N-kanaaltransistor IRF830, TO-220, 2.9A, 4.5A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-220AB, 500V
| +2 extra stuks beschikbaar op externe voorraad (levering binnen 4 uur). Neem contact met ons op voor prijzen en beschikbaarheid! | |
| Hoeveelheid in voorraad: 23 |
N-kanaaltransistor IRF830, TO-220, 2.9A, 4.5A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-220AB, 500V. Behuizing: TO-220. Binnendiameter (T=100°C): 2.9A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.5 Ohms. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 500V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Aanval: 38nC. Aftapstroom: 4.5A, 2.9A. Afvoerbronspanning: 500V. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: diode. C(inch): 610pF. Conditionering: tubus. Functie: Schakelende voedingen (SMPS). G-S-bescherming: nee. ID s (min): 25uA. Id(imp): 18A. Kanaaltype: N. Kosten): 160pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Op de staat weerstand: 1.5 Ohms. Pd (vermogensdissipatie, max.): 74W. Polariteit: unipolair. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Spanning: ±20V. Td(aan): 8.2 ns. Td(uit): 42 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 320 ns. Type transistor: MOSFET. Vermogen: 74W. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 06/11/2025, 22:14