Fairchild FQA19N60 N-Kanaal MOSFET 600V 18.5A 0.3 Ohm TO-3PN QFET DMOS

Technische beschrijving van het product (FQA19N60):

Spanning Vds(max): 600V. Idss (max): 100uA. Id (T=25°C): 18.5A. Id (T=100°C): 11.7A. Doorgangsweerstand Rds On: 0.3 Ohm. Behuizing (volgens datasheet): TO-3PN. Behuizing: TO-3PN (2-16C1B). RoHS: ja. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Aantal aansluitingen: 3. Montage/installatie: doorsteekmontage voor printplaat. Kanaaltype: N. Transistortype: MOSFET. Functie: Snel schakelen, lage gate-lading (typisch 44nC). Technologie: DMOS, QFET. G-S bescherming: nee. Td(off): 150 ns. Idss (min): 10uA. Td(on): 65 ns. Aantal per behuizing: 1. Id(imp): 74A. Vgs(th) min.: 3V. C (in): 2800pF. C (out): 350pF. Trr Diode (Min.): 420 ns. Maximale vermogensdissipatie: 300W. Drain-source bescherming: diode. Gate/Source spanning Vgs: 30V. Vgs(th) max.: 5V.