N-P MOSFET-transistorpaar

Transistor MOSFET. Kanaaltype: N-P. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: dubbele MOSFET-transistor, N- en P-kanalen, PowerTrench . Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Aantal per doos: 2. Functie: Q1 N-Ch 7A, 30V RDS(on)=0.030 Ohms, Vgs=10V. Spec info: Q2 P-Ch, 5A, 30V RDS(on)=0.052 Ohms, Vgs=10V

Transistor MOSFET. Kanaaltype: N-P. Functie: Y4. Markering op de kast: Y4. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing (volgens datablad): SMT5. Aantal per doos: 2

Transistor MOSFET. Kanaaltype: N-P. Functie: Ic 30A @ 25°C, 25A @ 110°C, Icm 220A (pulsed). Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 208W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 137 ns. Td(aan): 36ns. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.45V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 4.2V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6V. CE-diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

Transistor MOSFET. Kanaaltype: N-P. Functie: Ic 70A @ 25°C, 40A @ 110°C, Icm 330A (pulsed). Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 290W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 170 ns. Td(aan): 47 ns. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.4V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6V. CE-diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

Transistor MOSFET. Functie: 2xN-CH 20V, Fast Switching. Aantal aansluitingen: 8:1. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Aantal per doos: 2

Transistor MOSFET. Kanaaltype: N-P. Functie: 0.05R & 0.1R. ID (T=25°C): 4.7A & 3.5A. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.4W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: HEXFET-vermogens-MOSFET. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 30 v. Aantal per doos: 2

Transistor MOSFET. C(inch): 780pF. Kosten): 430pF. Kanaaltype: N-P. Trr-diode (min.): 47 ns. Functie: 0.029R & 0.58R. Aantal aansluitingen: 8:1. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: N&P-HEXFET Power MOSFET. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Aantal per doos: 2. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

Transistor MOSFET. Kanaaltype: N-P. Markering op de kast: F7319. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: N&P-HEXFET Power MOSFET. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Aantal per doos: 2. Let op: ( = P23AF 4532 SMD ). Let op: Rds-on 0.029 Ohms / 0.058 Ohms

Transistor MOSFET. Kanaaltype: N-P. Functie: paar complementaire N-kanaal- en P-kanaal MOSFET-transistoren. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Aantal per doos: 2. Spec info: 0.043 Ohms & 0.095 Ohms

Transistor MOSFET. Kanaaltype: N-P. Functie: paar complementaire N-kanaal- en P-kanaal MOSFET-transistoren. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Aantal per doos: 2. Spec info: 0.029 Ohms & 0.058 Ohms

Transistor MOSFET. Kanaaltype: N-P. Functie: 28 & 65m Ohms). Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: paar complementaire N-kanaal- en P-kanaal MOSFET-transistoren. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SOP-8. Aantal per doos: 2

Transistor MOSFET. Kanaaltype: N-P. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.2W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: D-S-MOSFET. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Aantal per doos: 2. Functie: IDM--20App, td(on)--12&8nS, td(off)--23&21nS

Transistor MOSFET. C(inch): 340pF. Kosten): 67pF. Kanaaltype: N-P. Trr-diode (min.): 30 ns. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1uA. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: D-S-MOSFET. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Aantal per doos: 2. Functie: IDM--24&15App, td(on)--7.5&5.5nS, td(off)--14&17nS. Bescherming afvoerbron: NINCS. G-S-bescherming: NINCS

Transistor MOSFET. Kanaaltype: N-P. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: D-S-MOSFET. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Aantal per doos: 2. Functie: IDM--30&30App, td(on)--6&7nS, td(off)--30&40nS

Transistor MOSFET. Kanaaltype: N-P. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: D-S-MOSFET. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Aantal per doos: 2. Functie: IDM--20&20App, td(on)--6&13nS, td(off)--18&47nS

Transistor MOSFET. Aantal aansluitingen: 8:1. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: (G-S) MOSFET. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Aantal per doos: 2

Transistor MOSFET. Functie: 9.31k Ohms. Aantal aansluitingen: 8:1. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: 2xN-CH 30V. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Aantal per doos: 2

Transistor MOSFET. Aantal aansluitingen: 8:1. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: SMD. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Aantal per doos: 2

Transistor MOSFET. Trr-diode (min.): 45 ns. Functie: 9.31k Ohms. Binnendiameter (T=100°C): 3.7A. Idss (max): 3.2A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1uA. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: 2xN-CH 60V. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Aantal per doos: 2. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

Transistor MOSFET. Functie: 9.31k Ohms. Aantal aansluitingen: 8:1. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: 2xN-CH 20V. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Aantal per doos: 2

Transistor MOSFET. RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: module. Configuratie: Geschroefd. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: SK85MH10. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 80A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0135 Ohms @ 80A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3.3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 120ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 570 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 9100pF. Componentfamilie: volledige MOSFET-brug, NMOS. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -40°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +125°C

Transistor MOSFET. Kanaaltype: N-P. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Aantal per doos: 2. Functie: Rds-on 0.059 Ohms / 0.065 Ohms

Transistor MOSFET. Kanaaltype: N-P. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Aantal per doos: 2. Functie: Rds-on 0.052 Ohms / 0.057 Ohms

Transistor MOSFET. Kanaaltype: N-P. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: SP8M4FU6TB. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Aantal per doos: 2. Functie: Rds-on 0.012 Ohms / 0.020 Ohms

Transistor MOSFET. Functie: STripFET™ Power MOSFET. Aantal aansluitingen: 8:1. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: 2xN-CH 30V. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Aantal per doos: 2