N-kanaaltransistor IRFB4227, 46A, 65A, 1mA, 19.7m Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. Binnendiameter (T=100°C): 46A. ID (T=25°C): 65A. Idss (max): 1mA. Aan-weerstand Rds Aan: 19.7m Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 200V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -40...+175°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 4600pF. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Functie: PDP-schakelaar. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 20uA. Id(imp): 260A. Kanaaltype: N. Kosten): 460pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 330W. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(aan): 33 ns. Td(uit): 21 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 100 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 06/11/2025, 22:14