Toshiba 2SK3878 N-Kanaal MOSFET 900V 9A TO-3P

Technische beschrijving van het product (2SK3878):

Spanning Vds(max): 900V. Idss (max): 100uA. ID (T=25°C): 9A. ID (T=100°C): 5.3A. On-weerstand Rds On: 1 Ohm. Behuizing (volgens datasheet): TO-3P. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). RoHS: ja. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spec. info: Vth=2.0 tot 4.0V (VDS=10V, ID=1mA). Aantal aansluitingen: 3. Montage/installatie: Doorsteekmontage voor printplaat. Kanaaltype: N. Transistortype: MOSFET. Functie: Schakelregelaar Toepassingen. G-S Bescherming: ja. Td(off): 120ns. IDss (min): 1uA. Td(on): 65 ns. Aantal per behuizing: 1. Id(imp): 27A. Markering op de behuizing: K3878. Vgs(th) min.: 2V. C(in): 2200pF. C(out): 45pF. Trr Diode (Min.): 1.4us. Pd (Vermogensdissipatie, max): 150W. Conditionering: plastic buis. Drain-source bescherming: diode. Gate/source spanning Vgs: 30 V. Vgs(th) max.: 4 V. Conditioneringseenheid: 25