Standaard- en gelijkrichterdiodes

Trr-diode (min.): 50 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 3A. IFSM: 100A. MRI (max.): 250uA. MRI (min): 10uA. Equivalenten: MURS360T3G, MUR360S, R6. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: DO-214. Behuizing (volgens datablad): SMB DO-214AB ( 4.6x3.95mm ). Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.88V. VRRM: 600V. Aantal aansluitingen: 2. Let op: Ultrafast Power Rectifiers. Let op: zeefdruk/CMS-code U3J

Cj: 70pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 1500 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 10A. IFSM: 400A. MRI (min): 10uA. Markering op de kast: P1000M. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: R-6. Behuizing (volgens datablad): R-6 ( 8x7.5mm ). Bedrijfstemperatuur: -50...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.05V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.9V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--800Ap t=10mS

Cj: 110pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 1500 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 20A. IFSM: 500A. MRI (min): 10uA. Markering op de kast: P2000M. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: R-6. Behuizing (volgens datablad): R-6 ( 8x7.5mm ). Bedrijfstemperatuur: -50...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.87V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--500Ap 50Hz(t=10ms), 550Ap 60Hz(t=8.3ms)

Cj: 150pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 2500 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 6A. IFSM: 400A. MRI (max.): 500uA. MRI (min): 10uA. Markering op de kast: 6A08. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: R-6. Behuizing (volgens datablad): R-6 ( 9x9mm ). Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.9V. VRRM: 800V. Spec info: IFSM 400Ap (t=8.3ms)

RoHS: ja. Componentfamilie: standaard gelijkrichterdiode. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: D8x7.5mm. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 2. Doorlaatstroom [A]: 6A. Ifsm [A]: 450A. Sluitspanning (herhaald) Vrrm [V]: 1 kV. Lekstroom bij sluiten Ir [A]: 10uA. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -50°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C. Doorlaatspanning Vfmax (V): 1V @ 5A. Behuizing (JEDEC-standaard): silicium. Schakelsnelheid (regeneratietijd) tr [sec.]: IFSM 400Ap (t=8.3ms). Behuizing (volgens datablad): R-6 ( 9.1x9.1mm ). Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V

Cj: 40pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 1500 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 6A. IFSM: 400A. MRI (min): 10uA. Markering op de kast: 6A12. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: R-6. Behuizing (volgens datablad): R-6 ( 8x7.5mm ). Bedrijfstemperatuur: -50...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.1V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1V. VRRM: 1200V. Spec info: IFSM--360Ap (t=10ms), 400Ap (t=8.3ms)

Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Schottky gelijkrichterdiode (Mega-serie). Voorwaartse stroom (AV): 1A. IFSM: 10A. Markering op de kast: EQ. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOD-323. Behuizing (volgens datablad): SOD-323F. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 0.66V. Voorwaartse spanning Vf (min): 0.21V. VRRM: 60V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1

Cj: 20pF. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 150 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: FAST RECOVERY RECTIFIER. Voorwaartse stroom (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DO-41. Behuizing (volgens datablad): DO-41 ( 2.7x5.0mm ). Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.2V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.2V. VRRM: 400V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Spec info: IFSM--50App, t=8.3mS

Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 500 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snel schakelen. IFSM: 30A. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.3V. VRRM: 1000V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Behuizing (volgens datablad): A-405 (5.2x2.7mm)

Let op: DAEWOO TV

Let op: SONY TV

Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Aantal per doos: 2. Diëlektrische structuur: gemeenschappelijke kathode. Trr-diode (min.): 25 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 20A. IFSM: 100A. MRI (max.): 10uA. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FN. Drempelspanning Vf (max): 1.3V. VRRM: 350V. Functie: Snel schakelen, snelle hersteldiode. Spec info: IFMS 100Ap

Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 23 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Ultrafast Soft Recovery Diode. Voorwaartse stroom (AV): 20A. IFSM: 100A. Aantal aansluitingen: 3. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 2V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.65V. VRRM: 530V. Spec info: Silicon epitaxial planer

Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 100 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Ultra Fast Recovery Rectifier Diode. Voorwaartse stroom (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Let op: SAMSUNG. MRI (max.): 2.5mA. MRI (min): 0.5mA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Gewicht: 0.6g. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DO-15. Behuizing (volgens datablad): D2A ( 4.0x7.2mm ). Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Drempelspanning Vf (max): 1.1V. VRRM: 70V. Spec info: IFMS 50Ap

Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 100us. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: ultrasnelle gelijkrichterdiode. Voorwaartse stroom (AV): 2A. IFSM: 50A. Let op: SAMSUNG 0402-000250. Aantal aansluitingen: 2. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DO-27. Behuizing (volgens datablad): DO-27 ( 6.5x8.0mm ). Drempelspanning Vf (max): 2V. Voorwaartse spanning Vf (min): 2V. VRRM: 600V

Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 100 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: ultrasnelle gelijkrichterdiode. Voorwaartse stroom (AV): 2A. IFSM: 60A. Let op: SAMSUNG 0402-000250. Aantal aansluitingen: 2. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DO-27. Behuizing (volgens datablad): DO-27 ( 6.5x8.0mm ). Drempelspanning Vf (max): 3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 3V. VRRM: 1000V

Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 100 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: ultrasnelle gelijkrichterdiode. Voorwaartse stroom (AV): 3A. IFSM: 80A. Aantal aansluitingen: 2. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DO-27. Behuizing (volgens datablad): DO-27 ( 6.5x8.0mm ). Drempelspanning Vf (max): 1.7V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.7V. VRRM: 200V

Cj: 5pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 300 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snel schakelende gelijkrichterdiode. Voorwaartse stroom (AV): 0.5A. IFSM: 20A. MRI (max.): 50uA. MRI (min): 5uA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DO-15. Behuizing (volgens datablad): DO-15 ( 2.7x5.2mm ). Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.8V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.8V. VRRM: 2000V. Spec info: IFSM--20Ap t=8.3mS

Cj: 15pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 150 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snel schakelende gelijkrichterdiode. Voorwaartse stroom (AV): 1A. IFSM: 30A. MRI (max.): 200uA. MRI (min): 5uA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DO-204. Behuizing (volgens datablad): DO-204AL ( 2.7x5.2mm ). Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.3V. VRRM: 200V. Let op: GI, S. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS

Cj: 15pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 150 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snel schakelende gelijkrichterdiode. Voorwaartse stroom (AV): 1A. IFSM: 30A. MRI (max.): 200uA. MRI (min): 5uA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DO-204. Behuizing (volgens datablad): DO-204AL ( 2.7x5.2mm ). Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.3V. VRRM: 400V. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS

Cj: 15pF. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Trr-diode (min.): 250 ns. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snel schakelende gelijkrichterdiode. Voorwaartse stroom (AV): 1A. IFSM: 30A. MRI (max.): 200uA. MRI (min): 5uA. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DO-204. Behuizing (volgens datablad): DO-204AL ( 2.7x5.2mm ). Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Drempelspanning Vf (max): 1.3V. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.3V. VRRM: 600V. Let op: GI, S. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS

Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: Snel schakelen. Let op: 50App/8.3ms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DO-204. Behuizing (volgens datablad): DO-204AC. VRRM: 400V

Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: Snel schakelen. Let op: 50App/8.3ms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DO-204. Behuizing (volgens datablad): DO-204AC. VRRM: 600V

Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: Snel schakelen. Let op: 50App/8.3ms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: DO-204. Behuizing (volgens datablad): DO-204AC. VRRM: 1000V

Halfgeleidermateriaal: silicium. Voorwaartse stroom (AV): 2A. Let op: Ifsm--80A/8.2ms. Hoogte: 9.5x5.3mm. VRRM: 100V. Let op: GI, S