Transistoren

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236AB. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BSN20. Afvoerbronspanning Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.173A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 15 Ohms @ 0.1A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 8 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 15 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 25pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.83W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 250pF. Kosten): 88pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 69 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 24A. Binnendiameter (T=100°C): 4.4A. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 100nA. ID s (min): 10nA. Aantal aansluitingen: 4. Pd (vermogensdissipatie, max.): 8.3W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.8 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 21 ns. Td(aan): 6 ns. Behuizing: SOT-223 ( TO-226 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-223. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.8V. Vgs(th) min.: 1V. Technologie: Enhancement mode, TrenchMOS transistor. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: NINCS. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BSP125. Afvoerbronspanning Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.12A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 45 Ohms @ 0.12A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 8 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 21 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 130pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.7W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BSP135. Afvoerbronspanning Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.1A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 60 Ohms @ 0.01A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2.1V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 8.1 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 42 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 146pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.8W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BSP171P. Afvoerbronspanning Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.9A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.3 Ohms @ -1.9A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 8 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 276 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 460pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.8W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BSP250.115. Afvoerbronspanning Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ -1A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -2.8V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 80 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 140 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 250pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.65W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BSP295. Afvoerbronspanning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.8A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.3 Ohms @ 1.8A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 1.8V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 8.1 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 41 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 368pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.8W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BSP297. Afvoerbronspanning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.6A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2 Ohms @ 0.65A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 1.8V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 12 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 160 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 300pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BSP316. Afvoerbronspanning Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.68A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2.2 Ohms @ -0.61A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 12 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 110 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 370pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.8W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Slimme High-Side Stroomschakelaar . Equivalenten: ISP452. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOT-223 ( TO-226 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-223. Type transistor: NPN. Spec info: miniPROFET. CE-diode: ja

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-261AA. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: AS3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.8W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor

BE-weerstand: 150 Ohms. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Functie: hoge gelijkstroom, relaisdrivers, lampdrivers. Maximale hFE-versterking: 2000. Minimale hFE-versterking: 1000. Collectorstroom: 1A. Ic(puls): 2A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.25W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOT-223 ( TO-226 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-223. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 60V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1.3V. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BSP50. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

RoHS: ja. Componentfamilie: Darlington PNP-vermogenstransistor. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-261. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BSP62. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 1A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 200 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.25W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BSP89. Afvoerbronspanning Uds [V]: 240V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.35A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 0.35A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 1.8V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 6 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 24 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 140pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.8W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BSP92P. Afvoerbronspanning Uds [V]: -250V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.26A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 12 Ohms @ -0.26A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 8 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 101 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 104pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.8W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Kosten): 8pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 350 MHz. Maximale hFE-versterking: 300. Minimale hFE-versterking: 35. Collectorstroom: 0.8A. Markering op de kast: U8. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.35W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Tf (type): 60 ns. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23. Tr: 25 ns. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 75V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Vebo: 6V. Spec info: zeefdruk/CMS-code U8. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: U8. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 40V. Collectorstroom Ic [A], max.: 800mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 300 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.35W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: U8. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 40V. Collectorstroom Ic [A], max.: 800mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 300 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Functie: hFE 50...300. Collectorstroom: 0.8A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.35W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23. Type transistor: PNP. Vcbo: 60V. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Spec info: zeefdruk/CMS-code T8. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

C(inch): 90pF. Kosten): 12pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: Medium POWER, solenoïde-, relais- en actuatordrivers en DC/DC-modules. Maximale hFE-versterking: 300. Minimale hFE-versterking: 35. Collectorstroom: 1A. Ic(puls): 2A. Markering op de kast: AR4. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Tf (type): 1000 ns. Behuizing: SOT-89. Behuizing (volgens datablad): SOT89. Tr: 250 ns. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 90V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.25V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: zeefdruk/SMD-code AR4. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Maximale hFE-versterking: 2000. Minimale hFE-versterking: 1000. Collectorstroom: 1A. Ic(puls): 2A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.83W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 1300 ns. Tf(min): 500 ns. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92 ( SOT-54 ). Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 80V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1.3V. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

RoHS: NINCS. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BSS110. Afvoerbronspanning Uds [V]: -50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -170mA. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ -0.1A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 12 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 10 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 45pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.63W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 23pF. Kosten): 6pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 11 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: zeefdruk/SMD-code SA. Id(imp): 600mA. ID (T=25°C): 150mA. Idss (max): 100uA. ID s (min): 10uA. Markering op de kast: SA. Equivalenten: BSS123LT1G, BSS123-7-F. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. Aan-weerstand Rds Aan: 3.5 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 12 ns. Td(aan): 3 ns. Technologie: N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Poort/bronspanning (uit) max.: 2.8V. Vgs(th) min.: 1V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: SA s . Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.19A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ 0.15A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 1.8V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 3.5 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 11 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 20.9pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: SA. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.17A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 0.17A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 10 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 20 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 40pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.36W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C