N-kanaaltransistor BSS123, SOT-23 ( TO-236 ), 100V, 150mA, 100uA, 3.5 Ohms, SOT-23 ( TO236 ), 100V

Technische beschrijving van het product (BSS123):

Vdss (afvoer naar bronspanning): 100V. Spanning Vds(max): 100V. Idss (max): 100uA. ID (T=25°C): 150mA. Aan-weerstand Rds Aan: 3.5 Ohms. Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). RoHS: ja. Polariteit: unipolair. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Aantal aansluitingen: 3. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: zeefdruk/SMD-code SA. Technologie: N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET. Equivalenten: BSS123LT1G, BSS123-7-F. RDS ON (MAX) @ ID, VGS: 6 Ohms / 120mA / 10V. G-S-bescherming: nee. Td(uit): 12 ns. ID s (min): 10uA. Vermogen: 360mW. Td(aan): 3 ns. Vgs (th) (max) @ id: 2.5V @ 250µA. Aantal per doos: 1. Markering van de fabrikant: BSS123-7-F. Id(imp): 600mA. Op de staat weerstand: 6 Ohms. Markering op de kast: SA. Vgs(th) min.: 1V. Aftapstroom: 170mA. Montagetype: SMD. C(inch): 23pF. MSL: 1. QG (Total Gate Charge, Max @ VGS): 1.8nC @ 10V. Kosten): 6pF. Trr-diode (min.): 11 ns. Poort-/bronspanning Vgs max: ±20V. Afvoerbronspanning: 100V. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. Bescherming afvoerbron: ja. Poort/bronspanning (uit) max.: 2.8V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Id @ Tc=25°C (continue afvoerstroom): 150mA