N-kanaaltransistor IRF530, TO-220, 10A, 14A, 250uA, 0.16 Ohms, TO-220AB, 100V. Behuizing: TO-220. Binnendiameter (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 14A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.16 Ohms. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 100V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Aanval: 26nC. Aftapstroom: 10A, 16A. Afvoerbronspanning: 100V. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 670pF. Conditionering: tubus. Conditioneringseenheid: 50. Functie: Snel schakelen. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 25uA. Id(imp): 56A. Kanaaltype: N. Kosten): 250pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Op de staat weerstand: 0.16 Ohms. Pd (vermogensdissipatie, max.): 88W. Polariteit: unipolair. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Spanning: ±20V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Td(aan): 10 ns. Td(uit): 23 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Trr-diode (min.): 150 ns. Type transistor: MOSFET. Vermogen: 88W. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: Vishay. Aantal op voorraad bijgewerkt op 06/11/2025, 22:14