Toshiba 2SK363 N-Kanaal MOSFET 3.7 Ohm TO-92

Technische beschrijving van het product (2SK363):

Toshiba 2SK363 N-kanaal MOSFET. Drain-Source-lekstroom Idss: 100uA. On-weerstand Rds On: 3.7 Ohm. Behuizing (volgens datasheet): TO-92. Behuizing: TO-92. RoHS-conform: ja. Aantal aansluitingen: 3. Montage/installatie: Doorsteekmontage voor printplaat. Kanaaltype: N. Transistortype: MOSFET. Technologie: Veld-effect (TT-MOSIV). Gate-Source-beveiliging: ja. Uitschakelvertragingstijd Td(off): 125 ns. Inschakelvertragingstijd Td(on): 60 ns. Aantal per behuizing: 1. Ingangscapaciteit C(in): 700pF. Uitgangscapaciteit C(out): 75pF. Minimale Diode Reverse Recovery Time Trr: 850 ns. Drain-Source-beveiliging: Diode.