Transistoren

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 270 MHz. Collectorstroom: 0.7A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.6W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Functie: hFE1 1500, hFE2 600 . Aantal per doos: 1. Spec info: Lo-Sat Vce(sat)<0.5V

RoHS: ja. Componentfamilie: dubbele NPN bipolaire transistor. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SMV-5. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 5. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 50V. Collectorstroom Ic [A], max.: 0.15A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 80 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.3W

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 8 MHz. Functie: (F). Collectorstroom: 3A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 1200V. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Vebo: 7V. Aantal per doos: 1

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 8 MHz. Functie: Schakelende vermogenstransistor. Collectorstroom: 3A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Type transistor: NPN. Vcbo: 1200V. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Aantal per doos: 1. Spec info: HFX-serie

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: S-L. Collectorstroom: 10A. Ic(puls): 20A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Type transistor: NPN. Vcbo: 1200V. Collector-emitterspanning Vceo: 800V

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 20 MHz. Functie: S-L. Collectorstroom: 10A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 150V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1633. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: VHF Breedbandversterker. Collectorstroom: 0.3A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.6W. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v

Kosten): 35pF. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 15 MHz. Functie: Hoogspannings-NPN-transistor voor audio- en algemene toepassingen.. Minimale hFE-versterking: 60. Collectorstroom: 2A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): FM20 (TO220F). Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Vcbo: 200V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Collector-emitterspanning Vceo: 200V. Vebo: 6V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1668. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 20 MHz. Functie: geïsoleerde pakkettransistor. Collectorstroom: 8A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. Type transistor: NPN. Vcbo: 160V. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1671

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 20 MHz. Functie: geïsoleerde pakkettransistor. Collectorstroom: 10A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Type transistor: NPN. Vcbo: 180V. Collector-emitterspanning Vceo: 140V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1672

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 20 MHz. Functie: geïsoleerde pakkettransistor. Collectorstroom: 15A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 85W. Type transistor: NPN. Vcbo: 200V. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1673

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 15 MHz. Functie: SMPS. Collectorstroom: 8A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): TO-3PML. Type transistor: NPN. Vcbo: 1100V. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 20 MHz. Collectorstroom: 10A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Type transistor: NPN. Vcbo: 200V. Collector-emitterspanning Vceo: 140V. Functie: NF/L. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1695

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 20 MHz. Collectorstroom: 10A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Type transistor: NPN. Vcbo: 200V. Collector-emitterspanning Vceo: 140V. Functie: NF/L. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1695

Kosten): 30pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 40 MHz. Functie: High hFE, LOW Vce(sat). Collectorstroom: 3A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Technologie: NPN drievoudige diffuus vlakke transistor. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): FM20 (TO220F). Type transistor: NPN. Vcbo: 80V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 6 MHz. Functie: Hoogspanningsschakelaar-transistor. Maximale hFE-versterking: 30. Minimale hFE-versterking: 10. Collectorstroom: 3A. Ic(puls): 6A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Triple Diffused Planar Transistor . Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Type transistor: NPN. Vcbo: 900V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.2V. Collector-emitterspanning Vceo: 550V. Vebo: 7V

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: (F). Collectorstroom: 10A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Hoge resolutie . Collectorstroom: 10A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-93. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Spec info: MONITOR

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: D35/B. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30 v. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.2W

Kosten): 14pF. Conditionering: rol. Conditioneringseenheid: 2500. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 120 MHz. Maximale hFE-versterking: 400. Minimale hFE-versterking: 200. Collectorstroom: 1.5A. Ic(puls): 2.5A. Markering op de kast: 12.9k Ohms. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 80 ns. Tf(min): 80 ns. Behuizing: SC-71. Behuizing (volgens datablad): SC-71. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.13V. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Vebo: 6V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1770. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Collectorstroom: 10mA. Let op: Ic 10mA/30mApp. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Collector-emitterspanning Vceo: 1500V. Functie: dynamische focus, hoogspanningsschakeling. Spec info: TO-220FI (Forming)

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Collectorstroom: 10mA. Let op: Ic 10mA/30mApp. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. Type transistor: NPN. Vcbo: 2000V. Collector-emitterspanning Vceo: 1800V. Functie: dynamische focus. Spec info: TO-220FI

Kosten): 25pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 210 MHz. Functie: Io-zat. Maximale hFE-versterking: 270. Minimale hFE-versterking: 120. Collectorstroom: 2A. Let op: zeefdruk/SMD-code DK. Markering op de kast: DK. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOT-89. Type transistor: NPN. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.13V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.35V. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Vebo: 6V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1797. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 5.5 MHz. Functie: TV dynamische focustoepassingen. Collectorstroom: 50mA. Let op: Hoogspanningsschakeltoepassingen. Pd (vermogensdissipatie, max.): 10W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Collector-emitterspanning Vceo: 1200V. Spec info: TO-220F

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 30 MHz. Functie: HI-FI NF-E. Collectorstroom: 5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 55W. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Let op: (F). Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1803