NPN bipolaire transistoren

NPN-transistor, 1.5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 400V. Collectorstroom: 1.5A. Behuizing: SOT-223 ( TO-226 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-223. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Conditionering: rol. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snel schakelende hoogspanningstransistor. Maximale hFE-versterking: 32. Minimale hFE-versterking: 4. Ic(puls): 3A. Markering op de kast: N83003. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.6W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Aantal aansluitingen: 3. Conditioneringseenheid: 1000. Spec info: complementaire transistor (paar) STN93003. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 60V. Collectorstroom: 5A. Behuizing: SOT-223 ( TO-226 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-223. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Kosten): 215pF. Conditionering: rol. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 130 MHz. Functie: Snel schakelende NPN-vermogenstransistor met lage spanning. Maximale hFE-versterking: 350. Minimale hFE-versterking: 30. Ic(puls): 10A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.6W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.32V. Vebo: 7V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 1000. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 1A, TO-92, TO-92, 700V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 700V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: HIGH SWITCH. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.5W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Aantal per doos: 1. Spec info: hoge snelheid. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 7A, ISOWATT218, ISOWATT218, 700V. Collectorstroom: 7A. Behuizing: ISOWATT218. Behuizing (volgens datablad): ISOWATT218. Collector-emitterspanning Vceo: 700V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snel schakelend hoogspanning. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Aantal per doos: 1

NPN-transistor, 8A, TO-220, TO-220, 100V. Collectorstroom: 8A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Darlington-transistor?: ja. Halfgeleidermateriaal: silicium. Maximale hFE-versterking: 20000. Minimale hFE-versterking: 1000. Ic(puls): 15A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. BE-weerstand: 8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2). Functie: schakelen, audioversterker. Spec info: complementaire transistor (paar) TIP107. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

NPN-transistor, 2A, 60V. Collectorstroom: 2A. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Darlington-transistor?: ja. Halfgeleidermateriaal: silicium. Maximale hFE-versterking: 1000. Minimale hFE-versterking: 500. Ic(puls): 4A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. RoHS: ja. Type transistor: NPN. Vcbo: 60V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V. Let op: >1000. Spec info: 10k Ohms (R1), 600 Ohms (R2)

NPN-transistor, 4A, 80V. Collectorstroom: 4A. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Kosten): 2pF. Darlington-transistor?: ja. Halfgeleidermateriaal: silicium. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Type transistor: NPN. Let op: >1000. Aantal per doos: 1. Spec info: TO-220. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-220AB, 5A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Collectorstroom Ic [A], max.: 5A. RoHS: ja. Componentfamilie: Darlington NPN-vermogenstransistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: TIP120. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 65W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-220AB, 5A, 5A, TO-220, TO-220, 100V. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Collectorstroom Ic [A], max.: 5A. Collectorstroom: 5A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. RoHS: ja. Componentfamilie: Darlington NPN-vermogenstransistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: TIP122. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 100V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: silicium. Maximale dissipatie Ptot [W]: 65W. Minimale hFE-versterking: 1000. Ic(puls): 8A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 65W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Aantal aansluitingen: 3. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Spec info: complementaire transistor (paar) TIP127

NPN-transistor, 5A, TO-220, TO-220, 100V. Collectorstroom: 5A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Weerstand B: ja. BE-weerstand: 8 k Ohms és 120 Ohms. C(inch): TO-220. Kosten): 200pF. Conditionering: plastic buis. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: kHz. Maximale hFE-versterking: +150°C. Minimale hFE-versterking: 1000. Ic(puls): 8A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 65W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Aantal aansluitingen: 3. Functie: 8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2). Conditioneringseenheid: 50. Spec info: complementaire transistor (paar) TIP127G. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-220AB, 8A, TO-220, TO220, 100V. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Collectorstroom Ic [A], max.: 8A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO220. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. RoHS: ja. Componentfamilie: Darlington NPN-vermogenstransistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: TIP132. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 100V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 15000. Maximale dissipatie Ptot [W]: 70W. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. Type transistor: NPN. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 4 v. Vebo: 5V. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Spec info: complementaire transistor (paar) TIP137

NPN-transistor, 10A, TO-247, TO-247, 100V. Collectorstroom: 10A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Kosten): 60pF. Darlington-transistor?: ja. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Darlington-transistor met complementaire voeding. Maximale hFE-versterking: 1000. Minimale hFE-versterking: 500. Ic(puls): 20A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Monolithisch Darlington. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Weerstand B: Darlington-vermogenstransistor. C(inch): 100V. Aantal aansluitingen: 3. BE-weerstand: R1 typ=5k Ohms, R2 typ=60 Ohms. Spec info: complementaire transistor (paar) TIP147. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

