Transistor MOSFET HGTG30N60B3D. Aantal aansluitingen: 3. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Behuizing (volgens datablad): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Behuizing: TO-247. CE-diode: nee. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Functie: Ic 30A @ 25°C, 25A @ 110°C, Icm 220A (pulsed). Germaniumdiode: nee. Kanaaltype: N-P. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 208W. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 4.2V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 36ns. Td(uit): 137 ns. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.45V. Origineel product van fabrikant: Fairchild. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 09:29