Transistor MOSFET HGTG40N60B3

Transistor MOSFET HGTG40N60B3

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
15.27€
5-9
14.40€
10-24
12.47€
25+
11.54€
Hoeveelheid in voorraad: 29

Transistor MOSFET HGTG40N60B3. Aantal aansluitingen: 3. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Behuizing (volgens datablad): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Behuizing: TO-247. CE-diode: nee. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Functie: Ic 70A @ 25°C, 40A @ 110°C, Icm 330A (pulsed). Germaniumdiode: nee. Kanaaltype: N-P. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 290W. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 47 ns. Td(uit): 170 ns. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.4V. Origineel product van fabrikant: Fairchild. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 09:29

Technische documentatie (PDF)
HGTG40N60B3
19 parameters
Aantal aansluitingen
3
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
Behuizing (volgens datablad)
TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT
Behuizing
TO-247
CE-diode
nee
Collector-emitterspanning Vceo
600V
Functie
Ic 70A @ 25°C, 40A @ 110°C, Icm 330A (pulsed)
Germaniumdiode
nee
Kanaaltype
N-P
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
290W
Poort-/emitterspanning VGE(th) min.
3V
Poort-/emitterspanning VGE(th)max.
6V
Poort-/emitterspanning VGE
20V
RoHS
ja
Td(aan)
47 ns
Td(uit)
170 ns
Verzadigingsspanning VCE(sat)
1.4V
Origineel product van fabrikant
Fairchild