FQU20N06L

FQU20N06L. C(inch): 480pF. Kosten): 175pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 54 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 68.8A. Binnendiameter (T=100°C): 10.9A. ID (T=25°C): 17.2A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 38W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.046 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 35 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: QFET, Enhancement mode power MOSFET. Behuizing: TO-251 ( I-Pak ). Behuizing (volgens datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: lage poortlading (typ 9,5nC). G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 15/01/2025, 06:25.