BSR51

BSR51. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Maximale hFE-versterking: 2000. Minimale hFE-versterking: 1000. Collectorstroom: 1A. Ic(puls): 2A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.83W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 1300 ns. Tf(min): 500 ns. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92 ( SOT-54 ). Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 80V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1.3V. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja. Aantal op voorraad bijgewerkt op 19/01/2025, 04:25.