM: 60V. Cj: 400pF. Halfgeleidermateriaal: Sb. Functie: Barrièregelijkrichters . Aantal aansluitingen: 3. Schottky-diode?: schottky. Spec info: Ifsm 150App/8.3ms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 0.75V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.65V