NPN-transistor, 10A, TO-220, TO-220, 100V. Collectorstroom: 10A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Darlington-transistor?: ja. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Darlington-transistor met complementaire voeding. Maximale hFE-versterking: 1000. Minimale hFE-versterking: 500. Ic(puls): 20A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 90W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Monolithisch Darlington. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Aantal aansluitingen: 3. BE-weerstand: R1 typ=5k Ohms, R2 typ=60 Ohms. Spec info: complementaire transistor (paar) TIP147T. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

NPN-transistor, 15A, TO-247, TO-247, 100V, 100V. Collectorstroom: 15A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Collector-emitterspanning VCEO: 100V. Conditionering: plastic buis. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: audio-versterker. Maximale hFE-versterking: 70. Minimale hFE-versterking: 20. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 90W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 70V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 7V. Type transistor: NPN-vermogenstransistor. Polariteit: NPN. Vermogen: 90W. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Let op: complementaire transistor (paar) TIP2955. Conditioneringseenheid: 30. Spec info: Lage collector-emitter-verzadigingsspanning

NPN-transistor, 3A, TO-220, TO-220, 100V. Collectorstroom: 3A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: NF-L. Maximale hFE-versterking: 24. Minimale hFE-versterking: 10. Ic(puls): 5A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.2V. Vebo: 5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) TIP32C. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 25A, TO-247, TO-247, 100V, 100V. Collectorstroom: 25A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Collector-emitterspanning VCEO: 100V. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: Complementaire vermogenstransistors. Productiedatum: 1450. Maximale hFE-versterking: 50. Minimale hFE-versterking: 25. Ic(puls): 50A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.8V. Type transistor: NPN-vermogenstransistor. Polariteit: NPN. Vermogen: 125W. Maximale frequentie: 3MHz. Spec info: complementaire transistor (paar) TIP36C

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-247, 25A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247. Collectorstroom Ic [A], max.: 25A. RoHS: ja. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: TIP35CG. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 100V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 3 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 125W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-vermogenstransistor

NPN-transistor, 6A, TO-220, TO-220AB, 100V. Collectorstroom: 6A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Kosten): 80pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: Complementaire vermogenstransistors. Maximale hFE-versterking: 75. Minimale hFE-versterking: 15. Ic(puls): 10A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 65W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) TIP42C. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 100V, 6A, TO-220. Collector-emitterspanning VCEO: 100V. Collectorstroom: 6A. Behuizing: TO-220. Type transistor: NPN-vermogenstransistor. Polariteit: NPN. Vermogen: 65W. Maximale frequentie: 3MHz

NPN-transistor, 1A, TO-220, TO-220, 400V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Darlington-transistor?: NINCS. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 10 MHz. Functie: SILICON NPN SWITCHING TRANSISTOR. Maximale hFE-versterking: 150. Minimale hFE-versterking: 30. Ic(puls): 2A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 500V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

NPN-transistor, 400V, 1A, TO-92. Collector-emitterspanning VCEO: 400V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: TO-92. Type transistor: NPN-transistor. Polariteit: NPN. Vermogen: 1W

NPN-transistor, 50V, 3A, TO-92. Collector-emitterspanning VCEO: 50V. Collectorstroom: 3A. Behuizing: TO-92. Type transistor: NPN-transistor. Polariteit: NPN. Vermogen: 0.75W. Maximale frequentie: 90MHz

NPN-transistor, 18A, TO-3PMLH, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Collectorstroom: 18A. Behuizing (volgens datablad): TO-3PMLH. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: kHz. Functie: Hoge snelheid.. Maximale hFE-versterking: 15. Minimale hFE-versterking: 4. Ic(puls): 35A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 85W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Triple Diffused Planar Transistor . Tf(max): 0.2us. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 3V. Vebo: 5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: Ultrahigh-Hor. Deflection CRT Display. CE-diode: ja

NPN-transistor, 6A, TO-220FP, TO-220FI, 800V. Collectorstroom: 6A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FI. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Kosten): 110pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Vbe(sat)1.5V. Maximale hFE-versterking: 10. Minimale hFE-versterking: 5. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 800V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: met polarisatieweerstand Rbe. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 6A, TO-220FP, TO-220FI, 800V. Collectorstroom: 6A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FI. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Kosten): 110pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Kleuren-tv Horizontale afbuiging Uitgangstoepassingen. Maximale hFE-versterking: 8:1. Minimale hFE-versterking: 5. Ic(puls): 15A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Triple Diffused Planar Silicon Transistor . Tf(max): 0.3us. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 1500V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 3V. Vebo: 6V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: met polarisatieweerstand Rbe. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS