Transistoren

C(inch): 20pF. Kosten): 9pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 11 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: zeefdruk/SMD-code SA. Id(imp): 680mA. ID (T=25°C): 170mA. Idss (max): 46.4k Ohms. ID s (min): 10uA. Markering op de kast: SA. Equivalenten: BSS123-7-F. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 225mW. Aan-weerstand Rds Aan: 6 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 40 ns. Td(aan): 20 ns. Technologie: Veldeffecttransistor Logicaniveauverbeteringsmodus. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Poort/bronspanning (uit) max.: 2.6V. Vgs(th) min.: 1.6V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236AB. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: SA. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.17A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 100mA. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2.6V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 20 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 40 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 20pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.225W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: SHS. Afvoerbronspanning Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.021A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 500 Ohms @ 0.016A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -2.7V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 9.2 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 21 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 28pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: SRs. Afvoerbronspanning Uds [V]: 240V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.1A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 14 Ohms @ 0.1A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 1.8V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 5 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 20 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 77pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.36W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 27pF. Kosten): 13pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 0.88A. ID (T=25°C): 0.22A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 0.5uA. Let op: zeefdruk/SMD-code SS. Markering op de kast: SS. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.36W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.7 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 20 ns. Td(aan): 2.5 ns. Technologie: Veldeffecttransistor. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 50V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 1.8V. Vgs(th) min.: 0.8V. Spec info: Modus voor verbetering van logisch niveau. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 50pF. Kosten): 25pF. Kanaaltype: N. Conditionering: rol. Conditioneringseenheid: 3000. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 1A. ID (T=25°C): 0.2A. ID s (min): 0.5uA. Let op: zeefdruk/SMD-code SS. Markering op de kast: SS. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.3W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.4 Ohms. RoHS: ja. Gewicht: 0.008g. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 20 ns. Td(aan): 20 ns. Technologie: Veldeffecttransistor. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 50V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 1.5V. Vgs(th) min.: 0.5V. Spec info: Modus voor verbetering van logisch niveau. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: SS. Afvoerbronspanning Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 200mA. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 0.22A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 5 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 36ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 27pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.36W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236AB. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: J1. Afvoerbronspanning Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.2A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 100mA. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 1.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 20 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 20 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 50pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.225W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236AB. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: STs. Afvoerbronspanning Uds [V]: 250V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.03A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 30 Ohms @ 15mA. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 1.4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 8.7 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 43 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 76pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.36W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Afvoerbronspanning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.54A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.43 Ohm @ 0.27A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 1.6V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 14 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 31 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 75pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.36W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 25pF. Kosten): 15pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Direct interface to C-MOS, TTL, etc. Id(imp): 520mA. Binnendiameter (T=100°C): 75mA. ID (T=25°C): 130mA. Idss (max): 46.4k Ohms. ID s (min): 10uA. Markering op de kast: 11W. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. Aan-weerstand Rds Aan: 6 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 7 ns. Td(aan): 3 ns. Technologie: Verbeterende modus verticale D-MOS-transistor . Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Spanning Vds(max): 50V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 0.8V. Spec info: zeefdruk/SMD-code 11W. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236AB. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 13. Afvoerbronspanning Uds [V]: -50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.13A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ -0.13A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 3 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 7 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 45pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Kanaaltype: N-P. Markering op de kast: KNP. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Complementaire paarverbeteringsmodus MOSFET. Behuizing: SOT-363 ( SC-88 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-363. Aantal per doos: 2. Aantal aansluitingen: 6. Let op: zeefdruk/SMD-code KNP. Functie: td(on) 7&10ns, td(off) 11&18ns

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236AB. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: VS. Afvoerbronspanning Uds [V]: -50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.18A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 4.5 Ohms @ -0.1A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -2.1V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 13 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 48 ns. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.35W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 36pF

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236AB. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: Pd (vermogensdissipatie, max.). Afvoerbronspanning Uds [V]: -50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.13A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ -0.13A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 3.6 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 12 ns. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.225W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 36pF

C(inch): 80pF. Kosten): 15pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 1A. ID (T=25°C): 0.25A. Idss (max): 1000uA. ID s (min): 100uA. Markering op de kast: SS88. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Aan-weerstand Rds Aan: 5 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 30 ns. Td(aan): 5 ns. Technologie: Verbeteringsmodus . Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 240V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 0.6V. Bescherming afvoerbron: NINCS. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 25pF. Kosten): 8.5pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 30 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 0.8A. ID (T=25°C): 0.19A. Idss (max): 1uA. ID s (min): 0.01uA. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.83W. Aan-weerstand Rds Aan: 5 Ohms. Td(uit): 12 ns. Td(aan): 3 ns. Technologie: Enhancement mode, TrenchMOS™ technology.. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): SOT54. Spanning Vds(max): 100V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Functie: Very fast switching, Logic level compatible. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 25pF. Kosten): 8.5pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 30 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Zeer snel schakelen. Id(imp): 0.8A. Binnendiameter (T=100°C): 0.12A. ID (T=25°C): 0.19A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 0.01uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.83W. Aan-weerstand Rds Aan: 5 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 12 ns. Td(aan): 3 ns. Technologie: verbeteringsmodus veldeffecttransistor . Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: Compatibel met logisch niveau. G-S-bescherming: NINCS

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 400 MHz. Functie: algemeen gebruik. Maximale hFE-versterking: 120. Minimale hFE-versterking: 25. Collectorstroom: 250mA. Markering op de kast: B2. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.225mW. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Tf(max): 18 ns. Tf(min): 12us. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 20V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Collector-emitterspanning Vceo: 12V. Spec info: zeefdruk/SMD-code B2

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Collectorstroom: 1A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 5W. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Spec info: TO39

Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 7A. Vermogen: 50W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.10 Ohms. Behuizing: TO-220. Afvoerbronspanning (Vds): 60V

RoHS: NINCS. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BTS132. Afvoerbronspanning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 24A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 12A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 40 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 250 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1400pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 75W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Afvoerbronspanning Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.6A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.9 Ohms @ 0.2A. Inschakeltijd ton [nsec.]: 38us. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 45us. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.78W. Componentfamilie: low-side MOSFET. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -40°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Afvoerbronspanning Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.6A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.9 Ohms @ 0.2A. Inschakeltijd ton [nsec.]: 38us. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 45us. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.78W. Componentfamilie: low-side MOSFET. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -40°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: TO-263/5. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 5. Markering van de fabrikant: BTS410E2. Afvoerbronspanning Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.22 Ohms @ 1.6A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2.4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 125us. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 85us. Maximale dissipatie Ptot [W]: 50W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -40°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C