Hoeveelheid | excl. BTW | incl. BTW |
---|---|---|
1 - 4 | 1.11€ | 1.34€ |
5 - 9 | 1.05€ | 1.27€ |
10 - 24 | 1.00€ | 1.21€ |
25 - 49 | 0.94€ | 1.14€ |
50 - 99 | 0.92€ | 1.11€ |
100 - 249 | 0.90€ | 1.09€ |
250 - 667 | 0.85€ | 1.03€ |
Hoeveelheid | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.11€ | 1.34€ |
5 - 9 | 1.05€ | 1.27€ |
10 - 24 | 1.00€ | 1.21€ |
25 - 49 | 0.94€ | 1.14€ |
50 - 99 | 0.92€ | 1.11€ |
100 - 249 | 0.90€ | 1.09€ |
250 - 667 | 0.85€ | 1.03€ |
2N3019-ST. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Maximale hFE-versterking: 300. Minimale hFE-versterking: 100. Collectorstroom: 1A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +175°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.8W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Planaire epitaxiale transistor . Behuizing: TO-39 ( TO-205 ). Behuizing (volgens datablad): TO-39. Type transistor: NPN. Vcbo: 140V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.2V. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Vebo: 7V. Aantal op voorraad bijgewerkt op 12/01/2025, 08:25.
Informatie en technische hulp
Betaling en levering
Levering binnen 2-3 dagen, met posttracking!
Alle rechten voorbehouden, RPtronics, 2024.