NPN bipolaire transistoren

NPN-transistor, 5A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 700V. Collectorstroom: 5A. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3. Collector-emitterspanning Vceo: 700V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 12A, 350V. Collectorstroom: 12A. Collector-emitterspanning Vceo: 350V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: TV-HA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 85W. Type transistor: NPN. Vcbo: 700V

NPN-transistor, 5A, 700V. Collectorstroom: 5A. Collector-emitterspanning Vceo: 700V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 8A, TO-247, TO-247FP, 700V. Collectorstroom: 8A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247FP. Collector-emitterspanning Vceo: 700V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: TV-HA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 8A, 700V. Collectorstroom: 8A. Collector-emitterspanning Vceo: 700V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: TV-HA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. RoHS: ja. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 8A, TO-247, TO-247, 700V. Collectorstroom: 8A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Collector-emitterspanning Vceo: 700V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: (F). Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: 33 Ohms

NPN-transistor, 9A, TO-247, TO-247FP, 800V. Collectorstroom: 9A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247FP. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: TV-HA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 9A, TO-3PF ( SOT399 ), 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Collectorstroom: 9A. Behuizing (volgens datablad): TO-3PF ( SOT399 ). Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: VCE(sat) 5.0V. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: geschikt voor het voeden van SONY TV s

NPN-transistor, 10A, SOT-199, SOT-199, 800V. Collectorstroom: 10A. Behuizing: SOT-199. Behuizing (volgens datablad): SOT-199. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 10A, SOT-199, SOT-199, 800V. Collectorstroom: 10A. Behuizing: SOT-199. Behuizing (volgens datablad): SOT-199. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: kHz. Maximale hFE-versterking: 13. Minimale hFE-versterking: 5. Ic(puls): 25A. Let op: Isolatiespanning 2500V. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: vermogenstransistor. Tf(max): 0.5us. Tf(min): 0.35us. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 5V. Vebo: 13.5V. Functie: Hoogspanning, hoge snelheid schakelen. Spec info: Switching times (16kHz line deflection circuit)

NPN-transistor, 10A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Collectorstroom: 10A. Behuizing (volgens datablad): TO-3PF. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 10A, SOT-199, SOT-199, 800V. Collectorstroom: 10A. Behuizing: SOT-199. Behuizing (volgens datablad): SOT-199. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: kHz. Maximale hFE-versterking: 8:1. Minimale hFE-versterking: 5. Ic(puls): 25A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.22us. Tf(min): 0.16us. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 5V. Vebo: 13.5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: MONITOR. Functie: TV-HA, hi-res (F)

NPN-transistor, 10A, SOT-399, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Collectorstroom: 10A. Behuizing (volgens datablad): SOT-399. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 64kHz. Maximale hFE-versterking: 10. Minimale hFE-versterking: 5. Ic(puls): 25A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Silicium-vermogenstransistor. Tf(max): 0.25us. Tf(min): 0.12us. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 5V. Vebo: 13.5V. Aantal aansluitingen: 3. Functie: Monitor TV-HA, hi-res, Visol--2500V. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 12A, SOT-199, SOT-199, 800V. Collectorstroom: 12A. Behuizing: SOT-199. Behuizing (volgens datablad): SOT-199. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: CTV-HA Hi-re. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Aantal per doos: 1. Spec info: (F)

NPN-transistor, 12A, TO-247, TO-247, 800V. Collectorstroom: 12A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: CTV-HA Hi-re. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Aantal per doos: 1

NPN-transistor, 12A, TO-3P(H)IS, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Collectorstroom: 12A. Behuizing (volgens datablad): TO-3P(H)IS. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kosten): 145pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: CTV-HA Hi-re. Ic(puls): 30A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.35us. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1.1V. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

NPN-transistor, 12A, SOT-199, 800V. Collectorstroom: 12A. Behuizing: SOT-199. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: CRT-HA hi-re. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Aantal per doos: 1. Spec info: SOT199 (F)

NPN-transistor, 12A, 800V. Collectorstroom: 12A. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: CRT-HA hi-re. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. RoHS: ja. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Aantal per doos: 1. Spec info: SOT399 (F)

NPN-transistor, 12A, SOT-399, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Collectorstroom: 12A. Behuizing (volgens datablad): SOT-399. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: CRT-HA hi-re (F). Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Aantal per doos: 1

NPN-transistor, 12A, SOT-399, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Collectorstroom: 12A. Behuizing (volgens datablad): SOT-399. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: CRT-HA hi-re (F). Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1

NPN-transistor, 16A, 800V. Collectorstroom: 16A. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Aantal per doos: 1. Spec info: 1.4...1.8us

NPN-transistor, 8A, 825V. Collectorstroom: 8A. Collector-emitterspanning Vceo: 825V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: TV-HA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Aantal per doos: 1. Spec info: Ts 4.8us, Tf 0.4us

NPN-transistor, 8A, 825V. Collectorstroom: 8A. Collector-emitterspanning Vceo: 825V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: TV-HA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Aantal per doos: 1. Spec info: 4.8us

NPN-transistor, 10A, 825V. Collectorstroom: 10A. Collector-emitterspanning Vceo: 825V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: TV-HA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Let op: MONITOR. Aantal per doos: 1. Spec info: 7.4us

NPN-transistor, 12A, 1700V. Collectorstroom: 12A. Collector-emitterspanning Vceo: 1700V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: vermogenstransistor. Type transistor: NPN. Let op: MONITOR 16KHz. Aantal per doos: 1. Spec info: Rbe 70 Ohms, SOT199 (TO-247F)