N-P MOSFET-transistorpaar

Transistor MOSFET. Functie: STripFET™ II Power MOSFET. Aantal aansluitingen: 8:1. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: 2xN-CH 20V. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Aantal per doos: 2

Transistor MOSFET. Kanaaltype: N-P. Functie: N&P PowerTrench MOSFET. Pd (vermogensdissipatie, max.): 11W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Veldeffecttransistor met dubbele verbeteringsmodus. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252-4 ( DPAK ) ( SOT428 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Aantal per doos: 2. Aantal aansluitingen: 4. Let op: Veldeffecttransistor met dubbele verbeteringsmodus

Transistor MOSFET. Kanaaltype: N-P. Pd (vermogensdissipatie, max.): 11W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: N&P PowerTrench MOSFET. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252-4 ( DPAK ) ( SOT428 ). Aantal per doos: 2. Aantal aansluitingen: 4

Transistor MOSFET. Functie: SAMSUNG 0505-001417. Aantal aansluitingen: 8:1. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: SMD SO-8. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Aantal per doos: 2