Transistor MOSFET HGTG40N60B3

Transistor MOSFET HGTG40N60B3. Transistor MOSFET. CE-diode: NINCS. Kanaaltype: N-P. Functie: Ic 70A @ 25°C, 40A @ 110°C, Icm 330A (pulsed). Germaniumdiode: NINCS. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 290W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 170 ns. Td(aan): 47 ns. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.4V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6V. Origineel product van fabrikant Fairchild. Aantal op voorraad bijgewerkt op 26/07/2025, 13:25.