N-kanaaltransistor BSS123, SOT-23 ( TO-236 ), 100V, 150mA, 100uA, 3.5 Ohms, SOT-23 ( TO236 ), 100V. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Vdss (afvoer naar bronspanning): 100V. ID (T=25°C): 150mA. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 3.5 Ohms. Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spanning Vds(max): 100V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Aftapstroom: 170mA. Afvoerbronspanning: 100V. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 23pF. Equivalenten: BSS123LT1G, BSS123-7-F. Functie: zeefdruk/SMD-code SA. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 10uA. Id @ Tc=25°C (continue afvoerstroom): 150mA. Id(imp): 600mA. Informatie: -. Kanaaltype: N. Kenmerken: -. Kosten): 6pF. MSL: 1. Markering op de kast: SA. Markering van de fabrikant: BSS123-7-F. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Montagetype: SMD. Op de staat weerstand: 6 Ohms. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. Polariteit: unipolair. Poort-/bronspanning Vgs max: ±20V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Poort/bronspanning (uit) max.: 2.8V. RDS ON (MAX) @ ID, VGS: 6 Ohms / 120mA / 10V. RoHS: ja. Serie: -. Spanning: -. Td(aan): 3 ns. Td(uit): 12 ns. Technologie: N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET. Trr-diode (min.): 11 ns. Type transistor: MOSFET. Vermogen: 360mW. Vgs(th) min.: 1V. Origineel product van fabrikant: Nxp Semiconductors. Minimale hoeveelheid: 10. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/11/2025, 13:31